本申請的實施例涉及半導體封裝件及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、由于各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度不斷提高，半導體行業(yè)經(jīng)歷了快速增長。在大多數(shù)情況下，集成密度的提高源于最小特征尺寸的迭代減小，這允許將更多的組件集成至給定的區(qū)域中。隨著對收縮型電子器件的需求增長，出現(xiàn)了對半導體管芯的更小和更具創(chuàng)造性的制造技術(shù)的需求。這種封裝系統(tǒng)的一個示例是集成電路上系統(tǒng)(soic)技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、根據(jù)本申請的實施例的一個方面，提供了一種半導體封裝件，包括：封裝組件，包括位于襯底的第一側(cè)上的互連結(jié)構(gòu)；多個金屬焊盤，位于互連結(jié)構(gòu)上；半導體管芯，連接至襯底的第二側(cè)；介電材料，圍繞封裝組件；鈍化層，在封裝組件上方和介電材料上方延伸；第一緩沖層，位于鈍化層上方，其中，第一緩沖層在封裝組件上方和介電材料上方延伸，其中，第一緩沖層的寬度大于封裝組件的寬度，并且小于鈍化層的寬度；以及多個導電連接器，穿過鈍化層和第一緩沖層，以物理地接觸多個金屬焊盤。

2、根據(jù)本申請的實施例的另一個方面，提供了一種半導體封裝件，包括：第一集成電路管芯，包括多個導電焊盤；間隙填充材料，覆蓋第一集成電路管芯的側(cè)壁；第一聚合物層，在第一集成電路管芯和間隙填充材料的頂面上方延伸，其中，第一聚合物層物理地接觸多個導電焊盤，其中，第一聚合物層的側(cè)壁從間隙填充材料的側(cè)壁凹進；以及多個導電部件，延伸穿過第一聚合物層，以物理地接觸多個導電焊盤。

3、根據(jù)本申請的實施例的又一個方面，提供了一種形成半導體封裝件的方法，包括：將半導體管芯連接至封裝組件，其中，封裝組件包括金屬焊盤；用絕緣材料密封封裝組件；在封裝組件和絕緣材料的表面上沉積鈍化層；圖案化鈍化層，以暴露出金屬焊盤；在圖案化的鈍化層上方沉積緩沖層；圖案化緩沖層，以暴露出金屬焊盤，并且暴露出絕緣材料上方的鈍化層的表面，其中，圖案化的緩沖層的部分從金屬焊盤延伸至鈍化層的暴露的表面；以及在金屬焊盤上形成導電連接器。

技術(shù)特征：

1.一種半導體封裝件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第一緩沖層物理地接觸所述多個金屬焊盤。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述介電材料和所述封裝組件的頂面是平面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝件，還包括：第二緩沖層，位于所述第一緩沖層上，其中，所述多個導電連接器穿過所述第二緩沖層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體封裝件，其中，所述第二緩沖層所具有的寬度大于所述第一緩沖層的所述寬度，并且小于所述鈍化層的所述寬度。

6.一種半導體封裝件，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝件，其中，所述第一聚合物層的所述側(cè)壁以小于90°的角度傾斜。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝件，還包括：第二聚合物層，位于所述第一聚合物層上，其中，所述多個導電部件延伸穿過所述第二聚合物層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝件，其中，所述第一聚合物層的所述側(cè)壁的底部邊緣位于所述間隙填充材料上方。

10.一種形成半導體封裝件的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導體封裝件包括：封裝組件，包括位于襯底的第一側(cè)上的互連結(jié)構(gòu)；金屬焊盤，位于互連結(jié)構(gòu)上；半導體管芯，連接至襯底的第二側(cè)；介電材料，圍繞封裝組件；鈍化層，在封裝組件上方和介電材料上方延伸；第一緩沖層，位于鈍化層上方，其中，第一緩沖層在封裝組件上方和介電材料上方延伸，其中，第一緩沖層的寬度大于封裝組件的寬度，并且小于鈍化層的寬度；以及導電連接器，穿過鈍化層和第一緩沖層，以物理地接觸金屬焊盤。本申請的實施例還公開了形成半導體封裝件的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：賴昱嘉,郭庭豪,陳承先,李智圣
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2