本公開涉及攝像裝置。

背景技術(shù)：

1、在數(shù)字相機(jī)等中廣泛使用ccd(電荷耦合器件：charge?coupled?device)影像傳感器以及cmos(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體：complementary?metal?oxide?semiconductor)影像傳感器。這些影像傳感器具有形成于半導(dǎo)體基板的光電二極管。

2、另一方面，例如，如國(guó)際公布第2012/147302號(hào)所公開，提出了具有將具有光電轉(zhuǎn)換層的光電轉(zhuǎn)換部配置于半導(dǎo)體基板的上方的構(gòu)造的攝像裝置。具有這樣的構(gòu)造的攝像裝置有時(shí)被稱作層疊型的攝像裝置。在層疊型的攝像裝置中，通過光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電荷向設(shè)置于半導(dǎo)體基板的電荷積蓄區(qū)域積蓄。與電荷積蓄區(qū)域中積蓄的電荷量對(duì)應(yīng)的信號(hào)經(jīng)由形成于半導(dǎo)體基板的ccd電路或者cmos電路而讀出。

3、在具有設(shè)置于半導(dǎo)體基板的電荷積蓄區(qū)域的攝像裝置中，由于從電荷積蓄區(qū)域流出或者流向電荷積蓄區(qū)域的漏電流即暗電流，得到的圖像有可能發(fā)生劣化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的一方式的攝像裝置具備：光電轉(zhuǎn)換部，將光轉(zhuǎn)換為信號(hào)電荷；第1導(dǎo)電型的第1擴(kuò)散區(qū)域，被輸入所述信號(hào)電荷；所述第1導(dǎo)電型的第2擴(kuò)散區(qū)域；第1插塞，具有與所述第1擴(kuò)散區(qū)域相接的第1面；以及第2插塞，具有與所述第2擴(kuò)散區(qū)域相接的第2面，在平面視時(shí)，所述第1插塞的所述第1面的面積小于所述第2插塞的所述第2面的面積。

2、本公開的一方式的攝像裝置具備：光電轉(zhuǎn)換部，將光轉(zhuǎn)換為信號(hào)電荷；第1導(dǎo)電型的第1擴(kuò)散區(qū)域，被輸入所述信號(hào)電荷；所述第1導(dǎo)電型的第2擴(kuò)散區(qū)域；第1插塞，與所述第1擴(kuò)散區(qū)域相接；以及第2插塞，與所述第2擴(kuò)散區(qū)域相接，所述第1插塞包含：第1觸頭，與所述第1擴(kuò)散區(qū)域相接；以及第1焊盤，位于所述第1觸頭上，所述第2插塞包含：第2觸頭，與所述第2擴(kuò)散區(qū)域相接；以及第2焊盤，位于所述第2觸頭上，在平面視時(shí)，所述第1觸頭的面積小于所述第2觸頭的面積。

3、本公開的一方式的攝像裝置具備包含第1導(dǎo)電型的第1擴(kuò)散區(qū)域以及所述第1導(dǎo)電型的第2擴(kuò)散區(qū)域的半導(dǎo)體基板，與所述第1擴(kuò)散區(qū)域相接、并包含半導(dǎo)體的第1插塞(plug)，與所述第2擴(kuò)散區(qū)域相接、并包含半導(dǎo)體的第2插塞，以及與所述第1插塞電連接的光電轉(zhuǎn)換部。在從與所述半導(dǎo)體基板垂直的方向觀察時(shí)，所述第2插塞的面積大于所述第1插塞的面積。

4、此外，概括性的或者具體的方式也可以通過元件、設(shè)備、模塊、系統(tǒng)或者方法實(shí)現(xiàn)。此外，概括性的或者具體的方式也可以由元件、設(shè)備、模塊、系統(tǒng)以及方法的任意組合實(shí)現(xiàn)。

5、此外，公開的實(shí)施方式的追加效果以及優(yōu)點(diǎn)根據(jù)說明書以及附圖而清楚。效果以及/或者優(yōu)點(diǎn)由說明書以及附圖中公開的各種實(shí)施方式或者特征分別提供，不需要全部來獲得效果以及/或者優(yōu)點(diǎn)的一個(gè)以上。

技術(shù)特征：

1.一種攝像裝置，具備：

2.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，還具備：

3.如權(quán)利要求2所述的攝像裝置，

4.如權(quán)利要求2或3所述的攝像裝置，

5.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，

6.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，

7.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，

8.一種攝像裝置，具備：

9.如權(quán)利要求8所述的攝像裝置，

10.如權(quán)利要求8或9所述的攝像裝置，還具備：

11.如權(quán)利要求10所述的攝像裝置，

技術(shù)總結(jié)
本公開的一方式的攝像裝置具備：光電轉(zhuǎn)換部，將光轉(zhuǎn)換為信號(hào)電荷；第1導(dǎo)電型的第1擴(kuò)散區(qū)域，被輸入所述信號(hào)電荷；所述第1導(dǎo)電型的第2擴(kuò)散區(qū)域；第1插塞，具有與所述第1擴(kuò)散區(qū)域相接的第1面；以及第2插塞，具有與所述第2擴(kuò)散區(qū)域相接的第2面，在平面視時(shí)，所述第1插塞的所述第1面的面積小于所述第2插塞的所述第2面的面積。

技術(shù)研發(fā)人員：佐藤好弘,高見義則,境田良太
受保護(hù)的技術(shù)使用者：松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23