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分腔屏蔽SIP產(chǎn)品及其制備方法與流程

文檔序號(hào):40612149發(fā)布日期:2025-01-07 20:57閱讀:8來源:國知局
分腔屏蔽SIP產(chǎn)品及其制備方法與流程

本發(fā)明涉及電磁屏蔽,更為具體地,涉及一種分腔屏蔽sip產(chǎn)品及其制備方法。


背景技術(shù):

1、隨著sip(系統(tǒng)級(jí)封裝)技術(shù)的快速發(fā)展,電子產(chǎn)品功能越來越復(fù)雜,然而這類sip產(chǎn)品中的各模塊(或者各器件)之間的電磁干擾問題越發(fā)突出。電磁屏蔽技術(shù)就是利用金屬屏蔽體對電磁波的吸收和金屬波的反射的效果,能夠有效減弱sip產(chǎn)品內(nèi)部的電子元器件之間(分腔屏蔽)以及電子元器件與外部環(huán)境之間的電磁干擾。

2、若不對sip產(chǎn)品做有效的電磁屏蔽,交變的電磁場產(chǎn)生的電磁波會(huì)影響到sip產(chǎn)品內(nèi)部的電子元件之間的正常工作,主要表現(xiàn)為:1)電子產(chǎn)品訊號(hào)降低;2)電子產(chǎn)品壽命降低;3)電子產(chǎn)品過熱。

3、對于電子元器件與外部環(huán)境之間的電磁干擾,如圖1所示,通常使用導(dǎo)電材料覆蓋的方式將電子元器件與外部環(huán)境中的干擾源隔離開,即為共型屏蔽;對于sip產(chǎn)品內(nèi)部的電子元器件之間的電磁干擾,如圖2和圖3所示,通過導(dǎo)電材料將相互干擾的電子元器件隔離開,即為分腔屏蔽。

4、現(xiàn)有的分腔屏蔽方案如圖4所示,先將各電子元器件貼片到基板上,然后采用塑封工藝對基板上的所有電子元器件進(jìn)行塑封,再采用鐳射工藝對塑封體進(jìn)行開槽,形成相互干擾的電子元器件之間的凹槽,然后在凹槽位置使用點(diǎn)膠制程填充導(dǎo)電膠,最后在整體產(chǎn)品表面鍍一層金屬屏蔽膜,達(dá)到分腔屏蔽的效果。

5、然而,在實(shí)際操作過程中,鐳射工藝制程以及點(diǎn)膠工藝制程的作業(yè)效率較低,且導(dǎo)電膠的成本較高,從而導(dǎo)致傳統(tǒng)的分腔屏蔽方案的整個(gè)制備工藝的效率低、開銷大。

6、基于上述技術(shù)問題,亟需一種既能夠節(jié)約成本又能夠提升制備效率的分腔屏蔽方案。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于上述問題,本發(fā)明的目的是提供一種分腔屏蔽sip產(chǎn)品及其制備方法,以解決現(xiàn)有的分腔屏蔽sip產(chǎn)品的制備工藝效率低、開銷大的問題。

2、本發(fā)明提供的分腔屏蔽sip產(chǎn)品包括基板和設(shè)置在所述基板上的至少兩組電子模塊;其中,各組所述電子模塊之間相互產(chǎn)生電磁波;并且,

3、在各組所述電子模塊之間設(shè)置有隔離電阻器件。

4、此外,優(yōu)選的方案是,所述隔離電阻器件豎直固定在所述基板上。

5、此外,優(yōu)選的方案是,在所述基板上設(shè)置有分腔屏蔽區(qū)域,所述隔離電阻器件貼設(shè)在所述分腔屏蔽區(qū)域內(nèi)。

6、此外,優(yōu)選的方案是,所述隔離電阻器件在所述分腔屏蔽區(qū)域內(nèi)呈均勻分布貼設(shè)。

7、此外,優(yōu)選的方案是,所述電子模塊在所述基板上設(shè)置有兩組;并且,

8、在任意一組所述電子模塊的外圍貼設(shè)有所述隔離電阻器件。

9、此外,優(yōu)選的方案是,在所述基板上塑封有覆蓋各組所述電子模塊的塑封體,所述塑封體處于所述隔離電阻器件的側(cè)面。

10、此外,優(yōu)選的方案是,在所述塑封體上濺鍍有覆蓋所述塑封體以及所述隔離電阻器件的濺鍍屏蔽層。

11、此外,優(yōu)選的方案是,所述基板為pcb板。

12、另一方面,本發(fā)明還提供一種如前述的分腔屏蔽sip產(chǎn)品的制備方法,所述制備方法包括:

13、在所述基板上貼裝各組所述電子模塊;

14、在所述基板上的分腔屏蔽區(qū)域貼裝所述隔離電阻器件,以將各組所述電子模塊分隔開;

15、在所述基板上塑封覆蓋各組所述電子模塊的塑封體;

16、在所述塑封體上濺鍍覆蓋所述塑封體以及所述隔離電阻器件的濺鍍屏蔽層。

17、此外,優(yōu)選的方案是,所述隔離電阻器件采用貼裝的方式固定在所述基板上。

18、和現(xiàn)有技術(shù)相比,上述根據(jù)本發(fā)明的分腔屏蔽sip產(chǎn)品及其制備方法,有如下有益效果:

19、本發(fā)明提供的分腔屏蔽sip產(chǎn)品通過采用低成本的隔離電阻器件代替高成本的有導(dǎo)電膠制成的導(dǎo)電材料,能夠有效降低產(chǎn)品生產(chǎn)成本;此外,本發(fā)明提供的分腔屏蔽sip產(chǎn)品的制備方法通過先在基板上貼裝隔離電阻器件的方式,能夠省去現(xiàn)有的制備工藝中的鐳射制程和點(diǎn)膠制程,能夠顯著提升分腔屏蔽sip產(chǎn)品的制備效率。

20、為了實(shí)現(xiàn)上述以及相關(guān)目的,本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面包括后面將詳細(xì)說明并在權(quán)利要求中特別指出的特征。下面的說明以及附圖詳細(xì)說明了本發(fā)明的某些示例性方面。然而,這些方面指示的僅僅是可使用本發(fā)明的原理的各種方式中的一些方式。此外,本發(fā)明旨在包括所有這些方面以及它們的等同物。



技術(shù)特征:

1.一種分腔屏蔽sip產(chǎn)品,其特征在于,包括基板和設(shè)置在所述基板上的至少兩組電子模塊;其中,各組電子模塊之間相互產(chǎn)生電磁波;并且,

2.如權(quán)利要求1所述的分腔屏蔽sip產(chǎn)品,其特征在于,

3.如權(quán)利要求2所述的分腔屏蔽sip產(chǎn)品,其特征在于,

4.如權(quán)利要求3所述的分腔屏蔽sip產(chǎn)品,其特征在于,

5.如權(quán)利要求3所述的分腔屏蔽sip產(chǎn)品,其特征在于,

6.如權(quán)利要求4所述的分腔屏蔽sip產(chǎn)品,其特征在于,

7.如權(quán)利要求6所述的分腔屏蔽sip產(chǎn)品,其特征在于,

8.如權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的分腔屏蔽sip產(chǎn)品,其特征在于,

9.一種用于制備如權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的分腔屏蔽sip產(chǎn)品的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:

10.如權(quán)利要求9所述的分腔屏蔽sip產(chǎn)品的制備方法,其特征在于,


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種分腔屏蔽SIP產(chǎn)品及其制備方法,其中的分腔屏蔽SIP產(chǎn)品的制備方法包括:在基板上貼裝各組電子模塊;在所述基板上的分腔屏蔽區(qū)域貼裝隔離電阻器件,以將各組電子模塊分隔開;在所述基板上塑封覆蓋各組電子模塊的塑封體;在所述塑封體上濺鍍覆蓋所述塑封體以及所述隔離電阻器件的濺鍍屏蔽層。本發(fā)明提供的分腔屏蔽SIP產(chǎn)品及其制備方法能夠解決現(xiàn)有的分腔屏蔽SIP產(chǎn)品的制備工藝效率低、開銷大的問題。

技術(shù)研發(fā)人員:張錫光,張宏,詹新明
受保護(hù)的技術(shù)使用者:青島歌爾微電子研究院有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/6
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