本申請涉及光伏，尤其涉及一種背接觸太陽能電池、光伏組件及制備方法。

背景技術(shù)：

1、背接觸(back?contact)太陽能電池的正電極與負電極均設(shè)置于電池片的背面。在制備背接觸太陽能電池的過程中需要利用掩膜工藝輔助形成兩種摻雜區(qū)域，其中一種摻雜區(qū)域用于與正電極金屬化接觸，另一種摻雜區(qū)域用于與負電極金屬化接觸。但現(xiàn)有背接觸太陽能電池制備方法中關(guān)于利用掩膜工藝輔助形成摻雜導電部分過程中所需的工序數(shù)量較多，使得背接觸太陽能電池的生產(chǎn)效率較低。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N背接觸太陽能電池的制備方法、背接觸太陽能電池及光伏組件，其中本申請所提供的制備方法可以提高關(guān)于背接觸太陽能電池的生產(chǎn)效率。

2、第一方面，本申請?zhí)峁┮环N背接觸太陽能電池的制備方法，該制備方法包括：提供硅基底、隧穿層和預制介質(zhì)層，隧穿層位于硅基底和預制介質(zhì)層之間；在預制介質(zhì)層的背離隧穿層的一側(cè)形成圖形化掩膜層，其中，圖形化掩膜層設(shè)置有第一擴散通道，預制介質(zhì)層中對應于第一擴散通道的部分為第一待擴散部分；通過第一擴散通道向第一待擴散部分擴散導電雜質(zhì)，以使第一待擴散部分成為第一摻雜導電部分，并且在第一摻雜導電部分的背離隧穿層的一側(cè)和在圖形化掩膜層的背離隧穿層的一側(cè)形成第一硅玻璃層；利用激光去除第一硅玻璃層的局部和照射圖形化掩膜層的局部，以形成與第一擴散通道間隔設(shè)置的第二擴散通道，其中，預制介質(zhì)層中對應于第二擴散通道的部分為第二待擴散部分，第二待擴散部分與第一摻雜導電部分間隔設(shè)置；通過第二擴散通道向第二待擴散部分擴散另一導電雜質(zhì)，以使第二待擴散部分成為第二摻雜導電部分，并且在第二摻雜導電部分的背離隧穿層的一側(cè)和在第一硅玻璃層的背離隧穿層的一側(cè)形成第二硅玻璃層。

3、可選地，利用激光照射圖形化掩膜層的局部的方法包括：利用激光去除圖形化掩膜層的局部，以形成作為第二擴散通道一部分的窗口；或者，利用激光改性圖形化掩膜層的局部，其中，圖形化掩膜層中被激光改性的局部作為第二擴散通道的一部分。

4、可選地，在預制介質(zhì)層的背離隧穿層的一側(cè)形成圖形化掩膜層的方法包括：利用絲網(wǎng)印刷工藝或轉(zhuǎn)印工藝在預制介質(zhì)層的背離隧穿層的一側(cè)形成圖形化掩膜層；或者，利用沉積工藝或涂敷工藝在預制介質(zhì)層的背離隧穿層的一側(cè)形成預制掩膜層，利用激光去除預制掩膜層的局部，以形成圖形化掩膜層。

5、可選地，向第一待擴散部分擴散包括至少一種第三主族元素的導電雜質(zhì)，向第二待擴散部分擴散包括至少一種第五主族元素的導電雜質(zhì)；或者，向第一待擴散部分擴散包括至少一種第五主族元素的導電雜質(zhì)，向第二待擴散部分擴散包括至少一種第三主族元素的導電雜質(zhì)。

6、可選地，在形成第二硅玻璃層之后，制備方法還包括：利用酸洗工藝去除位于隧穿層的背離硅基底一側(cè)的第二硅玻璃層、第一硅玻璃層和圖形化掩膜層。

7、可選地，在形成第二硅玻璃層之后和在去除第二硅玻璃層、第一硅玻璃層和圖形化掩膜層之前，制備方法還包括：利用酸洗工藝去除位于硅基底的背離隧穿層一側(cè)的繞擴層，其中，繞擴層在形成第一摻雜導電部分的過程中和在形成第二摻雜導電部分的過程中依次形成；利用堿洗工藝在硅基底的背離隧穿層一側(cè)表面制絨。

8、可選地，在去除第二硅玻璃層、第一硅玻璃層和圖形化掩膜層之后，制備方法還包括：在硅基底的背離隧穿層一側(cè)表面、在第一摻雜導電部分的背離隧穿層一側(cè)表面、在第二摻雜導電部分的背離隧穿層一側(cè)表面和在預制介質(zhì)層的背離隧穿層一側(cè)表面形成鈍化層。

9、可選地，在形成鈍化層之后制備方法還包括：在位于隧穿層背離硅基底一側(cè)的鈍化層中對應于第一摻雜導電部分的部分形成第一金屬電極，并且使第一金屬電極與第一摻雜導電部分金屬化接觸；在位于隧穿層背離硅基底一側(cè)的鈍化層中對應于第二摻雜導電部分的部分形成第二金屬電極，并且使第二金屬電極與第二摻雜導電部分金屬化接觸。

10、第二方面，本申請?zhí)峁┮环N背接觸太陽能電池，該背接觸太陽能電池由上述內(nèi)容所描述的背接觸太陽能電池的制備方法得到，該背接觸太陽能電池包括硅基底、隧穿層、第一摻雜導電部分和第二摻雜導電部分。隧穿層設(shè)置于硅基底的一側(cè)，第一摻雜導電部分設(shè)置于隧穿層的背離硅基底的一側(cè)，第二摻雜導電部分設(shè)置于隧穿層的背離硅基底的一側(cè)。其中，至少兩個第一摻雜導電部分和至少兩個第二摻雜導電部分沿第一方向依次交替設(shè)置且間隔設(shè)置，第一方向與背接觸太陽能電池的厚度方向垂直。

11、第三方面，本申請?zhí)峁┮环N光伏組件，該光伏組件包括上述內(nèi)容所描述的由多個背接觸太陽能電池電連接形成的電池串。

12、相比現(xiàn)有技術(shù)中需先后制備至少兩層掩膜層以輔助形成摻雜導電部分，本申請的背接觸太陽能電池制備方法中利用單層掩膜層以輔助形成摻雜導電部分(第一摻雜導電部分和第二摻雜導電部分)，相應地，本申請的方法中用于形成摻雜導電部分所需的工序數(shù)量較少，因此，本申請的方法可以提高關(guān)于背接觸太陽能電池的生產(chǎn)效率。

13、相比現(xiàn)有技術(shù)中需先后制備至少兩層預制介質(zhì)層以輔助形成摻雜導電部分，本申請的背接觸太陽能電池的制備方法中利用單層預制介質(zhì)層以輔助形成摻雜導電部分(第一摻雜導電部分和第二摻雜導電部分)，相應地，本申請的方法中用于形成摻雜導電部分所需的工序數(shù)量較少，因此，本申請的方法可以提高關(guān)于背接觸太陽能電池的生產(chǎn)效率。

技術(shù)特征：

1.一種背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述利用激光照射所述圖形化掩膜層的局部的方法包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述在所述預制介質(zhì)層的背離所述隧穿層的一側(cè)形成圖形化掩膜層的方法包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，向所述第一待擴散部分擴散包括至少一種第三主族元素的導電雜質(zhì)，向所述第二待擴散部分擴散包括至少一種第五主族元素的導電雜質(zhì)；

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，在形成所述第二硅玻璃層之后，所述制備方法還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，在形成所述第二硅玻璃層之后和在去除所述第二硅玻璃層、所述第一硅玻璃層和所述圖形化掩膜層之前，所述制備方法還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，在去除所述第二硅玻璃層、所述第一硅玻璃層和所述圖形化掩膜層之后，所述制備方法還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，在形成所述鈍化層之后所述制備方法還包括：

9.一種背接觸太陽能電池，其特征在于，所述背接觸太陽能電池由權(quán)利要求1～8中任一項所述的背接觸太陽能電池的制備方法得到，所述背接觸太陽能電池包括：

10.一種光伏組件，其特征在于，包括由權(quán)利要求9所述的背接觸太陽能電池電連接形成的電池串。

技術(shù)總結(jié)
本申請關(guān)于一種背接觸太陽能電池、光伏組件及制備方法，本申請的背接觸太陽能電池制備方法中利用單層預制介質(zhì)層和單層掩膜層以輔助形成第一摻雜導電部分和第二摻雜導電部分。本申請的方法中用于形成摻雜導電部分所需的工序數(shù)量較少，因此，本申請的方法可以提高關(guān)于背接觸太陽能電池的生產(chǎn)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：張曉攀,王文睿,黃紀德,劉長明,張昕宇
受保護的技術(shù)使用者：晶科能源股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2