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引線框架、封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法與流程

文檔序號:40612441發(fā)布日期:2025-01-07 20:57閱讀:9來源:國知局
引線框架、封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法與流程

本技術涉及半導體封裝領域,尤其涉及一種引線框架、封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。


背景技術:

1、引線框架作為半導體封裝的一部分,在半導體封裝中用于支撐封裝的半導體芯片,并用于封裝的半導體芯片與外部器件的連接。

2、現(xiàn)有提供了一種引線框架,參考圖1,所述引線框架包括基島100和位于基島100周圍的引腳區(qū)101,所述引腳區(qū)101中具有若干引腳103,每一個所述引腳103包括靠近所述基島100的內(nèi)引腳12和遠離所述基島100且與所述內(nèi)引腳12連接的外引腳13,相鄰的引腳103之間通過連筋102連接。

3、當將所述引線框架應用于dip(dual?in-line?package)、qfp(quadflatpackage)、sop(small?out-line?package)等形式的封裝時,外引腳13在封裝的過程中需要露出不能被塑封層包覆。具體的,進行封裝時,先在所述基島100的正面貼裝半導體芯片(圖中未示出),接著形成將半導體芯片與引腳103的內(nèi)引腳12相連接金屬線(圖中未示出),之后形成包覆所述基島100、半導體芯片和內(nèi)引腳的塑封層(圖中未示出)。

4、在形成所述塑封層時,需要用到上下模具,所述連筋和連筋之間的部分引腳壓合在上下模具之間,所述連筋102用于在形成塑封層的過程中,防止塑封層材料向外溢出到外引腳13,而影響后續(xù)對外引腳13進行彎折的工藝。在形成所述塑封層后,需要進行連筋102的切除,以使得相鄰的引腳103之間分立,且在連筋102切除的位置需要電鍍鍍膜以防止引腳氧化,使得制作工藝較為復雜,制作效率低,并且切筋和電鍍需要額外的切筋設備和電鍍設備,使得制作成本較高。


技術實現(xiàn)思路

1、本技術要解決的技術問題是提供一種引線框架、封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法,提高制作效率,節(jié)省制作成本。

2、為此,本技術一實施例提供了一種引線框架,包括:

3、基島;

4、位于所述基島周圍的若干引腳,相鄰所述引腳之間具有空隙,每一個所述引腳包括靠近所述基島的內(nèi)引腳和遠離所述基島的外引腳,所述內(nèi)引腳和所述外引腳通過連接部相連;

5、覆蓋所述每一個引腳的連接部的背面和/或正面以及填充相鄰所述引腳的連接部之間空隙的uv膠帶,所述uv膠帶用于在后續(xù)形成包覆所述基島和內(nèi)引腳的塑封層時,防止塑封層材料通過相鄰所述引腳之間的空隙向外引腳的方向溢出。

6、在可選的一實施例中,所述uv膠帶在形成所述塑封層后保留,或者所述uv膠帶在形成所述塑封層后通過uv光照射后撕除;所述uv膠帶包括基膜和位于所述基膜表面的粘附膜,所述粘附膜在uv光的照射下粘性消失或減?。凰稣掣侥ぬ畛湓谙噜徦鲆_的連接部之間空隙中。

7、在可選的一實施例中,所述uv膠帶填充滿相鄰所述引腳的連接部之間的空隙。

8、在可選的一實施例中,所述引線框架包括若干呈行列排布的引線框架單元,每一個引線框架單元均包括一個所述基島和位于所述基島周圍的若干分立的引腳。

9、在可選的一實施例中,相鄰引線框架單元之間具有中筋,每一個引線框架單元中所述外引腳遠離所述連接部的一端與所述中筋連接,所述基島通過連筋與所述中筋連接。

10、在可選的一實施例中,若干分立的引腳位于所述基島周圍包括:若干分立的引腳位于所述基島四周,或者若干分立的引腳位于所述基島兩側(cè)。

11、本技術另一實施例還提供了一種封裝結(jié)構(gòu),包括:

12、引線框架,所述引線框架包括基島和位于所述基島周圍的若干引腳,相鄰所述引腳之間具有空隙,每一個所述引腳包括靠近所述基島的內(nèi)引腳和遠離所述基島的外引腳,所述內(nèi)引腳和所述外引腳通過連接部相連;

13、貼裝在所述基島正面的半導體芯片,所述半導體芯片通過金屬線與所述內(nèi)引腳電連接;

14、包覆所述半導體芯片、基島和所述內(nèi)引腳的塑封層,所述塑封層暴露出所述外引腳;

15、覆蓋所述每一個引腳的連接部的背面和/或正面以及填充相鄰所述引腳的連接部之間空隙的uv膠帶;

16、包覆所述半導體芯片、基島和所述內(nèi)引腳的塑封層,所述塑封層暴露出所述外引腳和所述uv膠帶。

17、在可選的一實施例中,若干所述引腳位于所述基島四周,或者若干所述引腳位于所述基島兩側(cè)。

18、本技術又一實施例還提供了一種封裝結(jié)構(gòu)的形成方法,包括:

19、提供引線框架,所述引線框架包括基島和位于所述基島周圍的若干引腳,相鄰所述引腳之間具有空隙,每一個所述引腳包括靠近所述基島的內(nèi)引腳和遠離所述基島的外引腳,所述內(nèi)引腳和所述外引腳通過連接部相連;

20、形成覆蓋所述每一個引腳的連接部的背面和/或正面以及填充相鄰所述引腳的連接部之間空隙的uv膠帶;

21、在所述基島正面的貼裝半導體芯片;

22、形成將所述半導體芯片與所述內(nèi)引腳電連接的金屬線;

23、形成包覆所述半導體芯片、基島和所述內(nèi)引腳的塑封層,所述塑封層暴露出所述外引腳和所述uv膠帶,所述uv膠帶用于在形成包覆所述半導體芯片、基島和所述內(nèi)引腳塑封層時,防止塑封層材料通過相鄰所述引腳之間的空隙向外引腳的方向溢出。

24、在可選的一實施例中,在形成所述塑封層后,保留所述uv膠帶,或者在形成所述塑封層后,通過uv光照射后將所述uv膠帶撕除。

25、在可選的一實施例中,所述基島和引腳均包括相對的正面和背面,所述半導體芯片包括相對的有源面和背面,所述有源面具有若干分立的焊盤,將所述半導體芯片的背面朝下貼裝在所述基島的正面,所述半導體芯片的有源面上的焊盤通過所述金屬線與相應的內(nèi)引腳電連接。

26、在可選的一實施例中,形成所述塑封層時,所述連接部的正面和背面表面壓合于上下模具之間。

27、本技術的技術方案的優(yōu)點在于:

28、本技術前述一實施例中引線框架、封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法,其中所述引線框架包括覆蓋所述每一個引腳的連接部的背面和/或正面以及填充相鄰所述引腳的連接部之間空隙的uv膠帶,所述uv膠帶在后續(xù)形成包覆所述基島和內(nèi)引腳(以及半導體芯片)的塑封層時,能防止塑封層材料通過相鄰引腳之間的空隙向外引腳的方向溢出,且所述uv膠帶在形成所述塑封層后,通過uv光照射后撕除。具體的,一方面,在形成塑封層時,由于所述引腳的連接部的正面和背面會壓合于上下模具之間,且由于相鄰引腳的連接部之間的空隙被uv膠帶填充,因而在模具內(nèi)注入塑封料以形成包覆所述基島和內(nèi)引腳(以及半導體芯片)的塑封層時,所述塑封料不能從相鄰引腳的連接部之間的空隙向外溢出到外引腳的位置,從而防止溢出的塑封料影響后續(xù)外引腳的彎折過程;另一方面,uv膠帶通過貼膜工藝即可簡便的形成,并且在塑封層形成之后,uv膠帶在被uv光照射后,其粘性會消失或減小,通過撕膜工藝可以很方便的去除所述uv膠帶,使得uv膠帶不會影響后續(xù)外引腳的彎折過程,且本技術的引線框架相比于現(xiàn)有引線框架還需要進行切筋和電鍍,其工藝過程簡單,提高生產(chǎn)效率,成本較低,并且由于無需額外投資相關的切筋和電鍍設備,節(jié)省了封裝產(chǎn)線的空間,進一步降低投資產(chǎn)線成本,并且封裝過程不存在電鍍液的污染;再一方面,所述uv膠帶還可以在進行打線的過程中以及切割引線框架的中筋的過程中,起到對外引腳進行固定的作用,能防止所述外引腳移動。

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