本揭露關(guān)于一種多層半導(dǎo)體封裝組件、應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置及應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體元件用于各種電子應(yīng)用，例如個(gè)人計(jì)算機(jī)、單元手機(jī)、數(shù)字相機(jī)和其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體元件是通過相繼地在基底上沉積絕緣或材料的介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體層來制造的，而圖案化各種材料層使用微影在其上形成電路構(gòu)件和組件。隨著半導(dǎo)體行業(yè)追求更高的元件密度、更高的效能和更低的成本而進(jìn)入納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)，在制造和設(shè)計(jì)問題上的挑戰(zhàn)因而發(fā)展了三維設(shè)計(jì)，其包含，例如，金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(metal-oxide-silicon?field?effect?transistors，mos-fet)、場效晶體管(field?effecttransistors，fet)、鰭式場效晶體管(fin?field?effect?transistor，finfet)、環(huán)繞式柵極(gate-all-around，gaa)裝置(納米線/納米片)、gaa裝置配置為互補(bǔ)式場效晶體管(complementary?field?effect?transistor，cfet)裝置以及多橋通道場效晶體管(multi-bridge?channel?field?effect?transistor，mbcfet)裝置(納米片)。

2、在某些情況下，集成電路(integrated?circuit，ic)制造流程分為前端工藝(front-end-of-line，feol)處理與后端工藝(back-end-of-line，beol)處理。feol工藝通常涵蓋與在半導(dǎo)體基板之中或之上制造功能元件(例如晶體管和電阻器)相關(guān)的那些工藝。舉例來說，feol工藝通常包括形成隔離特征、柵極和介電質(zhì)以及源極和漏極特征(也稱為源極/漏極或s/d特征)。beol工藝通常涵蓋與制造多層互連(multilayer?interconnect，mli)特征相關(guān)的工藝，該多層互連特征將feol處理期間制造的功能性ic元件和結(jié)構(gòu)互連，以提供與所得ic裝置的連接并使其能夠操作。

3、隨著尺寸的不斷縮小以及晶片附接晶片和晶圓附接晶圓組件的使用的增加，晶片和封裝層級的應(yīng)力分析和控制越來越受到重視。半導(dǎo)體元件之間和跨過半導(dǎo)體元件的應(yīng)力和翹曲的減少將傾向于提高所得半導(dǎo)體元件的性能和可靠性。堆疊封裝中的晶片、封裝和/或板都是結(jié)構(gòu)應(yīng)力和熱應(yīng)力的潛在來源，這些應(yīng)力往往隨著集成度和復(fù)雜性水平的增加而增加。減少和/或補(bǔ)償由于材料層、接合結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體裝置、復(fù)雜組件和/或此類裝置的操作的選擇和配置而產(chǎn)生的一些機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力的工藝和/或結(jié)構(gòu)修飾是有幫助的減少缺陷、提高性能和/或延長最終裝置的使用壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本揭露的一些實(shí)施例，一種應(yīng)力調(diào)節(jié)裝包含半導(dǎo)體基板、第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層、第四絕緣層以及第五絕緣層。第一絕緣層位于半導(dǎo)體基板的第一側(cè)上方。第二絕緣層位于第一絕緣層上方。第三絕緣層位于半導(dǎo)體基板的第二側(cè)上方。第四絕緣層位于第三絕緣層上方。第五絕緣層位于第四絕緣層上方，其中應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置實(shí)質(zhì)上不包含導(dǎo)電材料。

2、根據(jù)本揭露的一些實(shí)施例，一種制造一應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置的方法包含以下操作。形成第一絕緣材料在半導(dǎo)體基板的第一側(cè)和第二側(cè)上方。形成第二絕緣材料在半導(dǎo)體基板的第一側(cè)和第二側(cè)上的第一絕緣材料上方。形成第三絕緣材料在半導(dǎo)體基板的第二側(cè)上的第二絕緣材料上方。形成第四絕緣材料在半導(dǎo)體基板的第一側(cè)上的第二絕緣材料上方以及在半導(dǎo)體基板的第二側(cè)上的第三絕緣材料上方。

3、根據(jù)本揭露的一些實(shí)施例，多層半導(dǎo)體封裝組件包含第一半導(dǎo)體裝置、第二半導(dǎo)體裝置以及第一應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置。第二半導(dǎo)體裝置安裝在第一半導(dǎo)體裝置上。第一半導(dǎo)體裝置電連接到第二半導(dǎo)體裝置。第一半導(dǎo)體裝置和第二半導(dǎo)體裝置的組合具有初始應(yīng)力負(fù)載。第一應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置配置為減少初始應(yīng)力負(fù)載。第一應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置包含半導(dǎo)體基板、第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層、第四絕緣層以及第五絕緣層。第一絕緣層位于半導(dǎo)體基板的第一側(cè)上。第二絕緣層位于第一絕緣層上。第三絕緣層位于半導(dǎo)體基板的第二側(cè)上。第四絕緣層位于第三絕緣層上。第五絕緣層位于第四絕緣層上。

技術(shù)特征：

1.一種應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，包含：

2.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，其中：

3.一種制造一應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置的方法，其特征在于，包含：

4.如權(quán)利要求3所述的制造該應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置的方法，其特征在于，還包含：

5.如權(quán)利要求3所述的制造該應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置的方法，其特征在于，還包含：

6.如權(quán)利要求3所述的制造該應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置的方法，其特征在于，還包含：

7.如權(quán)利要求3所述的制造該應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置的方法，其特征在于，還包含：

8.如權(quán)利要求3所述的制造該應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置的方法，其特征在于，還包含：

9.一種多層半導(dǎo)體封裝組件，其特征在于，包含：

10.如權(quán)利要求9所述的多層半導(dǎo)體封裝組件，其特征在于，還包含：

技術(shù)總結(jié)
一種多層半導(dǎo)體封裝組件、應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置及其制造方法，應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置包括半導(dǎo)體基板、形成在半導(dǎo)體基板的第一側(cè)上方的第一絕緣層、形成在第一絕緣層上方的第二絕緣層、形成在半導(dǎo)體基板的第二側(cè)上方的第三絕緣層、形成在第三絕緣層上方的第四絕緣層，以及形成在第四絕緣層上方的第五絕緣層，用于并入多堆疊封裝組件中，以減少封裝組件內(nèi)主動(dòng)元件上的應(yīng)力、應(yīng)變和/或翹曲。

技術(shù)研發(fā)人員：鄒傳正,楊松鑫,張任遠(yuǎn),蔣振劼
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30