背景技術(shù)：

1、直接接合和直接混合接合有時需要臨界公差。當(dāng)可以設(shè)計在接合界面處耦合電源、地線和信號線的各種方式時，這些工藝可以變得更加寬容，例如，允許一些未對準(zhǔn)，并允許較低的臨界公差，以便以更高的接合成品率提供更可靠的封裝件。

2、此外，晶片級封裝件和微電子元件的尺寸減小有時會被難以小型化的組件的必要包含所抑制。例如，有時封裝件依賴于分立電容的相對較大尺寸。如果封裝件不必依賴于大的組件，則封裝件可以做得更小。在其它情況下，集成電路設(shè)計中需要一定值的電容，并且如果可以將電容內(nèi)置到晶片級封裝件設(shè)計中，則可以簡化構(gòu)造過程。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、提供了微電子器件的直接接合的界面中的電容性耦合。在一實施方式中，微電子器件包括在接合界面處直接接合在一起的第一管芯和第二管芯、通過金屬-金屬直接接合在接合界面處形成的第一管芯和第二管芯之間的導(dǎo)電互連件、以及第一管芯和第二管芯之間的在接合界面處形成的電容性互連件。直接接合工藝在兩個管芯的介電表面之間產(chǎn)生直接接合，在兩個管芯的相應(yīng)導(dǎo)電互連件之間產(chǎn)生直接接合，以及在接合界面處在兩個管芯之間產(chǎn)生電容性耦合。在一實施方式中，每條信號線在接合界面處的電容性耦合包括每條信號線在接合界面處形成電容器的介電材料。電容性耦合產(chǎn)生于相同的直接接合工藝，該相同的直接接合工藝在相同的接合界面處產(chǎn)生直接接合在一起的導(dǎo)電互連件。

2、本
技術(shù)實現(xiàn)要素：
不旨在識別所要求保護的主題的關(guān)鍵或基本特征，也不旨在用作限制所要求保護的主題的范圍的輔助。

技術(shù)特征：

1.一種微電子器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子器件，其中所述第一管芯和所述第二管芯利用所述第一管芯和所述第二管芯的相應(yīng)非金屬表面之間的介電-介電直接接合在所述接合界面處直接接合在一起。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微電子器件，其中所述第一管芯與所述第二管芯之間的所述介電-介電直接接合產(chǎn)生所述電容性互連件的電容性耦合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子器件，其中所述電容性互連件包括所述第一管芯中的第一金屬和所述第二管芯中的第二金屬，所述第一金屬和所述第二金屬被介電介質(zhì)隔開。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微電子器件，其中所述第一管芯中的所述電容性互連件的所述第一金屬從所述接合界面凹陷，并且所述第二管芯中的所述電容性互連件的所述第二金屬與所述接合界面齊平。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微電子器件，其中所述第一管芯中的所述電容性互連件的所述第一金屬從所述接合界面凹陷，并且所述第二管芯中的所述電容性互連件的所述第二金屬也從所述接合界面凹陷。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微電子器件，其中所述電容性互連件的所述介電介質(zhì)包括二氧化硅、氮化硅、空氣或高介電材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微電子器件，其中所述電容性互連件的所述介電介質(zhì)包括選自包括空氣、二氧化硅、氮化硅和高介電材料的組的介電材料的組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微電子器件，其中所述電容性互連件的所述介電介質(zhì)包括相對于所述第一管芯和所述第二管芯之間的所述接合界面的水平面的介電材料的非對稱組合。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微電子器件，其中所述第一管芯中的所述第一金屬與所述第二管芯中的所述第二金屬之間的間隔距離被選擇，以便為所述電容性互連件提供電容值。

技術(shù)總結(jié)
提供了用于微電子器件的直接接合的界面中的電容性耦合。微電子器件包括在接合界面處直接接合在一起的第一管芯和第二管芯、通過金屬?金屬直接接合在接合界面處形成的第一管芯和第二管芯之間的導(dǎo)電互連件、以及在接合界面處形成的第一管芯和第二管芯之間的電容性互連件。直接接合工藝在兩個管芯的介電表面之間產(chǎn)生直接接合，在兩個管芯的相應(yīng)導(dǎo)電互連件之間產(chǎn)生直接接合，以及在接合界面處在兩個管芯之間產(chǎn)生電容性耦合。在一實施方式中，每條信號線在接合界面處的電容性耦合包括每條信號線在接合界面處形成電容器的介電材料。電容性耦合產(chǎn)生于相同的直接接合工藝，該相同的直接接合工藝在相同的接合界面處產(chǎn)生直接接合在一起的導(dǎo)電互連件。

技術(shù)研發(fā)人員：B·哈巴,A·R·西塔拉姆
受保護的技術(shù)使用者：伊文薩思公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30