1.一種微型led芯片的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型led芯片的制造方法，其特征在于：在所述深刻蝕所述外延疊層之前，還包括：通過(guò)刻蝕所述外延疊層，以同步獲得所述切割對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)及與其相鄰的溝道預(yù)設(shè)區(qū)和切割道預(yù)設(shè)區(qū)；所述溝道預(yù)設(shè)區(qū)和切割道預(yù)設(shè)區(qū)分別顯露對(duì)應(yīng)的所述第一型半導(dǎo)體層；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型led芯片的制造方法，其特征在于：在所述外延疊層的部分區(qū)域的所述切割道預(yù)設(shè)區(qū)表面形成光刻膠柵線(xiàn)圖形，并通過(guò)干法刻蝕工藝對(duì)所述外延疊層的全部區(qū)域的所述切割道預(yù)設(shè)區(qū)進(jìn)行刻蝕，露出所述襯底以形成所述切割道；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型led芯片的制造方法，其特征在于：采用具有柵線(xiàn)的光刻板通過(guò)曝光、顯影、堅(jiān)膜工藝圖形化光刻膠，使其形成所述光刻膠柵線(xiàn)圖形，具體包括以下工序：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型led芯片的制造方法，其特征在于：采用接近式曝光，光刻板與光刻膠的曝光間距為l1，光刻板單條柵線(xiàn)寬度為l2，曝光光源的波長(zhǎng)為l3，則，l3≤l2≤2l3；
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型led芯片的制造方法，其特征在于：所述光刻板還具有第一開(kāi)口，第一開(kāi)口對(duì)應(yīng)所述溝道預(yù)設(shè)區(qū)，經(jīng)曝光、顯影后，圖形化的光刻膠還顯露所述溝道預(yù)設(shè)區(qū)，沿顯露的溝道預(yù)設(shè)區(qū)刻蝕露出襯底形成所述溝道，同時(shí)所述切割對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)還包括所述溝道和切割道之間的刻蝕面；
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型led芯片的制造方法，其特征在于：各子外延疊層還包括透明導(dǎo)電層、絕緣層、第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)；其中，所述透明導(dǎo)電層設(shè)置于所述第二型臺(tái)面，且所述第二電極沉積于所述透明導(dǎo)電層的表面或通過(guò)第一通孔嵌入所述透明導(dǎo)電層的方式與所述第二型半導(dǎo)體層形成連接；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微型led芯片的制造方法，其特征在于：所述絕緣層包括沿背離所述襯底的方向依次層疊的刻蝕隔絕層和絕緣反射層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型led芯片的制造方法，其特征在于：形成第二通孔和第三通孔包括：先采用第一刻蝕氣體刻蝕絕緣反射層至刻蝕隔絕層的表面，然后采用第二刻蝕氣體繼續(xù)刻蝕顯露的刻蝕隔絕層至第一電極和第二電極的表面，形成貫穿絕緣反射層的第二通孔和第三通孔；
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微型led芯片的制造方法，其特征在于：所述第一焊盤(pán)與所述第二焊盤(pán)均沿背離彼此的方向延伸至所述溝道垂直方向上的所述絕緣層表面，且，所述第一焊盤(pán)與所述第二焊盤(pán)位于所述切割對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)所圍繞的區(qū)域內(nèi)。
11.一種微型led芯片，其特征在于，所述微型led芯片包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的微型led芯片，其特征在于：所述切割對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括部分所述外延疊層或至少部分第一型半導(dǎo)體層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的微型led芯片，其特征在于：所述子外延疊層還包括透明導(dǎo)電層、絕緣層、第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)；其中，所述透明導(dǎo)電層設(shè)置于所述第二型臺(tái)面，且所述第二電極沉積于所述透明導(dǎo)電層的表面或通過(guò)第一通孔嵌入所述透明導(dǎo)電層的方式與所述第二型半導(dǎo)體層形成連接；
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微型led芯片，其特征在于：所述第一焊盤(pán)與所述第二焊盤(pán)均沿背離彼此的方向延伸至所述溝道垂直方向上的所述絕緣層表面，且，所述第一焊盤(pán)與所述第二焊盤(pán)位于所述切割對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)所圍繞的區(qū)域內(nèi)。