本發(fā)明屬于微電子封裝，尤其涉及一種微波組件高頻信號傳輸結(jié)構(gòu)及方法。

背景技術(shù)：

1、在微波組件的裝配過程中，受機加件精度、電路基板尺寸偏差以及裝配偏差等影響，在盒體與電路基板、電路基板之間、電路基板與芯片之間均會存在裝配間隙，而裝配間隙會使高頻信號傳輸?shù)墓驳匦宰儾?，在裝配間隙處出現(xiàn)諧振，影響微波組件性能；

2、目前，在現(xiàn)有技術(shù)中，如中國發(fā)明專利cn113161312b公開了一種芯片和傳輸線間漸變金帶互聯(lián)結(jié)構(gòu)及其裝配方法，通過漸變金帶結(jié)構(gòu)匹配傳輸線和芯片側(cè)的焊盤寬度，有效降低插入損耗，但對于其結(jié)構(gòu)而言，高頻信號在傳輸時會在地不連續(xù)處產(chǎn)生大量電磁泄露，從而引起性能惡化；

3、如中國發(fā)明專利cn110137789b公開了一種直接調(diào)制激光器中的熱隔離高頻信號傳輸結(jié)構(gòu)，使用電容搭接在傳輸線上的方式實現(xiàn)了高頻信號在裝配間隙上方的傳輸，并避免了兩個裝配體間的熱影響，該結(jié)構(gòu)在微波組件中使用時，可能存在受熱應(yīng)力影響導(dǎo)致搭接電容脫落的風險，其中公開了典型的金絲級聯(lián)傳輸結(jié)構(gòu)及電路片搭接傳輸結(jié)構(gòu)，其中金絲級聯(lián)結(jié)構(gòu)無法解決裝配間隙導(dǎo)致的性能惡化，而電路片搭接傳輸結(jié)構(gòu)無法緩解兩個裝配體間熱失配帶來的應(yīng)力；

4、即在現(xiàn)有技術(shù)中，對于微波組件的裝配而言，無法同時解決高頻信號傳輸時裝配間隙及熱應(yīng)力影響的局限性。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于，為克服現(xiàn)有技術(shù)缺陷，提供了一種微波組件高頻信號傳輸結(jié)構(gòu)及方法，通過金網(wǎng)跨接在第一基底和第二基底之間的裝配間隙上，實現(xiàn)了基底之間微波地的連續(xù)，解決了裝配間隙導(dǎo)致的高頻信號諧振問題，同時利用金網(wǎng)上的多孔結(jié)構(gòu)，緩解了第一基底與第二基底之間因熱失配產(chǎn)生的熱應(yīng)力，提升了該傳輸結(jié)構(gòu)的裝配穩(wěn)定性和可靠性。

2、本發(fā)明目的通過下述技術(shù)方案來實現(xiàn)：

3、一種微波組件高頻信號傳輸結(jié)構(gòu)，包括裝配在一起的第一基底和第二基底，第一基底與第二基底之間存在裝配間隙，還包括跨接在所述裝配間隙上的金網(wǎng)，所述金網(wǎng)上具有多個通孔，所述金網(wǎng)分別與所述第一基底以及所述第二基底的上表面鍵合，所述第一基底與所述第二基底的上表面均裝配有與所述金網(wǎng)粘接的微波元件，所述微波元件之間射頻級聯(lián)在一起。

4、在一個實施方式中，所述微波元件通過導(dǎo)電膠與所述金網(wǎng)粘接。

5、在一個實施方式中，所述微波元件之間通過金絲或金帶級聯(lián)在一起。

6、在一個實施方式中，所述通孔為矩形結(jié)構(gòu)，且多個通孔呈陣列分布在所述金網(wǎng)上。

7、在一個實施方式中，所述第一基底為微波組件殼體，所述第二基底為電路基板，所述第二基地通過導(dǎo)電膠粘接在所述第一基底上。

8、本發(fā)明還提供了一種微波組件高頻信號傳輸方法，包括如下步驟：

9、步驟s1、確定金網(wǎng)的尺寸；

10、步驟s2、通過電子電焊或超聲熱壓焊的方式，將金網(wǎng)鍵合在第一基底以及第二基地的上表面，并使金網(wǎng)跨接在第一基底與第二基底的裝配間隙上；

11、步驟s3、在第一基底以及第二基底的上表面點涂導(dǎo)電膠，導(dǎo)電膠覆蓋與微波元件對應(yīng)的粘接區(qū)域；

12、步驟s4、將微波元件設(shè)置在粘接區(qū)域上，并完成導(dǎo)電膠固化；

13、步驟s5、實現(xiàn)微波元件間射頻互聯(lián)。

14、在一個實施方式中，在步驟s1中，確定金網(wǎng)的尺寸，包括：

15、獲取微波傳輸需求、第一基底的材料特性、第二基底的材料特性以及裝配間隙的尺寸，進行電磁場和熱場仿真，確定金網(wǎng)的厚度、其上的通孔尺寸以及通孔之間的間距。

16、在一個實施方式中，在步驟s5中，將微波元件級聯(lián)在一起，包括：

17、采用超聲熱壓焊的方式，將級聯(lián)金線或級聯(lián)金帶鍵合在微波元件的焊盤上。

18、本發(fā)明的有益效果在于：

19、通過將金網(wǎng)跨接在第一基底和第二基底之間的裝配間隙上，實現(xiàn)了基底之間微波地的連續(xù)，解決了因裝配間隙而導(dǎo)致的高頻信號諧振問題，同時利用金網(wǎng)上的多孔結(jié)構(gòu)，緩解了第一基底與第二基底之間因熱失配產(chǎn)生的熱應(yīng)力，提升了該傳輸結(jié)構(gòu)的裝配穩(wěn)定性和可靠性，解決因裝配間隙而影響微波組件性能的問題。

技術(shù)特征：

1.一種微波組件高頻信號傳輸結(jié)構(gòu)，包括裝配在一起的第一基底和第二基底，第一基底與第二基底之間存在裝配間隙，其特征在于，還包括跨接在所述裝配間隙上的金網(wǎng)，所述金網(wǎng)上具有多個通孔，所述金網(wǎng)分別與所述第一基底以及所述第二基底的上表面鍵合，所述第一基底與所述第二基底的上表面均裝配有與所述金網(wǎng)粘接的微波元件，所述微波元件之間射頻級聯(lián)在一起。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微波組件高頻信號傳輸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述微波元件通過導(dǎo)電膠與所述金網(wǎng)粘接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微波組件高頻信號傳輸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述微波元件之間通過金絲或金帶級聯(lián)在一起。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微波組件高頻信號傳輸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔為矩形結(jié)構(gòu)，且多個通孔呈陣列分布在所述金網(wǎng)上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微波組件高頻信號傳輸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一基底為微波組件殼體，所述第二基底為電路基板，所述第二基地通過導(dǎo)電膠粘接在所述第一基底上。

6.一種微波組件高頻信號傳輸方法，其特征在于，包括如下步驟：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種微波組件高頻信號傳輸方法，其特征在于，在步驟s1中，確定金網(wǎng)的尺寸，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種微波組件高頻信號傳輸方法，其特征在于，在步驟s5中，實現(xiàn)微波元件間射頻互聯(lián)，包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種微波組件高頻信號傳輸結(jié)構(gòu)及方法，該傳輸結(jié)構(gòu)包括裝配在一起的第一基底和第二基底，第一基底與第二基底之間存在裝配間隙，還包括跨接在所述裝配間隙上的金網(wǎng)，所述金網(wǎng)上具有多個通孔，所述金網(wǎng)分別與所述第一基底以及所述第二基底的上表面鍵合，所述第一基底與所述第二基底的上表面均裝配有與所述金網(wǎng)粘接的微波元件，所述微波元件之間射頻級聯(lián)在一起。本發(fā)明解決了裝配間隙導(dǎo)致的高頻信號諧振問題，同時利用金網(wǎng)上的多孔結(jié)構(gòu)，緩解了第一基底與第二基底之間因熱失配產(chǎn)生的熱應(yīng)力，提升了該傳輸結(jié)構(gòu)的裝配穩(wěn)定性和可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：朱晨俊,伍藝龍,文澤海,張平升,易雙秦,李亞茹,陳春梅,董東,蘆濱雁,常文涵,趙明,張家明,彭頤豫,劉道林,文俊凌
受保護的技術(shù)使用者：中國電子科技集團公司第二十九研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9