本發(fā)明涉及光伏，尤其涉及一種背接觸電池的制造方法。

背景技術(shù)：

1、太陽(yáng)能電池正是一種能夠?qū)⑸鲜鎏?yáng)的光能轉(zhuǎn)化為電能的裝置。具體的，在太陽(yáng)能電池處于工作狀態(tài)下，太陽(yáng)光照在太陽(yáng)能電池的半導(dǎo)體p-n結(jié)上，形成新的空穴-電子對(duì)，在p-n結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，光生空穴流向p區(qū)，光生電子流向n區(qū)，接通電路后就能夠產(chǎn)生電流。其中，正電極和負(fù)電極都處于電池的背面的太陽(yáng)能電池為背接觸電池。與雙面接觸太陽(yáng)能電池相比，該背接觸電池的正面沒(méi)有金屬電極的遮擋，使得背接觸電池的向光面一側(cè)具有更高的光線利用率，因此背接觸電池具有更高的短路電流和光電轉(zhuǎn)換效率，是目前實(shí)現(xiàn)高效晶體硅電池的技術(shù)方向之一。

2、但是，現(xiàn)有的背接觸電池的制造工藝較為復(fù)雜，不利于提升背接觸電池的制造效率，降低制造成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種背接觸電池的制造方法，可以提高背接觸電池的制造效率，且降低制造成本，并且利于提高背接觸電池的轉(zhuǎn)換效率。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種背接觸電池的制造方法，該背接觸電池的制造方法包括：首先，提供一半導(dǎo)體基底。半導(dǎo)體基底具有相對(duì)的第一面和第二面。接下來(lái)，沿半導(dǎo)體基底的厚度方向，在半導(dǎo)體基底的第一面上依次形成層疊的第一界面鈍化層和第一摻雜硅層。接下來(lái)，在第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底一側(cè)的部分區(qū)域上形成絕緣掩膜圖案。接下來(lái)，去除未被絕緣掩膜圖案覆蓋的第一界面鈍化層和第一摻雜硅層。接下來(lái)，對(duì)第一面暴露在絕緣掩膜圖案之外的區(qū)域和第二面進(jìn)行制絨處理。接下來(lái)，在半導(dǎo)體基底的第二面上形成第一鈍化層。接下來(lái)，沿半導(dǎo)體基底的厚度方向，在第一面上依次形成層疊的第二界面鈍化層和第二摻雜硅層。第二摻雜硅層和第一摻雜硅層的導(dǎo)電類型相反。接下來(lái)，去除位于第一界面鈍化層和第一摻雜硅層上的部分第二界面鈍化層和第二摻雜硅層，以露出部分第一界面鈍化層和第一摻雜硅層。

3、采用上述技術(shù)方案的情況下，層疊的第一界面鈍化層和第一摻雜硅層、以及層疊的第二界面鈍化層和第二摻雜硅層可以分別構(gòu)成鈍化接觸結(jié)構(gòu)，該鈍化接觸結(jié)構(gòu)具有優(yōu)異的界面鈍化效果，且能夠?qū)崿F(xiàn)載流子的選擇性收集，降低半導(dǎo)體基底第一面的載流子復(fù)合速率，提高背接觸電池的轉(zhuǎn)換效率。另外，去除未被絕緣掩膜圖案覆蓋的第一界面鈍化層和第一摻雜硅層后，第一面中未形成有第一界面鈍化層和第一摻雜硅層的區(qū)域也暴露在外。此時(shí)，可以對(duì)第一面暴露在絕緣掩膜圖案之外的區(qū)域和第二面同時(shí)進(jìn)行制絨處理，提高第二面的陷光效果的同時(shí)，第二摻雜硅層形成在第一面暴露在絕緣掩膜圖案之外的區(qū)域上的部分受到絨面的影響也具有大致相同的起伏形貌，增大了第二摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底一側(cè)的比表面積，故還利于增大第二摻雜硅層與導(dǎo)電材料(如透明導(dǎo)電層或電極等)之間的接觸面積，降低傳輸損耗，進(jìn)一步提高背接觸電池的轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)由于可以對(duì)第一面暴露在絕緣掩膜圖案之外的區(qū)域和第二面同時(shí)進(jìn)行制絨處理，因此還能夠提高背接觸電池的制造效率。并且，第二界面鈍化層和第二摻雜硅層還沿半導(dǎo)體基底的厚度方向覆蓋在部分第一界面鈍化層和第一摻雜硅層上，可以減少對(duì)第二界面鈍化層和第二摻雜硅層的刻蝕量，提高刻蝕產(chǎn)能。同時(shí)，第一界面鈍化層和第一摻雜硅層的邊緣覆蓋有第二界面鈍化層和第二摻雜硅層，可以防止刻蝕劑對(duì)第一界面鈍化層和第一摻雜硅層的邊緣部分造成影響，提高第一界面鈍化層和第一摻雜硅層的邊緣部分對(duì)載流子的收集效率。另外，第一界面鈍化層、第一摻雜硅層與第二界面鈍化層、第二摻雜硅層之間未設(shè)置隔離槽，因此第一界面鈍化層、第一摻雜硅層與半導(dǎo)體基底的接觸面積、以及第二界面鈍化層、第二摻雜硅層與半導(dǎo)體基底的接觸面積可以實(shí)現(xiàn)最大化，因而可以提高對(duì)半導(dǎo)體基底的利用率，進(jìn)而可以提高光電轉(zhuǎn)換效率。

4、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述對(duì)第一面暴露在絕緣掩膜圖案之外的區(qū)域和第二面進(jìn)行制絨處理，包括：對(duì)第一面暴露在絕緣掩膜圖案之外的區(qū)域和第二面進(jìn)行制絨處理的同時(shí)，去除絕緣掩膜圖案?；蛘?，上述對(duì)第一面暴露在絕緣掩膜圖案之外的區(qū)域和第二面進(jìn)行制絨處理，包括：對(duì)第一面暴露在絕緣掩膜圖案之外的區(qū)域和第二面進(jìn)行制絨處理；制絨處理后保留絕緣掩膜圖案。

5、采用上述技術(shù)方案的情況下，在去除未被絕緣掩膜圖案覆蓋的第一界面鈍化層和第一摻雜硅層后，絕緣掩膜圖案、半導(dǎo)體基底的第一面中暴露在絕緣掩膜圖案之外的區(qū)域和第二面均裸露在外。基于此，在進(jìn)行上述制絨處理時(shí)，制絨液不僅會(huì)與半導(dǎo)體基底的第一面中暴露在絕緣掩膜圖案之外的區(qū)域和第二面接觸，還會(huì)與絕緣掩膜圖案接觸。此時(shí)，本發(fā)明提供的制造方法中，絕緣掩膜圖案可以在進(jìn)行上述制絨處理時(shí)同時(shí)被去除，也可以是在制絨后被去除，還可以在經(jīng)制絨處理后得以保留，可見(jiàn)制絨處理后，是否保留有絕緣掩膜圖案具有兩種可選實(shí)例，利于降低對(duì)絕緣掩膜圖案的材料限制，同時(shí)還利于提高本發(fā)明提供的制造方法在不同應(yīng)用場(chǎng)景下的適用性。其中，當(dāng)絕緣掩膜圖案保留時(shí)，有利于將第一摻雜硅層和與自身導(dǎo)電類型相反的第二摻雜硅層間隔開(kāi)，防止漏電，降低背接觸電池的正向漏電損耗。而去除絕緣掩膜圖案的情況下，第一摻雜硅層和與自身導(dǎo)電類型相反的第二摻雜硅層之間可以形成具有較高反向擊穿電壓的二極管結(jié)構(gòu)，降低背接觸電池在沙塵等遮擋物較多的安裝環(huán)境下的熱斑風(fēng)險(xiǎn)。

6、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述在半導(dǎo)體基底的第一面上依次形成層疊的第一界面鈍化層和第一摻雜硅層包括：在半導(dǎo)體基底的第一面上依次形成層疊的第一界面鈍化層和第一摻雜硅層的同時(shí)，在第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底的一側(cè)形成第一摻雜硅玻璃層；且在第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底一側(cè)的部分區(qū)域上形成絕緣掩膜圖案包括：對(duì)第一摻雜硅玻璃層進(jìn)行圖案化處理，以形成絕緣掩膜圖案。在此情況下，上述第一摻雜硅玻璃層可以在形成第一摻雜硅層的同時(shí)形成，無(wú)須為了形成絕緣掩膜圖案而額外采用沉積工藝形成相應(yīng)的絕緣掩膜圖案，利于簡(jiǎn)化背接觸電池的制造流程，提高背接觸電池的制造效率。

7、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，在半導(dǎo)體基底的第一面上依次形成層疊的第一界面鈍化層和第一摻雜硅層包括：在半導(dǎo)體基底的第一面上依次形成層疊的第一界面鈍化層和第一摻雜硅層的同時(shí)，在第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底的一側(cè)形成第一摻雜硅玻璃層；且在第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底一側(cè)的部分區(qū)域上形成絕緣掩膜圖案包括：在第一摻雜硅玻璃層背離半導(dǎo)體基底的一側(cè)形成絕緣層；并對(duì)第一摻雜硅玻璃層和絕緣層進(jìn)行圖案化處理，以形成絕緣掩膜圖案。

8、采用上述技術(shù)方案的情況下，與單層結(jié)構(gòu)的絕緣掩膜圖案相比，該情況下絕緣掩膜圖案不僅包括經(jīng)圖案化處理后的第一摻雜硅玻璃層，還包括經(jīng)圖案化處理后的絕緣層，利于提高絕緣掩膜圖案的保護(hù)作用。其次，若在制絨處理后保留了絕緣掩膜圖案，則包括第一摻雜硅玻璃層和絕緣層的絕緣掩膜圖案還具有較高的絕緣隔離效果，可以進(jìn)一步降低第二摻雜硅層和第一摻雜硅層中沿半導(dǎo)體基底的厚度方向交疊部分的漏電風(fēng)險(xiǎn)，進(jìn)一步提高背接觸電池的轉(zhuǎn)換效率。

9、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，在半導(dǎo)體基底的第一面上依次形成層疊的第一界面鈍化層和第一摻雜硅層包括：在半導(dǎo)體基底的第一面上依次形成層疊的第一界面鈍化層和第一摻雜硅層的同時(shí)，在第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底的一側(cè)形成第一摻雜硅玻璃層；且在第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底一側(cè)的部分區(qū)域上形成絕緣掩膜圖案包括：去除第一摻雜硅玻璃層；在第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底的一側(cè)形成絕緣層；并對(duì)絕緣層進(jìn)行圖案化處理，以形成絕緣掩膜圖案。

10、采用上述技術(shù)方案的情況下，絕緣掩膜圖案可以直接形成在第一摻雜硅玻璃層背離半導(dǎo)體基底的一側(cè)。因制造絕緣掩膜圖案的絕緣材料(如氧化硅、氧化鋁或氮化硅等)可能具有鈍化作用，不僅能夠起到掩膜保護(hù)以及絕緣作用，還能夠?qū)Φ谝粨诫s硅層背離半導(dǎo)體基底的一側(cè)直接進(jìn)行鈍化處理，利于降低第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底一側(cè)的表面缺陷，進(jìn)一步提高背接觸電池的轉(zhuǎn)換效率。

11、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，在半導(dǎo)體基底的第二面上形成第一鈍化層，包括：在半導(dǎo)體基底的第二面上形成第一鈍化層的同時(shí)，在半導(dǎo)體基底的第一面上形成第一鈍化層。接下來(lái)，對(duì)第一鈍化層進(jìn)行退火處理。接下來(lái)，去除位于半導(dǎo)體基底的第一面上的第一鈍化層。

12、采用上述技術(shù)方案的情況下，在半導(dǎo)體基底的第二面上形成第一鈍化層的同時(shí)，在第一面上形成第一鈍化層。第一面上的第一鈍化層的存在可以在退火處理時(shí)，對(duì)第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底的一側(cè)進(jìn)行鈍化處理，降低第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底一側(cè)的表面缺陷的同時(shí)，還可以防止因?qū)⒔^緣掩膜圖案去除后第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底一側(cè)在退火處理時(shí)裸露在外而出現(xiàn)氫逸出影響自身鈍化效果等問(wèn)題的發(fā)生，確保背接觸電池具有較高的轉(zhuǎn)換效率。

13、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述第一鈍化層包括本征硅鈍化層。在此情況下，本征硅鈍化層中具有較高的氫含量，可以使得第一鈍化層對(duì)半導(dǎo)體基底的第二面具有較高的鈍化效果，進(jìn)一步提高所制造的背接觸電池的轉(zhuǎn)換效率。在退火處理時(shí)，第一鈍化層可以對(duì)第一摻雜硅層進(jìn)行氫注入，即補(bǔ)氫，這樣可以提高第一摻雜硅層的鈍化效果。

14、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，在第一面上依次形成層疊的第二界面鈍化層和第二摻雜硅層后，去除位于第一界面鈍化層和第一摻雜硅層上的部分第二界面鈍化層和第二摻雜硅層前，背接觸電池的方法還包括：在第一鈍化層背離半導(dǎo)體基底的一側(cè)形成減反射層。在此情況下，以降低所制造的背接觸電池在第二面一側(cè)的反射率，進(jìn)一步提高背接觸電池的轉(zhuǎn)換效率。

15、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，在第一面暴露在絕緣掩膜圖案之外的區(qū)域和第二面進(jìn)行制絨處理后，并在半導(dǎo)體基底的第二面上形成第一鈍化層前，在第一面上依次形成層疊的第二界面鈍化層和第二摻雜硅層。

16、采用上述技術(shù)方案的情況下，層疊的第二界面鈍化層和第二摻雜硅層的形成順序不僅可以設(shè)置在至少形成第一鈍化層之后，還可以設(shè)置在制絨處理后、以及在至少形成第一鈍化層前，為本發(fā)明提供的制造方法增加了另一種可選實(shí)例，利于提高本發(fā)明提供的制造方法在不同應(yīng)用場(chǎng)景下的適用性。同時(shí)，在半導(dǎo)體基底的第二面上形成第一鈍化層時(shí)，第一鈍化層可能會(huì)繞鍍?cè)诎雽?dǎo)體基底的側(cè)面，以及第一面的至少部分區(qū)域上?；诖?，當(dāng)層疊的第二界面鈍化層和第二摻雜硅層的形成順序設(shè)置在制絨處理后、以及在至少形成第一鈍化層前時(shí)，不再需要在形成層疊的第二界面鈍化層和第二摻雜硅層之前，至少對(duì)第一鈍化層繞鍍至第一面一側(cè)的部分進(jìn)行去除，從而可以減少工藝步驟。可以根據(jù)實(shí)際需求確定在至少形成第一鈍化層后，決定是否去除繞鍍?cè)诘谝幻嬉粋?cè)的第一鈍化層，減少制造要求。并且，該情況下，可以先將第一面一側(cè)的相應(yīng)結(jié)構(gòu)制作完，再做第二面一側(cè)的相應(yīng)膜層(第一鈍化層和減反射層)，減少翻面次數(shù)，降低損傷風(fēng)險(xiǎn)。

17、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述第一鈍化層包括第二摻雜硅玻璃層，且第二摻雜硅玻璃層內(nèi)的摻雜劑的導(dǎo)電類型和第一摻雜硅層的導(dǎo)電類型相同。

18、采用上述技術(shù)方案的情況下，與本征硅鈍化層相比，第二摻雜硅玻璃層具有較高的透光特性，因此與第一鈍化層包括本征硅鈍化層相比，當(dāng)?shù)谝烩g化層包括第二摻雜硅玻璃層時(shí)，可以降低第一鈍化層的寄生吸收，利于提高背接觸電池對(duì)光線的利用率。另外，上述第二摻雜硅玻璃層內(nèi)還摻雜有與第一摻雜硅層導(dǎo)電類型相同的摻雜劑，使得第一鈍化層不僅能夠?qū)Π雽?dǎo)體基底的第二面一側(cè)進(jìn)行化學(xué)鈍化，還能夠?qū)Π雽?dǎo)體基底的第二面一側(cè)進(jìn)行場(chǎng)鈍化，降低第二面一側(cè)的載流子復(fù)合速率的同時(shí)，還利于提高第一摻雜硅層和第二摻雜硅層的載流子收集效率。相對(duì)于需要單獨(dú)沉積而言，第二摻雜硅玻璃層可以通過(guò)擴(kuò)散工藝形成，簡(jiǎn)化了第一鈍化層的制作難度。

19、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，在半導(dǎo)體基底的第二面上形成第一鈍化層，包括：在半導(dǎo)體基底的第二面上形成沿半導(dǎo)體基底的厚度方向依次層疊的第一鈍化層和減反射層。在此情況下，以降低背接觸電池在第二面一側(cè)的反射率，進(jìn)一步提高背接觸電池的轉(zhuǎn)換效率。

20、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述去除位于第一界面鈍化層和第一摻雜硅層上的部分第二界面鈍化層和第二摻雜硅層后，背接觸電池的制造方法還包括：形成覆蓋在第一摻雜硅層和第二摻雜硅層背離所述半導(dǎo)體基底一側(cè)的透明導(dǎo)電層。透明導(dǎo)電層內(nèi)形成有貫穿的隔離槽，以將透明導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)第一摻雜硅層的部分與透明導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)第二摻雜硅層的部分相互斷開(kāi)。接下來(lái)，在透明導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)第一摻雜硅層的部分上形成第一電極，并在透明導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)第二摻雜硅層的部分上形成第二電極。在此情況下，透明導(dǎo)電層具有較高的載流子傳輸特性，利于提高載流子收集效率。另外，透明導(dǎo)電層設(shè)置在金屬電極和半導(dǎo)體層之間，有利于降低接觸勢(shì)壘，降低接觸電阻。

21、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述透明導(dǎo)電層中與隔離槽相鄰的邊緣部分的厚度沿靠近隔離槽的方向逐漸減小。在此情況下，靠近隔離槽兩側(cè)的透明導(dǎo)電層的厚度較小，此時(shí)透明導(dǎo)電層中用于傳輸異性載流子的兩部分正對(duì)的厚度較小(正對(duì)面積也較小)，利于降低漏電風(fēng)險(xiǎn)，提高背接觸電池的電學(xué)可靠性。并且，如此設(shè)置還設(shè)置有利于背接觸電池中其它結(jié)構(gòu)與透明導(dǎo)電層之間的應(yīng)力釋放，避免透明導(dǎo)電層中的邊緣在形成的過(guò)程中因?yàn)閼?yīng)力過(guò)大而容易導(dǎo)致出現(xiàn)崩邊或脫落等問(wèn)題，提高所制造的背接觸電池的結(jié)構(gòu)可靠性。

22、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，依次層疊的第二界面鈍化層和第二摻雜硅層、以及設(shè)置在第二摻雜硅層上的透明導(dǎo)電層均覆蓋在層疊的第一界面鈍化層和第一摻雜硅層遠(yuǎn)離半導(dǎo)體基底一側(cè)的部分區(qū)域。和/或，上述第一界面鈍化層、第一摻雜硅層、第二界面鈍化層和第二摻雜硅層沿半導(dǎo)體基底的厚度方向堆疊設(shè)置的部分為交疊區(qū)域；至少部分交疊區(qū)域?yàn)榉聪蚵╇妳^(qū)域，且在反向漏電區(qū)域內(nèi)，第二摻雜硅層通過(guò)第二界面鈍化層與第一摻雜硅層電性連接。

23、采用上述技術(shù)方案的情況下，構(gòu)成的反向漏電區(qū)域內(nèi)，第二摻雜硅層可以通過(guò)第二界面鈍化層和與自身導(dǎo)電類型相反的第一摻雜硅層電性連接，以形成具有較低反向擊穿電壓的內(nèi)置二極管結(jié)構(gòu)，降低背接觸電池的熱斑風(fēng)險(xiǎn)。

24、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述第一摻雜硅層的厚度大于等于30nm、且小于等于140nm。

25、采用上述技術(shù)方案的情況下，透明導(dǎo)電層的存在可以提高載流子的收集效率，并且為減薄第一摻雜硅層留出余量。換句話說(shuō)，在不降低載流子收集效率的前提下，因透明導(dǎo)電層的存在可以適當(dāng)降低第一摻雜硅層的厚度。基于此，當(dāng)?shù)谝粨诫s硅層的厚度在上述范圍內(nèi)時(shí)，第一摻雜硅層的厚度較小，利于降低自身的寄生吸收，進(jìn)一步提高背接觸電池的工作效率。另外，由于第一摻雜硅層的厚度較小，因而可以減小第一摻雜硅層的形成時(shí)間，提高制作效率。

26、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述第二界面鈍化層和第二摻雜硅層的開(kāi)口區(qū)的寬度大于等于250μm、且小于等于400μm。

27、采用上述技術(shù)方案的情況下，可以理解的是，第一摻雜硅層需要通過(guò)設(shè)置在第二界面鈍化層和第二摻雜硅層內(nèi)的開(kāi)口區(qū)，與相應(yīng)導(dǎo)電材料電連接，從而將自身收集的載流子導(dǎo)出。而與第一摻雜硅層電連接的導(dǎo)電材料所傳輸?shù)妮d流子，是與第二摻雜硅層的導(dǎo)電類型相反。基于此，與現(xiàn)有背接觸電池中第二界面鈍化層和第二摻雜硅層的開(kāi)口區(qū)的寬度小于250μm相比，本發(fā)明提供的制造方法所形成的背接觸電池中，用于將第一摻雜硅層暴露在外的開(kāi)口區(qū)的寬度更大，利于在防止短路的前提下，使得與第一摻雜硅層電連接的相應(yīng)導(dǎo)電材料具有較大的可形成范圍，從而利于增大第一摻雜硅層與相應(yīng)導(dǎo)電材料之間具有的接觸面積，降低傳輸損耗的同時(shí)，利于提高所制造的背接觸電池的電學(xué)可靠性。其次，當(dāng)上述開(kāi)口區(qū)的寬度小于等于400μm時(shí)，第二界面鈍化層和第二摻雜硅層在開(kāi)設(shè)開(kāi)口的操作后保留下來(lái)的部分較多，降低刻蝕量的同時(shí)，確保第二界面鈍化層和第二摻雜硅層在第一面一側(cè)具有一定的面積占比，確保第二摻雜硅層具有較高的載流收集效率。

28、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，在第一面中，設(shè)置有第一界面鈍化層和第一摻雜硅層的區(qū)域表面上具有塔基狀紋理結(jié)構(gòu)。并且，第一界面鈍化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的底面的厚度，小于第一界面鈍化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的厚度。

29、采用上述技術(shù)方案的情況下，可以理解的是，上述塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的底面和塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的側(cè)面具有不同的晶向。具體的，塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的底面為[110]晶向，該[110]晶向的表面的懸掛鍵數(shù)量相對(duì)較少；而塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的側(cè)面為[111]晶向，該[111]晶向的懸掛鍵數(shù)量相對(duì)較多?；诖耍?dāng)?shù)谝唤缑驸g化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的底面的厚度，小于第一界面鈍化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的厚度時(shí)，利于使得第一界面鈍化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的厚度的部分具有相對(duì)較高的鈍化效果，滿足塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的側(cè)面對(duì)高鈍化效果的需求，降低塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的側(cè)面的載流子復(fù)合速率，進(jìn)一步提高背接觸電池的工作效率。

30、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述第一界面鈍化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的底面的厚度大于等于0.5nm、且小于等于1.5nm。在此情況下，第一界面鈍化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的底面的厚度在上述范圍內(nèi)，利于防止因第一界面鈍化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的底面的厚度較小而導(dǎo)致該部分對(duì)半導(dǎo)體基底的鈍化效果較低；另外，還利于防止因第一界面鈍化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的底面的厚度較大而導(dǎo)致該部分的隧穿電阻較高，利于實(shí)現(xiàn)第一界面鈍化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的底面上的部分的鈍化效果和隧穿電阻之間的平衡，從而在降低塔基狀紋理結(jié)構(gòu)側(cè)面的載流子復(fù)合速率的同時(shí)，確保第一摻雜硅層具有較高的載流子收集效率，降低傳輸損耗。

31、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述第一界面鈍化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的厚度大于等于0.5nm、且小于等于2nm。在此情況下，第一界面鈍化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的厚度在上述范圍內(nèi)，利于防止因該部分的厚度較小而導(dǎo)致自身的鈍化效果較低；另外，還利于防止第一界面鈍化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的厚度較大而導(dǎo)致該部分的隧穿電阻較高，利于實(shí)現(xiàn)第一界面鈍化層位于塔基狀紋理結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的部分的鈍化效果和隧穿電阻之間的平衡，從而在降低塔基狀紋理結(jié)構(gòu)側(cè)面的載流子復(fù)合速率的同時(shí)，確保第一摻雜硅層具有較高的載流子收集效率，降低傳輸損耗。

32、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述第二界面鈍化層的厚度大于等于3nm、且小于等于16nm。在此情況下，第二界面鈍化層的厚度較大，利于增強(qiáng)第二界面鈍化層對(duì)第一摻雜硅層和第二摻雜硅層之間的隔離效果，降低漏電風(fēng)險(xiǎn)。并且，還可以防止因第二界面鈍化層的厚度過(guò)大而導(dǎo)致接觸電阻較大，降低傳輸損耗。

33、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述第一摻雜硅層為摻雜多晶硅層。并且背接觸電池還包括非晶硅層，非晶硅層設(shè)置在第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底的一側(cè)。在此情況下，該非晶硅層可以對(duì)第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底的一側(cè)進(jìn)行鈍化，降低第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底一側(cè)的表面缺陷數(shù)量，提高背接觸電池的轉(zhuǎn)換效率。另外，由于非晶硅層與透明導(dǎo)電層之間的功函數(shù)差值小于摻雜多晶硅層與透明導(dǎo)電層之間的功函數(shù)差值，即非晶硅層與透明導(dǎo)電層之間的接觸勢(shì)壘小于摻雜多晶硅層與透明導(dǎo)電層之間的接觸勢(shì)壘，使得非晶硅層與透明導(dǎo)電層之間的接觸電阻小于摻雜多晶硅層與透明導(dǎo)電層之間的接觸電阻，因此與第一摻雜硅層直接與透明導(dǎo)電層接觸相比，在第一摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底的一側(cè)設(shè)置非晶硅層，可以實(shí)現(xiàn)更合理的能帶匹配，降低接觸電阻，使得背接觸電池能夠有效地將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)換為電能，提高背接觸電池的光電轉(zhuǎn)化效率。

34、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，去除位于第一界面鈍化層和第一摻雜硅層上的部分第二界面鈍化層和第二摻雜硅層，包括：利用激光去除位于第一界面鈍化層和第一摻雜硅層上的部分第二界面鈍化層和第二摻雜硅層，且利用激光對(duì)第二摻雜硅層的開(kāi)口區(qū)的邊緣部分進(jìn)行處理，以使第二摻雜硅層的邊緣部分內(nèi)形成有孔洞結(jié)構(gòu)。

35、采用上述技術(shù)方案的情況下，可以理解的是，孔洞結(jié)構(gòu)為中空結(jié)構(gòu)，因此當(dāng)?shù)诙诫s硅層的邊緣部分內(nèi)形成有孔洞結(jié)構(gòu)時(shí)，可以降低第二摻雜硅層的邊緣部分與第一摻雜硅層之間的漏電風(fēng)險(xiǎn)，提高背接觸電池的電學(xué)可靠性。另外，孔洞結(jié)構(gòu)的存在還可以增加層疊的第二界面鈍化層和第二摻雜硅層的邊緣部分的起伏程度，從而增強(qiáng)該部分的陷光效果，利于提高背接觸電池的雙面率。

36、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述第一面包括第一區(qū)和第二區(qū)。第二區(qū)包括凹槽。第一界面鈍化層和第一摻雜硅層位于第一區(qū)。第二界面鈍化層和第二摻雜硅層位于第二區(qū)，且沿延伸至第一區(qū)覆蓋部分第一界面鈍化層和第一摻雜硅層。第一區(qū)的表面為拋光面，凹槽的槽底面為絨面。第二摻雜硅層位于絨面上的厚度小于第二摻雜硅層位于拋光面上的厚度。

37、采用上述技術(shù)方案的情況下，凹槽的存在，使得第二區(qū)的表面與第一區(qū)的表面沿半導(dǎo)體基底的厚度方向錯(cuò)開(kāi)，進(jìn)而利于將位于第二區(qū)上的第二界面鈍化層和第二摻雜硅層，與位于第一區(qū)上的第一界面鈍化層和第一摻雜硅層至少部分錯(cuò)開(kāi)，降低漏電風(fēng)險(xiǎn)。另外，與拋光面相比，絨面的比表面積更大，在相同形成范圍內(nèi)，第二摻雜硅層位于絨面上的部分與半導(dǎo)體基底之間的接觸面積較大，而第二摻雜硅層位于拋光面上的部分與半導(dǎo)體基底之間的接觸面積較小。基于此，當(dāng)?shù)诙诫s硅層位于絨面上的厚度較小時(shí)，在確保第二摻雜硅層位于絨面上的部分與半導(dǎo)體基底之間具有充足的接觸面積后，可以為設(shè)置該部分的厚度預(yù)留出可降低空間，在確保較高的載流子收集效率的同時(shí)還可以降低制造第二摻雜硅層位于絨面上的部分的耗材使用量。另外，第二摻雜硅層位于拋光面上的厚度較大，使得該部分具有較高的場(chǎng)鈍化效果，降低載流子復(fù)合。該情況下，第二摻雜硅層不同部分之間的厚度差，可以根據(jù)第一區(qū)和第二區(qū)的表面粗糙度、以及實(shí)際需求設(shè)置，此處不做具體限定。

38、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述第一面包括第一區(qū)和第二區(qū)。第二區(qū)包括凹槽。第一區(qū)的表面為拋光面，凹槽的槽底面為絨面。第一界面鈍化層和第一摻雜硅層位于第一區(qū)。第二界面鈍化層和第二摻雜硅層位于第二區(qū)，且由第二區(qū)延伸至第一區(qū)覆蓋部分第一界面鈍化層和第一摻雜硅層。半導(dǎo)體基底位于第一區(qū)的表面到凹槽的槽底面的距離大于等于2μm、且小于等于8μm。

39、采用上述技術(shù)方案的情況下，利于防止因半導(dǎo)體基底位于第一區(qū)的表面到凹槽的槽底面的距離較小而導(dǎo)致第一摻雜硅層和第二摻雜硅層沿半導(dǎo)體基底厚度方向錯(cuò)開(kāi)的距離也較小，確保二者之間具有較低的漏電風(fēng)險(xiǎn)；其次，在凹槽的槽底面進(jìn)行制絨的過(guò)程中，需要腐蝕半導(dǎo)體基底，因此半導(dǎo)體基底位于第一區(qū)的表面到凹槽的槽底面的距離也會(huì)影響槽底面上的絨面結(jié)構(gòu)的尺寸。基于此，半導(dǎo)體基底位于第一區(qū)的表面到凹槽的槽底面的距離在上述范圍內(nèi)也可以防止因該距離較小而導(dǎo)致凹槽的槽底面、以及同時(shí)在第二面上形成的絨面結(jié)構(gòu)的尺寸較小，確保第二面具有較高的陷光效果，同時(shí)利于增大第二摻雜硅層背離半導(dǎo)體基底一側(cè)的比表面積，進(jìn)一步降低第二摻雜硅層與相應(yīng)導(dǎo)電材料的接觸損耗。另外，還可以防止因半導(dǎo)體基底位于第一區(qū)的表面到凹槽的槽底面的距離較大而導(dǎo)致半導(dǎo)體基底在凹槽處的刻蝕深度較大，確保半導(dǎo)體基底各部分具有較大的光吸收深度，進(jìn)而使得背接觸電池具有較高的轉(zhuǎn)換效率。

40、作為一種可能的實(shí)現(xiàn)方案，上述第一面包括第一區(qū)和第二區(qū)；第二區(qū)包括凹槽。第一界面鈍化層和第一摻雜硅層位于第一區(qū)；第二界面鈍化層和第二摻雜硅層位于第二區(qū)，且由第二區(qū)延伸至第一區(qū)覆蓋部分第一界面鈍化層和第一摻雜硅層。第二摻雜硅層為摻雜非晶硅層。沿半導(dǎo)體基底的厚度方向，在第一面上依次形成層疊的第二界面鈍化層和第二摻雜硅層后，背接觸電池的制造方法還包括：對(duì)位于凹槽的槽底面上的第二摻雜硅層進(jìn)行激光照射，以對(duì)第二摻雜硅層進(jìn)行晶化處理。

41、采用上述技術(shù)方案的情況下，第二摻雜硅層為摻雜非晶硅層，該摻雜非晶硅層位于包括凹槽的第二區(qū)。并且凹槽的槽底面為絨面，絨面具有的絨面結(jié)構(gòu)對(duì)激光具有反射作用，當(dāng)位于凹槽的槽底面上的第二摻雜硅層進(jìn)行激光照射時(shí)，絨面結(jié)構(gòu)對(duì)激光進(jìn)行反射，使得第二摻雜硅層受熱晶化，提高第二摻雜硅層的晶化程度，從而提高第二摻雜硅層的導(dǎo)電性能，降低第二摻雜硅層與相應(yīng)導(dǎo)電材料之間的接觸電阻，降低傳輸損耗。