本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及集成電路封裝件及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、由于各種電子元件(例如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度不斷提高，半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)。在大多數(shù)情況下，集成密度的提高是由于最小部件尺寸的迭代減小，這使得更多的組件可以集成到給定的區(qū)域中。隨著對(duì)縮小電子器件需求的增長(zhǎng)，也出現(xiàn)了對(duì)更小、更具創(chuàng)意的半導(dǎo)體管芯封裝技術(shù)的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本申請(qǐng)的實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種集成電路封裝件，包括：第一管芯，其中，第一管芯包括第一襯底和延伸穿過第一襯底的第一通孔；第一間隙填充層，沿著第一襯底的側(cè)壁；隔離層，位于第一襯底的表面和第一間隙填充層的表面上，其中，隔離層與第一襯底的側(cè)壁和第一間隙填充層的側(cè)壁之間的界面重疊，并且其中隔離層在第一通孔的側(cè)壁上延伸；第一接合層，位于隔離層上；以及第一接合焊盤，位于第一接合層中。

2、根據(jù)本申請(qǐng)的實(shí)施例的另一個(gè)方面，提供了一種集成電路封裝件，包括：第一管芯，其中，第一管芯包括第一襯底和從第一襯底的頂面突出的第一通孔；第一間隙填充層，圍繞第一管芯，其中，第一間隙填充層的熱膨脹系數(shù)不同于第一襯底的熱膨脹系數(shù)；隔離層，與第一襯底的頂面和第一間隙填充層的頂面接觸，其中，隔離層與第一襯底和第一間隙填充層之間的界面重疊，并且其中，第一通孔延伸穿過隔離層；第一接合層，位于隔離層上；第一接合焊盤，位于第一接合層中；以及第二管芯，其中，第二管芯包括第二接合層和位于第二接合層中的第二接合焊盤，其中，第二接合層接合至第一接合層，并且其中，第二接合焊盤接合至第一接合焊盤。

3、根據(jù)本申請(qǐng)的實(shí)施例的又一個(gè)方面，提供了一種形成集成電路封裝件的方法，方法包括：將第一管芯附接至載體，其中，第一管芯包括第一襯底和位于第一襯底中的第一通孔；在第一管芯的側(cè)壁上形成第一間隙填充層，其中，第一間隙填充層包括介電材料；去除第一間隙填充層的部分和第一襯底的部分，以暴露第一通孔；在第一襯底和第一間隙填充層上形成隔離層，其中，隔離層與第一襯底和第一間隙填充層之間的界面重疊，并且其中，第一通孔延伸到隔離層中；在隔離層上方形成第一接合層；以及在第一接合層中形成第一接合焊盤，其中，第一接合焊盤與第一通孔接觸。

技術(shù)特征：

1.一種集成電路封裝件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝件，其中，所述第一接合焊盤直接位于所述第一間隙填充層上方，并且其中，所述第一接合焊盤通過所述隔離層與所述第一間隙填充層隔開。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝件，其中，所述第一接合焊盤與所述隔離層接觸，并且其中，所述第一接合焊盤與電路系統(tǒng)電隔離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝件，還包括位于所述第一接合層中的第二接合焊盤，其中，所述第二接合焊盤與所述第一通孔接觸，并且其中，所述第二接合焊盤電耦合到電路系統(tǒng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝件，還包括位于所述第一接合層和所述隔離層之間的蝕刻停止層，其中，所述第一接合焊盤延伸穿過所述蝕刻停止層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝件，還包括接合到所述第一接合層和所述第一接合焊盤的第二管芯，其中，所述第二管芯與所述第一襯底的側(cè)壁和所述第一間隙填充層的側(cè)壁之間的界面重疊。

7.一種集成電路封裝件，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路封裝件，其中，所述第一接合焊盤通過所述隔離層與所述第一間隙填充層隔開，并且其中，所述第一接合焊盤是偽接合焊盤。

9.一種形成集成電路封裝件的方法，所述方法包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成所述隔離層包括在所述第一襯底和所述第一間隙填充層上形成第一隔離子層，并在所述第一隔離子層上形成第二隔離子層，并且其中，所述第一隔離子層和所述第二隔離子層包括不同的材料。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種集成電路封裝件及其形成方法。集成電路封裝件可以包括具有第一襯底和延伸穿過第一襯底的第一通孔的第一管芯、沿著第一襯底的側(cè)壁的第一間隙填充層、第一襯底的表面和第一間隙填充層的表面上的隔離層、隔離層上的第一接合層以及第一接合層中的第一接合焊盤。隔離層可以與第一襯底的側(cè)壁和第一間隙填充層的側(cè)壁之間的界面重疊，并且可以在第一通孔的側(cè)壁上延伸。

技術(shù)研發(fā)人員：陳怡秀,蔡嘉芳,廖明筠,江俞謙
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9