本技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造，具體而言，涉及一種芯片封裝方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在現(xiàn)有的芯片封裝埋入工藝中，通常會通過永久鍵合膠和/或焊點將中介層和基板進行電連接，并通過研磨處理去除鍵合膠和/或焊點，以暴露中介層上的導(dǎo)電引線，并制作與上述導(dǎo)電引線電氣連接的重布線層。但在上述過程中，在通過研磨處理去除鍵合膠和/或焊點的過程中，可能會出現(xiàn)機械應(yīng)力損傷、研磨微粒污染或研磨不均勻等不良情況，產(chǎn)品可靠性不高。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為了至少克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足，本技術(shù)的目的在于提供一種芯片封裝方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備。

2、第一方面，本技術(shù)實施例提供一種芯片封裝方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備，所述芯片封裝方法包括：

3、提供第一載板，在所述第一載板的一側(cè)制作第一臨時鍵合層；

4、在所述第一臨時鍵合層遠離所述第一載板的一側(cè)制作中介層，其中，所述中介層包括貫穿所述中介層的導(dǎo)電引線，所述導(dǎo)電引線的延伸方向垂直于所述中介層所在的平面；

5、在所述中介層遠離所述第一載板的一側(cè)制作第一重布線層，所述第一重布線層遠離所述第一載板的一側(cè)設(shè)置有第一導(dǎo)電凸塊，所述第一重布線層與所述導(dǎo)電引線電連接；

6、在所述第一重布線層遠離所述第一載板的一側(cè)制作芯片層，所述芯片層包括至少一個功能芯片，所述功能芯片的電極側(cè)朝向所述第一重布線層設(shè)置，所述功能芯片的電極側(cè)通過所述第一導(dǎo)電凸塊與所述第一重布線層電連接。

7、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述中介層包括第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)和第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述在所述第一臨時鍵合層遠離所述第一載板的一側(cè)制作中介層的步驟之前，所述方法還包括制作第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)的步驟，該步驟包括：

8、提供一第二載板，在所述第二載板的一側(cè)制作第一導(dǎo)電引線，其中，所述第一導(dǎo)電引線的延伸方向垂直于所述第二載板所在的平面；

9、對制作好所述第一導(dǎo)電引線的第二載板進行塑封處理，形成包埋所述第一導(dǎo)電引線的第一互聯(lián)層，并對所述第一互聯(lián)層進行研磨處理，直至暴露全部所述第一導(dǎo)電引線；

10、對研磨處理后的第一互聯(lián)層進行圖案化處理，形成第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其中，所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)包括圍合而成的空腔，所述空腔貫穿所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)。

11、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述在所述第一臨時鍵合層遠離所述第一載板的一側(cè)制作中介層的步驟，包括：

12、在所述第一臨時鍵合層遠離所述第一載板的一側(cè)放置至少一個所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其中，所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)包括貫穿所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)的空腔和第一導(dǎo)電引線；

13、將所述第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)放置于所述空腔內(nèi)，并對位于所述空腔內(nèi)的第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)進行塑封處理，形成第一塑封層，其中，所述第一塑封層用于將所述第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)限位固定在所述空腔內(nèi)，所述第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)包括貫穿所述第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電引線；

14、對形成的所述第一塑封層進行研磨，直至暴露所述第一導(dǎo)電引線與所述第二導(dǎo)電引線，得到所述中介層。

15、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述在所述第一重布線層遠離所述第一載板的一側(cè)制作芯片層的步驟，包括：

16、將至少一個功能芯片放置于所述第一重布線層遠離所述第一載板的一側(cè)，并將所述功能芯片的電極與所述第一導(dǎo)電凸塊進行焊接；

17、對焊接好所述功能芯片的第一重布線層進行塑封，在所述第一重布線層設(shè)置所述功能芯片的一側(cè)形成包裹所述功能芯片的第二塑封層；

18、對所述第二塑封層進行研磨，直至暴露所述功能芯片，得到所述芯片層。

19、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述在所述第一重布線層遠離所述第一載板的一側(cè)制作芯片層的步驟之后，所述方法還包括制作第二重布線層的步驟，該步驟包括：

20、去除所述第一臨時鍵合層，將制作好所述芯片層的中介層與所述第一載板分離；

21、提供第三載板，將制作好所述芯片層的中介轉(zhuǎn)移至所述第三載板，所述芯片層遠離所述第一重布線層的一側(cè)與所述第三載板接觸；

22、在所述中介層遠離所述第三載板的一側(cè)制作第二重布線層，所述第二重布線層遠離所述第三載板的一側(cè)設(shè)置有第二導(dǎo)電凸塊；

23、在所述第二重布線層遠離所述第三載板的一側(cè)進行置球處理，得到與所述第二重布線層電連接的導(dǎo)電球，所述導(dǎo)電球通過所述重布線層中的走線以及所述導(dǎo)電引線與所述第一重布線層電連接。

24、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述在所述第二重布線層遠離所述第三載板的一側(cè)進行置球處理，得到與所述第二重布線層電連接的導(dǎo)電球之后，所述方法還包括：

25、去除所述第三載板，將制作好所述導(dǎo)電球的芯片層與所述第三載板分離，得到包括至少一個所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)；

26、在所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個時，在去除所述第三載板，將制作好所述導(dǎo)電球的芯片層與所述第三載板分離，得到包括至少一個所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)的步驟之后，所述方法還包括：

27、對包括多個所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)進行切割，得到芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)包括一個所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)以及位于所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)中空腔內(nèi)的至少一個第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)。

28、第二方面，本技術(shù)實施例還提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)根據(jù)上述第一方面中任意一項所述的芯片封裝方法制成，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)包括：

29、中介層，所述中介層包括貫穿所述中介層的導(dǎo)電引線，所述導(dǎo)電引線的延伸方向垂直于所述中介層所在的平面；

30、第一重布線層，所述第一重布線層位于所述中介層的一側(cè)，所述第一重布線層遠離所述中介層的一側(cè)設(shè)置有第一導(dǎo)電凸塊，所述第一重布線層與所述導(dǎo)電引線連接；

31、芯片層，所述芯片層位于所述第一重布線層遠離所述中介層的一側(cè)，所述芯片層包括至少一個功能芯片，所述功能芯片的電極側(cè)朝向所述第一重布線層設(shè)置，所述功能芯片的電極側(cè)通過所述第一導(dǎo)電凸塊與所述第一重布線層電連接。

32、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述中介層包括第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)、第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)和第一塑封層；

33、所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)還包括至少一個圍合而成的空腔，所述第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)位于所述空腔內(nèi)，所述塑封層用于將所述第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)固定限位于所述空腔內(nèi)；

34、所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)包括貫穿所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電引線，所述第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)包括第二導(dǎo)電引線，所述第二導(dǎo)電引線貫穿所述第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)及所述第一塑封層，所述第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)用于所述第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)進行重構(gòu)。

35、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括第二重布線層及導(dǎo)電球；

36、所述第二重布線層位于所述中介層遠離所述第一重布線層的一側(cè)，所述第二重布線層與所述導(dǎo)電引線電連接；

37、所述第二重布線層遠離所述中介層的一側(cè)設(shè)置有第二導(dǎo)電凸塊，所述導(dǎo)電球與所述第二導(dǎo)電凸塊連接，所述導(dǎo)電球通過所述第二重布線層與所述導(dǎo)電引線電連接。

38、第三方面，本技術(shù)實施例還提供一種電子設(shè)備，包括根據(jù)第一方面中任意一種所述的芯片封裝方法制成的芯片封裝結(jié)構(gòu)。

39、基于上述任意一個方面，本技術(shù)實施例提供的芯片封裝方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備，通過第一臨時鍵合層實現(xiàn)中介層與第一載板的臨時鍵合，相對于通過焊點固定中介層與第一載板的現(xiàn)有技術(shù)而言，無需制作額外的焊點，不僅可以有效簡化制作工藝，同時可以提高產(chǎn)品可靠性。此外，在芯片層制作完成以后，還可以通過去除第一臨時鍵合層將中介層與第一載板分離，在中介層相對的兩個側(cè)面實現(xiàn)垂直電氣互聯(lián)，有效減小信號傳輸路徑，減少信號傳輸?shù)难舆t和損耗。