本發(fā)明涉及顯示產(chǎn)品制作，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、顯示基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、硅基半導(dǎo)體具有～1000cm2/v·s的高遷移率，但制造需要上千攝氏度的高溫，遠(yuǎn)超玻璃基板的應(yīng)變點(diǎn)，并且無法大尺寸化，因此一直無法應(yīng)用在玻璃基顯示。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、顯示基板和顯示裝置，解決將單晶硅膜轉(zhuǎn)移至玻璃基底上，由于氫爆產(chǎn)生的缺陷問題。

2、為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明實(shí)施例采用的技術(shù)方案是：一種半導(dǎo)體器件，包括玻璃基板，疊置于所述玻璃基板上的有源層、柵極絕緣層、柵極層間絕緣層和源漏極層，所述柵極絕緣層被配置為在注氧層上沉積柵極金屬層后通過構(gòu)圖工藝形成，所述注氧層被配置為在硅片基底上依次進(jìn)行離子注入、氫爆、干刻工藝形成；

3、所述柵極絕緣層在所述玻璃基板上的正投影與所述有源層在所述玻璃基板上的正投影完全重合。

4、可選的，所述有源層的表面的粗糙度ra＜2um。

5、可選的，所述有源層、柵極絕緣層和柵極，被配置為通過一次構(gòu)圖工藝形成。

6、本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板，包括上述的半導(dǎo)體器件，還包括形成于所述源漏極層上的平坦層，形成于所述平坦層上的電極層，以及與所述電極層鍵合的發(fā)光器件。

7、本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板，包括上述的半導(dǎo)體器件，還包括形成于所述源漏極層上的平坦層，以及依次層疊設(shè)置于所述平坦層上的第一電極層、像素定義層、發(fā)光層、第二電極層和封裝結(jié)構(gòu)層。

8、可選的，還包括設(shè)置于所述封裝結(jié)構(gòu)層遠(yuǎn)離所述平坦層的一側(cè)的觸控結(jié)構(gòu)層。

9、可選的，還包括設(shè)置于所述觸控結(jié)構(gòu)層遠(yuǎn)離所述封裝結(jié)構(gòu)層的一側(cè)的彩色濾光結(jié)構(gòu)層，所述彩色濾光結(jié)構(gòu)層包括黑矩陣和彩色濾光層。

10、本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板，包括上述的半導(dǎo)體器件，還包括形成于所述源漏極層上的平坦層，以及依次疊層設(shè)置于所述平坦層上的第三電極層、鈍化層和第四電極層。

11、本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示基板。

12、一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括以下步驟：

13、提供一硅片基底；

14、在所述硅片基底上通過熱氧化方式生長一層氧化硅層；

15、通過離子注入工藝在所述硅片基底內(nèi)注入氧離子，形成注氧層；

16、通過離子注入工藝在所述硅片基底內(nèi)注入氫離子，形成注氫層，所述注氫層位于所述注氧層遠(yuǎn)離所述氧化硅層的一側(cè)，形成預(yù)制硅層；

17、將所述預(yù)制硅層轉(zhuǎn)移至一玻璃基板上，其中，所述氧化硅層與所述玻璃基板鍵合在一起；

18、通過退火工藝，將所述硅片基底位于所述注氫層遠(yuǎn)離所述注氧層的一側(cè)的部分分離；

19、通過干刻工藝去除所述預(yù)制硅層位于所述注氧層遠(yuǎn)離所述玻璃基板的部分；

20、在所述注氧層上沉積柵極金屬層；

21、通過構(gòu)圖工藝，在所述氧化硅層上形成疊層設(shè)置的有源層、柵極絕緣層和柵極；

22、在所述柵極上形成層間絕緣層；

23、形成源漏極層。

24、可選的，通過一次構(gòu)圖工藝，對(duì)所述硅片基底位于所述氧化硅層和所述注氧層之間的部分、所述注氧層和所述柵極金屬層進(jìn)行圖案化處理，形成疊層設(shè)置的所述有源層、所述柵極絕緣層和所述柵極。

25、可選的，所述氧化硅層的厚度為10～60nm。

26、可選的，通過離子注入工藝在所述硅片基底內(nèi)注入氧離子，形成注氧層的步驟中，注入氧離子的深度為40～160nm，形成的所述注氧層的厚度為50～200nm。

27、可選的，通過離子注入工藝在所述硅片基底內(nèi)注入氫離子，形成注氫層的步驟中，注入氫離子的深度60～500nm。

28、本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件中的柵極絕緣層被配置為在注氧層上沉積柵極金屬層后通過構(gòu)圖工藝形成，所述注氧層被配置為在硅片基底上依次進(jìn)行離子注入、氫爆、干刻工藝形成。即在半導(dǎo)體器件的制作方法中，增加了注入氧離子形成注氧層的步驟，注氫層位于所述注氧層遠(yuǎn)離所述氧化硅層的一側(cè)，這樣在將預(yù)制硅層轉(zhuǎn)移至玻璃基板上后，進(jìn)行退火分離的步驟中，所述注氧層起到阻擋的作用，即位于所述注氧層和所述氧化硅層之間的部分是后續(xù)工藝中用于形成有源層的部分，而這部分被所述注氧層隔離阻擋，不受注氫層氫爆的影響，提升半導(dǎo)體器件的性能，且采用本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件的制作方法，無需再采用cmp工藝來去除氫爆缺陷層，打破無法制成大尺寸半導(dǎo)體器件的限制。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括玻璃基板，疊置于所述玻璃基板上的有源層、柵極絕緣層、柵極層間絕緣層和源漏極層，所述柵極絕緣層被配置為在注氧層上沉積柵極金屬層后通過構(gòu)圖工藝形成，所述注氧層被配置為在硅片基底上依次進(jìn)行離子注入、氫爆、干刻工藝形成；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述有源層的表面的粗糙度ra＜2um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述有源層、柵極絕緣層和柵極，被配置為通過一次構(gòu)圖工藝形成。

4.一種顯示基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成于所述源漏極層上的平坦層，形成于所述平坦層上的電極層，以及與所述電極層鍵合的發(fā)光器件。

5.一種顯示基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成于所述源漏極層上的平坦層，以及依次層疊設(shè)置于所述平坦層上的第一電極層、像素定義層、發(fā)光層、第二電極層和封裝結(jié)構(gòu)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板，其特征在于，還包括設(shè)置于所述封裝結(jié)構(gòu)層遠(yuǎn)離所述平坦層的一側(cè)的觸控結(jié)構(gòu)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示基板，其特征在于，還包括設(shè)置于所述觸控結(jié)構(gòu)層遠(yuǎn)離所述封裝結(jié)構(gòu)層的一側(cè)的彩色濾光結(jié)構(gòu)層，所述彩色濾光結(jié)構(gòu)層包括黑矩陣和彩色濾光層。

8.一種顯示基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成于所述源漏極層上的平坦層，以及依次疊層設(shè)置于所述平坦層上的第三電極層、鈍化層和第四電極層。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求4-8任一項(xiàng)所述的顯示基板。

10.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，用于制作權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括以下步驟：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，通過一次構(gòu)圖工藝，對(duì)所述硅片基底位于所述氧化硅層和所述注氧層之間的部分、所述注氧層和所述柵極金屬層進(jìn)行圖案化處理，形成疊層設(shè)置的所述有源層、所述柵極絕緣層和所述柵極。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述氧化硅層的厚度為10～60nm。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，通過離子注入工藝在所述硅片基底內(nèi)注入氧離子，形成注氧層的步驟中，注入氧離子的深度為40～160nm，形成的所述注氧層的厚度為50～200nm。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，通過離子注入工藝在所述硅片基底內(nèi)注入氫離子，形成注氫層的步驟中，注入氫離子的深度60～500nm。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、顯示基板和顯示裝置，其中所述半導(dǎo)體器件包括玻璃基板，疊置于所述玻璃基板上的有源層、柵極絕緣層、柵極層間絕緣層和源漏極層，所述柵極絕緣層被配置為在注氧層上沉積柵極金屬層后通過構(gòu)圖工藝形成，所述注氧層被配置為在硅片基底上依次進(jìn)行離子注入、氫爆、干刻工藝形成；所述柵極絕緣層在所述玻璃基板上的正投影與所述有源層在所述玻璃基板上的正投影完全重合。

技術(shù)研發(fā)人員：舒適,黎午升,岳陽,于勇,姚琪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26