本發(fā)明涉及燒結(jié)釹鐵硼材料,具體涉及一種晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體基材及晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體的制備方法。
背景技術(shù):
1、燒結(jié)釹鐵硼永磁材料,以其卓越的磁性能、高磁能積及優(yōu)異的矯頑力和剩磁保持力,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、汽車工業(yè)、磁力傳動(dòng)、醫(yī)療器械及精密儀器等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。它不僅是揚(yáng)聲器、硬盤驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車電機(jī)等高性能產(chǎn)品的核心組件,還推動(dòng)了工業(yè)設(shè)備的綠色化、高效化進(jìn)程。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,燒結(jié)釹鐵硼的應(yīng)用前景將更加廣闊,持續(xù)引領(lǐng)著現(xiàn)代工業(yè)與科技的發(fā)展潮流。
2、最大磁能積(bh)max(電機(jī)將電能轉(zhuǎn)化為動(dòng)能的效率)和內(nèi)稟矯頑力hcj(服役狀態(tài)下的抗退磁能力)一直是衡量釹鐵硼性能的關(guān)鍵指標(biāo),直接決定了其應(yīng)用領(lǐng)域。但是二者存在一定的沖突性,傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝通過(guò)添加大量的(5wt.%)重稀土(鋱、鏑、鈥)等能夠?qū)崿F(xiàn)矯頑力的大幅度增長(zhǎng),但是重稀土與鐵是反鐵磁性耦合,因此制備的釹鐵硼磁能積下降嚴(yán)重。并且重稀土屬于稀缺資源,我國(guó)北方稀土礦中幾乎不含重稀土。價(jià)格十分昂貴(鋱tb-6100元/千克,鏑2100元/千克)。產(chǎn)品成本增加的同時(shí)并不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)高磁能積((bh)max>52mgoe),和高矯頑力(hcj>17koe)。
3、另一方面,新興的重稀土晶界擴(kuò)散技術(shù)已經(jīng)證實(shí)能夠在少量損失磁體剩磁(與磁能積強(qiáng)相關(guān))的情況下提升磁體矯頑力。但是晶界擴(kuò)散嚴(yán)重依賴釹鐵硼的晶界相,而高磁能積磁體的一大特點(diǎn)就是晶界相的缺失,無(wú)法有效進(jìn)行晶界擴(kuò)散
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)不足,本發(fā)明提供一種晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體基材及晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體的制備方法,提供高剩磁釹鐵硼實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)易并且有效的晶界擴(kuò)散工藝。
2、為實(shí)現(xiàn)以上目的,本發(fā)明的技術(shù)方案通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
3、一種晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體基材,所述晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體基材的各成分按照質(zhì)量百分比計(jì)為:29.2%≤nd≤29.6%、0.96%≤b≤0.98%、cu+ga≤0.2%、zr≤0.15%、co≤1%、0≤ti≤0.06%,余量為鐵以及不可避免地雜質(zhì)。
4、晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體制備方法包括以下步驟:
5、s1、制備上述權(quán)利要求1所述的晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體基材:
6、s1-1、按照原料質(zhì)量百分比進(jìn)行備料,后將各原料混合進(jìn)行熔煉速凝,得到基材合金;
7、s1-2、將上述基材合金進(jìn)行氫破碎、氣流磨粉碎,得到合金粉末備用;
8、s1-3、將上述合金粉末進(jìn)行成型壓制,得到生坯備用;
9、s1-4、將上述生坯行真空燒結(jié),得到晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體基材為基磁體;
10、s2、將上述基磁體在硝酸中酸蝕,后取出干燥后將擴(kuò)散劑迅速且均勻的涂敷于基磁體表面,后干燥,得涂敷磁體,且擴(kuò)散劑由tbf3/dyf3、固化劑、乙烯醇縮丁醛組成;
11、s3、將涂敷磁體進(jìn)行兩段低溫?zé)崽幚恚玫骄Ы鐢U(kuò)散釹鐵硼磁體。
12、優(yōu)選的,所述步驟s1-1中熔煉速凝的具體條件為在0.8-0.9mpa的氬氣氛圍中以1470-1490℃溫度進(jìn)行熔煉5-8min,且控制后續(xù)速凝澆筑的溫度為1430-1450℃,并且得到的速凝片平均厚度0.29-0.3mm。
13、優(yōu)選的,所述步驟s1-2中氫破碎為充分吸氫,在無(wú)氧環(huán)境下進(jìn)行,并添加基材合金總質(zhì)量0.15%的潤(rùn)滑劑進(jìn)行;氣流磨粉碎時(shí)轉(zhuǎn)速為4000-4500r/min,最終合金粉末的smd為3.3-3.7μm。
14、優(yōu)選的,所述步驟s1-3中成型壓制為采用取向壓制方法進(jìn)行:控制取向電流大于100a,退磁電流5-7a,成型壓力8mpa,等靜壓力200mpa,且控制壓制過(guò)程中氧含量低于20ppm,壓制時(shí)間為5-10s。
15、優(yōu)選的,所述步驟s1-4中真空燒結(jié)的具體方式為:將生坯放入燒結(jié)爐后氬氣進(jìn)行洗氣2-3次,隨后在真空度低于1×10-3pa下進(jìn)行加熱,首先由常溫加熱至350±50℃保溫30min,再加熱至850±50℃保溫30min,隨后加熱至1070-1080℃保溫3-6h,燒結(jié)完成后通入0.9mpa的氬氣并移除加熱設(shè)備,露出外爐管風(fēng)冷得基磁體。
16、優(yōu)選的,所述步驟s2中采用濃度為2%-5%的硝酸進(jìn)行酸蝕2-5min,且在酸蝕后將基磁體置于乙醇中超聲清洗,后控制空氣濕度低于20%于常溫下干燥。
17、優(yōu)選的,所述步驟s2中固化劑為甲醇、乙醇、乙酸丙酯、異丙醇中的任意一種或多種,擴(kuò)散劑中tbf3/dyf3、固化劑、乙烯醇縮丁醛的質(zhì)量比為60-68∶25-35∶0.8-1.2;且擴(kuò)散劑涂敷的方式為在濕度為10%-20%的環(huán)境中,先采用毛刷印刷涂敷于基磁體的表面,再于80-100℃溫度下干燥20-70min,且涂敷后基磁體相較于原料增重1%-2%。
18、優(yōu)選的,所述步驟s3中兩段低溫?zé)崽幚淼木唧w方式為第一段熱處理溫度為880-950℃,時(shí)間為180-360min,第二段熱處理溫度為500-520℃,時(shí)間為180-240min。
19、優(yōu)選的,所述步驟s3中兩段低溫?zé)崽幚砭谡婵斩鹊陀?0-3pa下進(jìn)行,且熱處理完成后充入氬氣至0.9mpa后降溫。
20、本發(fā)明提供一種晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體基材及晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體的制備方法,與現(xiàn)有技術(shù)相比優(yōu)點(diǎn)在于:
21、本發(fā)明通過(guò)控制元素配比以及制備過(guò)程中的精細(xì)化調(diào)控,能夠解決高剩磁釹鐵硼缺失晶界無(wú)法有效擴(kuò)散的問(wèn)題,使得基材矯頑力大幅增長(zhǎng)并且只損失少量的剩磁。另外,本發(fā)明的晶界擴(kuò)散工藝尤其是涂敷工藝及其簡(jiǎn)便,生產(chǎn)制造成本將大幅降低。
1.一種晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體基材,其特征在于,所述晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體基材的各成分按照質(zhì)量百分比計(jì)為:29.2%≤nd≤29.6%、0.96%≤b≤0.98%、cu+ga≤0.2%、zr≤0.15%、co≤1%、0≤ti≤0.06%,余量為鐵以及不可避免地雜質(zhì)。
2.一種晶界擴(kuò)散釹鐵硼磁體的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于:所述步驟s1-1中熔煉速凝的具體條件為在0.8-0.9mpa的氬氣氛圍中以1470-1490℃溫度進(jìn)行熔煉5-8min,且控制后續(xù)速凝澆筑的溫度為1430-1450℃,并且得到的速凝片平均厚度0.29-0.3mm。
4.據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于:所述步驟s1-2中氫破碎為充分吸氫,在無(wú)氧環(huán)境下進(jìn)行,并添加基材合金總質(zhì)量0.15%的潤(rùn)滑劑;進(jìn)行氣流磨粉碎時(shí)轉(zhuǎn)速為4000-4500r/min,最終合金粉末的smd為3.3-3.7μm。
5.據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于:所述步驟s1-3中成型壓制為采用取向壓制方法進(jìn)行:控制取向電流大于100a,退磁電流5-7a,成型壓力8mpa,等靜壓力200mpa,且控制壓制過(guò)程中氧含量低于20ppm,壓制時(shí)間為5-10s。
6.據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于:所述步驟s1-4中真空燒結(jié)的具體方式為:將生坯放入燒結(jié)爐后氬氣進(jìn)行洗氣2-3次,隨后在真空度低于1×10-3pa下進(jìn)行加熱,首先由常溫加熱至350±50℃保溫30min,再加熱至850±50℃保溫30min,隨后加熱至1070-1080℃保溫3-6h,燒結(jié)完成后通入0.9mpa的氬氣并移除加熱設(shè)備,露出外爐管風(fēng)冷得基磁體。
7.據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于:所述步驟s2中采用濃度為2%-5%的硝酸進(jìn)行酸蝕2-5min,且在酸蝕后將基磁體置于乙醇中超聲清洗,后控制空氣濕度低于20%于常溫下干燥。
8.據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于:所述步驟s2中固化劑為甲醇、乙醇、乙酸丙酯、異丙醇中的任意一種或多種,擴(kuò)散劑中tbf3/dyf3、固化劑、乙烯醇縮丁醛的質(zhì)量比為60-68∶25-35∶0.8-1.2;且擴(kuò)散劑涂敷的方式為在濕度為10%-20%的環(huán)境中,先采用毛刷印刷涂敷于基磁體的表面,再于80-100℃溫度下干燥20-70min,且涂敷后基磁體相較于原料增重1%-2%。
9.據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于:所述步驟s3中兩段低溫?zé)崽幚淼木唧w方式為第一段熱處理溫度為880-950℃,時(shí)間為180-360min,第二段熱處理溫度為500-520℃,時(shí)間為180-240min。
10.據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法,其特征在于:所述步驟s3中兩段低溫?zé)崽幚砭谡婵斩鹊陀?0-3pa下進(jìn)行,且熱處理完成后充入氬氣至0.9mpa后降溫。