1.一種堆疊封裝結(jié)構的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的堆疊封裝結(jié)構的形成方法，其特征在于，所述導流通道的數(shù)量為一個或多個，所述導流通道數(shù)量為多個時，多個所述導流通道平行設置；所述第二芯片的第二有源面上具有鈍化層，所述微凸起部分位于所述鈍化層中，所述若干分立的微凸起之間的鈍化層中設置有至少一條與所述導流通道延伸方向相同的導流溝槽，所述導流溝槽位于相應的所述導流通道正下方。
3.如權利要求1或2所述的堆疊封裝結(jié)構的形成方法，其特征在于，所述導流通道與所述導流溝槽均沿著所述塑封層材料流入的方向設置；所述第二芯片邊緣位置的導流溝槽的寬度等于或大于所述第二芯片中間位置的導流溝槽的寬度。
4.如權利要求1或2所述的堆疊封裝結(jié)構的形成方法，其特征在于，上層的導流通道與下層的導流通道設置方向可以相同或不同。
5.如權利要求1或2所述的堆疊封裝結(jié)構的形成方法，其特征在于，所述第二芯片邊緣位置的導流通道的寬度大于所述第二芯片中間位置的導流通道的寬度包括：所述導流通道的寬度從第二芯片的邊緣位置向第二芯片的中間位置逐漸減小。
6.如權利要求1所述的堆疊封裝結(jié)構的形成方法，其特征在于，在所述第一芯片的第一背面上形成芯片堆疊結(jié)構的過程包括預固定工藝和批量回流工藝；先進行所述預固定工藝，將若干所述第二芯片沿垂直方向依次堆疊并預固定；進行批量回流工藝，將所述芯片堆疊結(jié)構中的上層的第二芯片的第二有源面的微凸起與相鄰的下層的第二芯片的第二背面的第二連接端子焊接在一起，底層的第二芯片的第二有源面的微凸起與所述第一芯片的第一背面的第一連接端子焊接在一起。
7.如權利要求6所述的堆疊封裝結(jié)構的形成方法，其特征在于，進行所述預固定工藝時，所述上層的第二芯片與相鄰的下層的第二芯片通過微凸起中或表面的助焊劑與相應的第二連接端子預焊實現(xiàn)所述預固定。
8.如權利要求6所述的堆疊封裝結(jié)構的形成方法，其特征在于，進行所述預固定工藝時，上層的第二芯片與相鄰的下層的第二芯片通過位于所述上層的第二芯片和所述下層的第二芯片之間的鍵合層進行粘接固定實現(xiàn)所述預固定。
9.如權利要求8所述的堆疊封裝結(jié)構的形成方法，其特征在于，所述鍵合層為臨時鍵合層或機械鍵合層，所述臨時鍵合層在批量回流工藝時分解，所述機械鍵合層在機械鍵合層時不會分解，保留在所述堆疊封裝結(jié)構中。
10.一種堆疊封裝結(jié)構，其特征在于，包括：
11.如權利要求10所述的堆疊封裝結(jié)構，其特征在于，所述導流通道的數(shù)量為一個或多個，所述導流通道數(shù)量為多個時，多個所述導流通道平行設置；所述第二芯片的第二有源面上具有鈍化層，所述微凸起部分位于所述鈍化層中，所述若干分立的微凸起之間的鈍化層中設置有至少一條與所述導流通道延伸方向相同的導流溝槽，所述導流溝槽位于相應的所述導流通道正下方。
12.如權利要求10或11所述的堆疊封裝結(jié)構，其特征在于，所述導流通道和所述導流溝槽均沿著所述塑封層材料流入的方向設置；上層的導流通道與下層的導流通道設置方向可以相同或不同；所述導流溝槽的兩端的寬度等于或大于所述導流溝槽的中間位置的寬度。
13.如權利要求10或11所述的堆疊封裝結(jié)構，其特征在于，所述導流通道的兩端的寬度大于所述導流通道的中間位置的寬度包括：所述導流通道的寬度從兩端向中間位置逐漸減小。
14.如權利要求10所述的堆疊封裝結(jié)構，其特征在于，在所述第二芯片一側(cè)的所述基板的上表面還貼裝有第三芯片，所述第三芯片與所述基板電連接；所述第一芯片為邏輯芯片，所述第二芯片為存儲芯片，所述第三芯片為處理芯片。