本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、在刻蝕硅等半導(dǎo)體材料的過(guò)程中，對(duì)于刻蝕有介質(zhì)層作為停止層的結(jié)構(gòu)，例如絕緣體上的硅(silicon?on?insulator，soi)結(jié)構(gòu)或者刻蝕底部具有靜電膜的通孔等結(jié)構(gòu)，在刻蝕完成后，在刻蝕得到的結(jié)構(gòu)的底部與介質(zhì)層(例如，soi的埋氧層或靜電膜等)接觸的部分會(huì)出現(xiàn)缺口，缺口的形成被稱(chēng)作“缺口(notching)”效應(yīng)。

2、圖1是缺口結(jié)構(gòu)的一個(gè)剖面示意圖。如圖1所示，以光刻膠10作為掩膜對(duì)襯底材料11進(jìn)行刻蝕，形成孔洞14，在孔洞14與襯底材料11的底部的介質(zhì)層12接觸的部位，用于刻蝕的反應(yīng)氣體橫向擴(kuò)散，形成缺口13。缺口13的出現(xiàn)會(huì)導(dǎo)致某些器件良率不足甚至失效。

3、應(yīng)該注意，上面對(duì)技術(shù)背景的介紹只是為了方便對(duì)本申請(qǐng)的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的說(shuō)明，并方便本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解而闡述的。不能僅僅因?yàn)檫@些方案在本申請(qǐng)的背景技術(shù)部分進(jìn)行了闡述而認(rèn)為上述技術(shù)方案為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)應(yīng)對(duì)缺口效應(yīng)的難度較大。例如：在對(duì)soi進(jìn)行刻蝕時(shí)，以埋氧層作為停止層，所以，缺口效應(yīng)幾乎無(wú)法避免；在對(duì)晶圓刻蝕出通孔的過(guò)程中，在晶圓背面設(shè)置有介電層或貼附靜電膜，因此，也難以避免缺口效應(yīng)；對(duì)于特定類(lèi)型的晶圓，可以采取先刻蝕盲孔而后從背面進(jìn)行做減薄的方式來(lái)避免缺口效應(yīng)，但是此種方案比較局限。因此，如何有效地緩解缺口效應(yīng)，是一個(gè)亟待解決的問(wèn)題。

2、為了解決上述問(wèn)題或至少類(lèi)似問(wèn)題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，該半導(dǎo)體器件具有第一開(kāi)口和第二開(kāi)口，第二開(kāi)口設(shè)置在第一開(kāi)口附近，并且，第二開(kāi)口的面積小于第一開(kāi)口的面積，由于第二開(kāi)口的縱向刻蝕速度低于第一開(kāi)口的縱向刻蝕速度，因此，刻蝕用的反應(yīng)氣體被第二開(kāi)口內(nèi)的材料所消耗，能夠避免刻蝕用的反應(yīng)氣體對(duì)第一開(kāi)口進(jìn)行橫向刻蝕從而形成缺口(notching)，從而提高半導(dǎo)體器件的良率和可靠性。

3、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

4、襯底；

5、形成于所述襯底背面的第一材料層；

6、第一開(kāi)口，其形成于所述襯底的表面，并貫穿所述襯底的表面和背面，所述第一材料層從所述第一開(kāi)口露出；以及

7、第二開(kāi)口，其形成于所述襯底的表面，與所述第一開(kāi)口之間有第一距離，所述第二開(kāi)口的面積小于所述第一開(kāi)口的面積。

8、在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括：

9、連接部，其是形成于所述襯底的表面的凹部，所述連接部連接所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口。

10、在一些實(shí)施例中，所述第二開(kāi)口的橫向尺寸小于或等于所述第一開(kāi)口的橫向尺寸的二分之一。

11、在一些實(shí)施例中，所述第二開(kāi)口與所述第一開(kāi)口屬于相同的形狀。

12、在一些實(shí)施例中，所述第一開(kāi)口周?chē)纬捎?個(gè)或2個(gè)以上所述第二開(kāi)口。

13、在一些實(shí)施例中，2個(gè)以上所述第二開(kāi)口在所述第一開(kāi)口周?chē)鷮?duì)稱(chēng)分布。

14、在一些實(shí)施例中，2個(gè)以上所述第二開(kāi)口中，距離所述第一開(kāi)口越遠(yuǎn)的所述第二開(kāi)口的面積越小。

15、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的另一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述制造方法包括：

16、在襯底的表面形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形包括第一開(kāi)口圖形和第二開(kāi)口圖形，所述第二開(kāi)口圖形的面積小于所述第一開(kāi)口圖形的面積，所述襯底的表面從所述第一開(kāi)口圖形和所述第二開(kāi)口圖形中露出；以及

17、以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述襯底的表面，形成與所述第一開(kāi)口圖形對(duì)應(yīng)的第一開(kāi)口和與所述第二開(kāi)口圖形對(duì)應(yīng)的第二開(kāi)口，其中，所述第一開(kāi)口貫穿所述襯底的表面和背面，設(shè)置于所述背面的第一材料層從所述第一開(kāi)口露出，所述第二開(kāi)口與所述第一開(kāi)口之間有第一距離，所述第二開(kāi)口的面積小于所述第一開(kāi)口的面積。

18、在一些實(shí)施例中，所述光刻膠圖形還包括連接部圖形，所述連接部圖形連接所述第一開(kāi)口圖形和所述第二開(kāi)口圖形。

19、本申請(qǐng)的有益效果在于：該半導(dǎo)體器件具有第一開(kāi)口和第二開(kāi)口，第二開(kāi)口設(shè)置在第一開(kāi)口附近，并且，第二開(kāi)口的面積小于第一開(kāi)口的面積，由于第二開(kāi)口的縱向刻蝕速度低于第一開(kāi)口的縱向刻蝕速度，因此，刻蝕用的反應(yīng)氣體被第二開(kāi)口內(nèi)的材料所消耗，能夠避免刻蝕用的反應(yīng)氣體對(duì)第一開(kāi)口進(jìn)行橫向刻蝕從而形成缺口(notching)，從而提高提高半導(dǎo)體器件的良率和可靠性。

20、參照后文的說(shuō)明和附圖，詳細(xì)公開(kāi)了本申請(qǐng)的特定實(shí)施方式，指明了本申請(qǐng)的原理可以被采用的方式。應(yīng)該理解，本申請(qǐng)的實(shí)施方式在范圍上并不因而受到限制。在所附權(quán)利要求的精神和條款的范圍內(nèi)，本申請(qǐng)的實(shí)施方式包括許多改變、修改和等同。

21、針對(duì)一種實(shí)施方式描述和/或示出的特征可以以相同或類(lèi)似的方式在一個(gè)或更多個(gè)其它實(shí)施方式中使用，與其它實(shí)施方式中的特征相組合，或替代其它實(shí)施方式中的特征。

22、應(yīng)該強(qiáng)調(diào)，術(shù)語(yǔ)“包括/包含”在本文使用時(shí)指特征、整件、步驟或組件的存在，但并不排除一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整件、步驟或組件的存在或附加。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

8.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制造方法，該半導(dǎo)體器件包括：襯底；形成于所述襯底背面的第一材料層；第一開(kāi)口，其形成于所述襯底的表面，并貫穿所述襯底的表面和背面，所述第一材料層從所述第一開(kāi)口露出；以及第二開(kāi)口，其形成于所述襯底的表面，與所述第一開(kāi)口之間有第一距離，所述第二開(kāi)口的面積小于所述第一開(kāi)口的面積。本申請(qǐng)中，由于第二開(kāi)口的縱向刻蝕速度低于第一開(kāi)口的縱向刻蝕速度，因此，刻蝕用的反應(yīng)氣體被第二開(kāi)口內(nèi)的材料所消耗，能夠避免刻蝕用的反應(yīng)氣體對(duì)第一開(kāi)口進(jìn)行橫向刻蝕從而形成缺口，從而提高半導(dǎo)體器件的良率和可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：陳朔
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30