本公開涉及集成電路，特別是涉及一種半導體結構的制作方法。

背景技術：

1、隨著半導體技術不斷革新的發(fā)展需求，為了提高集成電路的集成密度，半導體元件的特征尺寸不斷減小。

2、半導體元件的特征尺寸減小，極大程度的增加其制作難度，制作更小尺寸節(jié)點的半導體元件仍存在一些技術問題須進一步改善。

技術實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對現(xiàn)有技術中的問題提供一種半導體結構的制作方法。

2、第一方面，本公開提供了一種半導體結構的制作方法，包括：

3、提供襯底，在所述襯底上形成第一電極；

4、在所述第一電極上形成柵極，所述柵極的頂面被隔離層覆蓋；

5、形成貫穿所述隔離層、所述柵極的溝道孔，所述溝道孔暴露出所述第一電極的部分頂面；

6、形成柵介質層，所述柵介質層覆蓋所述溝道孔的側壁；

7、形成溝道層，所述溝道層覆蓋所述柵介質層以及所述溝道孔暴露出的所述第一電極的頂面；

8、向所述溝道孔中填充導熱材料形成導熱層；

9、對所述溝道層和所述導熱層共同進行熱退火處理后，去除所述導熱層；

10、在所述溝道孔中形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述溝道層的部分內側壁；

11、在所述絕緣層上形成第二電極，所述第二電極與所述溝道層的頂部接觸連接。

12、在其中一個實施例中，對所述溝道層和所述導熱層共同進行熱退火處理后，所述溝道層形成為隨形覆蓋所述溝道孔的側壁和底面的多晶半導體層。

13、在其中一個實施例中，所述導熱層包括依次形成的阻障層和金屬層，所述阻障層設于所述金屬層與所述溝道層之間。

14、在其中一個實施例中，所述在所述溝道孔中形成絕緣層，包括：

15、沉積絕緣材料填充所述溝道孔，所述絕緣材料覆蓋所述溝道層并至少填充部分所述溝道孔；

16、回刻所述絕緣材料至所述溝道孔中。

17、在其中一個實施例中，所述絕緣層的頂面高于所述柵極的頂面、低于所述溝道孔的頂面，所述絕緣層暴露出所述溝道層的部分內側壁。

18、在其中一個實施例中，所述形成第二電極，包括：

19、形成接觸層，所述接觸層覆蓋所述溝道層的暴露的內側壁并填充所述溝道孔未被填充的區(qū)域；

20、形成金屬導電層，所述金屬導電層覆蓋所述接觸層的頂面、所述溝道層的頂面以及所述隔離層的頂面。

21、在其中一個實施例中，所述形成金屬導電層，包括：依次形成金屬阻擋層和金屬導電層，所述金屬阻擋層設于所述金屬導電層與所述接觸層之間。

22、在其中一個實施例中，所述接觸層還覆蓋所述隔離層的頂面，所述接觸層設于所述金屬導電層與所述隔離層之間。

23、在其中一個實施例中，所述形成第二電極，包括：

24、形成金屬阻擋層，所述金屬阻擋層覆蓋所述溝道層的頂部的內側壁、所述溝道層的頂面以及所述隔離層的頂面；

25、形成金屬導電層，所述金屬導電層覆蓋所述金屬阻擋層并填充所述溝道孔未被填充的區(qū)域。

26、在其中一個實施例中，所述在所述絕緣層上形成第二電極之前，還包括：

27、刻蝕去除所述隔離層的頂面上的所述溝道層，暴露出所述隔離層的頂面，斷開各所述溝道孔中的所述溝道層。

28、本公開的半導體結構的制作方法，在沉積形成溝道層之后，形成導熱層覆蓋溝道層，導熱層與溝道層共同熱退火，利用導熱層良好的導熱效果，在熱退火過程中導熱層傳導熱量加熱溝道層，以使溝道層均勻受熱，溝道層形成隨形覆蓋溝道孔的多晶半導體層，降低溝道層的電阻，提高了溝道層的導電性，有利于提高半導體結構的電性能。

技術特征：

1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，對所述溝道層和所述導熱層共同進行熱退火處理后，所述溝道層形成為隨形覆蓋所述溝道孔的側壁和底面的多晶半導體層。

3.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述導熱層包括依次形成的阻障層和金屬層，所述阻障層設于所述金屬層與所述溝道層之間。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述在所述溝道孔中形成絕緣層，包括：

5.根據權利要求4所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述絕緣層的頂面高于所述柵極的頂面、低于所述溝道孔的頂面，所述絕緣層暴露出所述溝道層的部分內側壁。

6.根據權利要求5所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述形成第二電極，包括：

7.根據權利要求6所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述形成金屬導電層，包括：依次形成金屬阻擋層和金屬導電層，所述金屬阻擋層設于所述金屬導電層與所述接觸層之間。

8.根據權利要求6所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述接觸層還覆蓋所述隔離層的頂面，所述接觸層設于所述金屬導電層與所述隔離層之間。

9.根據權利要求4所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述形成第二電極，包括：

10.根據權利要求4所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述在所述絕緣層上形成第二電極之前，還包括：

技術總結
本公開涉及一種半導體結構的制作方法，包括：提供襯底，在襯底上形成第一電極；在第一電極上形成柵極，柵極的頂面被隔離層覆蓋；形成貫穿隔離層、柵極的溝道孔，溝道孔暴露出第一電極的部分頂面；形成柵介質層，柵介質層覆蓋溝道孔的側壁；形成溝道層，溝道層覆蓋柵介質層以及溝道孔暴露出的第一電極的頂面；向溝道孔中填充導熱材料形成導熱層；對溝道層和導熱層共同進行熱退火處理后，去除導熱層；在溝道孔中形成絕緣層，絕緣層覆蓋溝道層的部分內側壁；在絕緣層上形成第二電極，第二電極與溝道層的頂部接觸連接。降低溝道層的電阻，提高了溝道層的導電性，有利于提高半導體結構的電性能。

技術研發(fā)人員：郭藝偉,蔡建成,孔果果
受保護的技術使用者：福建省晉華集成電路有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/26