1.一種增強型gan基hemt功率器件，包括襯底以及襯底上依次層疊的gan緩沖層、al(in,ga)n勢壘層和p-gan層，其特征在于，在柵極區(qū)域形成tri-gate柵極結(jié)構(gòu)，包括周期性平行排列的窄條狀p-gan?fin島，其長度方向平行于溝道方向，周期性排列方向垂直于溝道方向；在tri-gate柵極結(jié)構(gòu)中，所述p-gan?fin島的側(cè)壁淀積有柵介質(zhì)形成mis結(jié)構(gòu)，頂部直接接觸柵極金屬形成歐姆接觸；源漏極分別位于溝道兩端。
2.如權(quán)利要求1所述的增強型gan基hemt功率器件，其特征在于，所述p-gan?fin島的長度為1～4μm，寬度為50～500nm，fin島間距為50～500nm。
3.如權(quán)利要求1所述的增強型gan基hemt功率器件，其特征在于，所述柵介質(zhì)是sin、sio2、alon、alsio、alsin或sion，淀積厚度為5～30nm。
4.如權(quán)利要求1所述的增強型gan基hemt功率器件，其特征在于，所述al(in,ga)n勢壘層為aln、algan、alinn、ingan或alingan，厚度為15～30nm。
5.如權(quán)利要求1所述的增強型gan基hemt功率器件，其特征在于，所述p-gan層厚度為80～200nm，空穴摻雜濃度介于1e17～1e20之間。
6.權(quán)利要求1～5任一所述的增強型gan基hemt功率器件的制備方法，包括以下步驟：
7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟3)采用剝離工藝和合金化工藝制作歐姆接觸電極；步驟4)采用臺面隔離或注入隔離方式實現(xiàn)器件隔離。
8.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟5)采用電子束光刻進行刻蝕。
9.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟6)采用原子層沉積、化學(xué)氣相沉積或分子束外延技術(shù)生長柵介質(zhì)。
10.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟8)中所述柵極金屬選自ti、al、ni、au中的任意一種或兩種以上的組合。