本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)芯片封裝，尤其涉及一種芯片的封裝方法和封裝半成品。

背景技術(shù)：

1、由于芯片是精密設(shè)備，隨著芯片的小型化，芯片在生產(chǎn)過程中的焊接的要求是越來越高的。傳統(tǒng)的芯片封裝工藝中，包括涂抹助焊劑、倒裝貼片、過回流焊、清洗助焊劑、涂布填充膠和固化填充膠等步驟組成，芯片經(jīng)過封裝工藝的步驟后以固定在基板上，形成封裝半成品以方便進(jìn)行下一步的制作工序。

2、在封裝工藝中，有時(shí)為了保證焊接的穩(wěn)固性，會(huì)填充足夠的助焊劑以維持焊接后的穩(wěn)固。但是這樣會(huì)導(dǎo)致芯片上存在較多殘留的助焊劑，在清洗助焊劑的過程中，需要使用足量的水進(jìn)行沖洗，而且仍然極為容易出現(xiàn)清洗不干凈的情況，導(dǎo)致助焊劑未能被清理干凈而存在殘留。使得后續(xù)在經(jīng)過涂布填充膠并進(jìn)行烘烤固化的步驟時(shí)，殘留的助焊劑受熱后會(huì)進(jìn)行氣化，會(huì)使得填充膠內(nèi)部出現(xiàn)氣孔，從而導(dǎo)致芯片的連接出現(xiàn)不穩(wěn)固的現(xiàn)象，會(huì)引起芯片的引腳連接不良的問題。

3、因此，急需對(duì)傳統(tǒng)的芯片封裝工藝進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)，以保證生產(chǎn)的良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的目的是提供一種芯片的封裝方法和封裝半成品，通過填充膠清除助焊劑殘留物步驟，能夠?qū)⑿酒突逯g存在的助焊劑殘留物進(jìn)行清除，提高了芯片封裝的生產(chǎn)良率。

2、本申請(qǐng)公開了一種芯片的封裝方法，包括步驟：

3、涂助焊劑步驟：在芯片的錫球上涂抹助焊劑，將芯片倒裝貼片到基板上；

4、焊接步驟：芯片和基板在助焊劑的輔助下，在回流焊機(jī)中進(jìn)行焊接，焊接完成的芯片的底部產(chǎn)生助焊劑殘留物；

5、填充膠清除助焊劑殘留物步驟：在焊接完成的芯片和基板之間填充填充膠，在壓力烤箱內(nèi)，填充膠與位于芯片底部的助焊劑殘留物反應(yīng)以形成氣態(tài)的反應(yīng)物，生成的氣態(tài)的反應(yīng)物通過壓力烤箱從芯片的底部排出，以使得芯片底部的助焊劑殘留物被清除；

6、固化步驟：在壓力烤箱內(nèi)，對(duì)基板和芯片進(jìn)行烘烤以固化填充膠得到烘烤完成的封裝半成品。

7、可選的，在所述焊接步驟之后，不對(duì)焊接完成的芯片和基板進(jìn)行水洗處理，而直接執(zhí)行填充膠清除助焊劑殘留物的步驟。

8、可選的，所述填充膠清除助焊劑殘留物的步驟包括：

9、將焊接完成的芯片和基板放入壓力烤箱內(nèi)；

10、在芯片和基板之間填充填充膠，且所述芯片的至少一側(cè)不進(jìn)行填充膠填充操作；

11、增壓步驟：向壓力烤箱的腔體內(nèi)充入氣體以形成高壓環(huán)境，填充膠逐漸從芯片的外圍朝向芯片的中心移動(dòng)，并在該過程中與助焊劑殘留物發(fā)生反應(yīng)；

12、減壓步驟：壓力烤箱的腔體抽氣以形成負(fù)壓環(huán)境，填充膠與助焊劑殘留物反應(yīng)生成的氣態(tài)的反應(yīng)物在該過程中被排出；

13、其中，在所述填充膠清除助焊劑殘留物的步驟中，重復(fù)上述的增壓步驟和減壓步驟實(shí)現(xiàn)高低壓分子振蕩處理，以使得填充膠與位于芯片底部的助焊劑殘留物反應(yīng)以形成氣態(tài)的反應(yīng)物，生成的氣態(tài)的反應(yīng)物在高低壓分子振蕩處理的過程中，從芯片的底部排出，以使得芯片底部的助焊劑殘留物被清除；

14、其中，填充膠與助焊劑殘留物反應(yīng)所形成的所有產(chǎn)物均為所述氣態(tài)的反應(yīng)物。

15、可選的，在所述填充膠清除助焊劑殘留物的步驟中，填充填充膠時(shí)的環(huán)境溫度低于40攝氏度，高于18攝氏度。

16、可選的，在所述減壓步驟中，所述壓力烤箱內(nèi)部抽氣以使得壓力烤箱的腔體內(nèi)的氣壓小于2kgf/cm2，填充膠與助焊劑殘留物反應(yīng)生成的氣態(tài)的反應(yīng)物被排出芯片底部。

17、可選的，在所述填充膠清除助焊劑殘留物的步驟中，所述增壓步驟和所述減壓步驟重復(fù)循環(huán)大于一次。

18、可選的，在所述增壓步驟中，所述壓力烤箱內(nèi)充入的氣體為純凈氣體，所述純凈氣體為氮?dú)狻?/p>

19、可選的，在所述減壓步驟中，所述壓力烤箱內(nèi)部的環(huán)境溫度為40±2攝氏度，持續(xù)時(shí)間為50±5分鐘；

20、在所述增壓步驟中，所述壓力烤箱內(nèi)部的環(huán)境溫度為40±2攝氏度，持續(xù)時(shí)間為5±5分鐘。

21、可選的，在所述固化步驟中，所述壓力烤箱的環(huán)境溫度在80～160攝氏度之間，所述壓力烤箱的內(nèi)部氣壓在6～8kg之間，烘烤時(shí)間在220～240分鐘之間。

22、可選的，所述芯片的封裝方法還包括步驟：

23、檢測(cè)步驟：將烘烤完成后得到的封裝半成品進(jìn)行檢測(cè)；

24、其中，所述封裝半成品通過超聲波掃描，以檢測(cè)基板和芯片之間有無氣泡存在。

25、可選的，所述填充膠可以是漢高的9100aa號(hào)填充膠或北陸涂料株式會(huì)社的u8410-302號(hào)填充膠中的其中一種；

26、所述助焊劑可以是銦泰科技有限公司的tacflux-026s號(hào)助焊劑或阿爾法的ncx-402號(hào)助焊劑中的其中一種。

27、本申請(qǐng)還公開了一種封裝半成品，所述封裝半成品用如上所述的芯片的封裝方法進(jìn)行封裝制成，所述封裝半成品封裝完成后，所述芯片和所述基板之間的助焊劑殘留物被清除。

28、本申請(qǐng)的芯片的封裝方法，通過在壓力烤箱內(nèi)進(jìn)行的填充膠填充進(jìn)芯片底部和基板之間的過程中，使填充膠與位于芯片底部的助焊劑殘留物反應(yīng)以形成氣態(tài)的反應(yīng)物，并通過壓力烤箱從芯片的底部排出，因此可以即使不設(shè)置專門的水洗步驟，也可以通過填充膠將芯片底部的助焊劑殘留物清除，而不會(huì)出現(xiàn)殘留的助焊劑受熱氣化導(dǎo)致填充膠內(nèi)部出現(xiàn)氣孔，導(dǎo)致芯片的連接出現(xiàn)不穩(wěn)固的現(xiàn)象引起的良率問題。相較于現(xiàn)有的倒裝工藝流程來說，減少了清洗助焊劑的步驟，從而避免了在芯片的封裝工藝中使用水沖洗，節(jié)省了水資源且降低了生產(chǎn)成本，同時(shí)避免了水沖洗助焊劑殘留物可能會(huì)出現(xiàn)沖洗不干凈的問題，提高了芯片封裝的生產(chǎn)良率。

技術(shù)特征：

1.一種芯片的封裝方法，其特征在于，包括步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，在所述焊接步驟之后，不對(duì)焊接完成的芯片和基板進(jìn)行水洗處理，而直接執(zhí)行填充膠清除助焊劑殘留物的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，所述填充膠清除助焊劑殘留物的步驟包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，在所述填充膠清除助焊劑殘留物的步驟中，填充填充膠時(shí)的環(huán)境溫度低于40攝氏度，高于18攝氏度。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片的封裝方法，其特征在于，在所述減壓步驟中，所述壓力烤箱內(nèi)部抽氣以使得壓力烤箱的腔體內(nèi)的氣壓小于2kgf/cm2，填充膠與助焊劑殘留物反應(yīng)生成的氣態(tài)的反應(yīng)物被排出芯片底部。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片的封裝方法，其特征在于，在所述填充膠清除助焊劑殘留物的步驟中，所述增壓步驟和所述減壓步驟重復(fù)循環(huán)大于一次。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片的封裝方法，其特征在于，在所述增壓步驟中，所述壓力烤箱內(nèi)充入的氣體為純凈氣體，所述純凈氣體為氮?dú)狻?/p>

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片的封裝方法，其特征在于，在所述減壓步驟中，所述壓力烤箱內(nèi)部的環(huán)境溫度為40±2攝氏度，持續(xù)時(shí)間為50±5分鐘；

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，在所述固化步驟中，所述壓力烤箱的環(huán)境溫度在80～160攝氏度之間，所述壓力烤箱的內(nèi)部氣壓在6～8kg之間，烘烤時(shí)間在220～240分鐘之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，還包括步驟：

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，所述填充膠可以是漢高的9100aa號(hào)填充膠或北陸涂料株式會(huì)社的u8410-302號(hào)填充膠中的其中一種；

12.一種封裝半成品，其特征在于，所述封裝半成品用如權(quán)利要求1至11所述的芯片的封裝方法進(jìn)行封裝制成，所述封裝半成品封裝完成后，所述芯片和所述基板之間的助焊劑殘留物被清除。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種芯片的封裝方法和封裝半成品，涉及存儲(chǔ)芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域；本申請(qǐng)的芯片的封裝方法包括步驟：在芯片的錫球上涂抹助焊劑，將芯片倒裝貼片到基板上；芯片和基板在助焊劑的輔助下，在回流焊機(jī)中進(jìn)行焊接，焊接完成的芯片的底部產(chǎn)生助焊劑殘留物；在焊接完成的芯片和基板之間填充填充膠，在壓力烤箱內(nèi)，填充膠與位于芯片底部的助焊劑殘留物反應(yīng)以形成氣態(tài)的反應(yīng)物，生成的氣態(tài)的反應(yīng)物通過壓力烤箱從芯片的底部排出；在壓力烤箱內(nèi)，對(duì)基板和芯片進(jìn)行烘烤以固化填充膠得到烘烤完成的封裝半成品；本申請(qǐng)的芯片的封裝方法，通過填充膠清除助焊劑殘留物步驟，能夠?qū)⑿酒突逯g存在的助焊劑殘留物進(jìn)行清除，提高芯片封裝的生產(chǎn)良率。

技術(shù)研發(fā)人員：馬保峰,胡燕波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市時(shí)創(chuàng)意電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9