1.一種降低uv衰減的topcon電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的topcon太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟六中正面沉積三層氮化硅層，先通入sih4、nh3流量分別為2000～3000sccm/min、9000～10000sccm/min，反應(yīng)時(shí)間為120～180s，沉積第一氮化硅層；再通入sih4、nh3流量分別為1600～2000sccm/min、11000～14000sccm/min，反應(yīng)時(shí)間分別為120～180s，沉積第二氮化硅層；最后通入sih4、nh3流量分別為1000～1500sccm/min、10000～15000sccm/min，反應(yīng)時(shí)間為220～280s，沉積第三氮化硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的topcon太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述第一氮化硅層的膜厚為16～20nm，折射率為2.10～2.30％；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的topcon太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟六中正面沉積兩層氮氧化硅層，依次通入流量比例為sih4:nh3:n2o＝(1000～1100):(4000～5000):(6000～7000)sccm/min、sih4:nh3:n2o＝(800～900):(3000～4000):(8000～9000)sccm/min的反應(yīng)氣體，反應(yīng)時(shí)間為110～130s，在電池表面依次沉積兩層膜厚為5～9nm的氮氧化硅膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的topcon太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟六中正面沉積一層氧化硅層，通入流量比例為nh3:n2o＝(800～1000):(10000～13000)sccm/min的反應(yīng)氣體，反應(yīng)時(shí)間為80～100s，在電池表面再沉積一層折射率為1.5～1.9％，膜厚為4～6mm的氧化硅薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的topcon太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟七中背面沉積三層氮化硅層，先通入流量比例為sih4:nh3＝(2000～3000):(9000～10000)sccm/min的反應(yīng)氣體，反應(yīng)時(shí)間為100～160s，在電池表面再沉積一層折射率為2.1～2.5％，膜厚為18～20mm的第一氮化硅層；再通入流量比例為sih4:nh3＝(1000～2000):(12000～13000)sccm/min的反應(yīng)氣體，反應(yīng)時(shí)間為160～200s，在電池表面再沉積一層折射率為2.0～2.2％，膜厚為20～24mm的第二氮化硅層；最后通入流量比例為sih4:nh3＝(1300～1500):(13000～15000)sccm/min的反應(yīng)氣體，反應(yīng)時(shí)間為200～260s，在電池表面再沉積一層折射率為1.8～2.0％，膜厚為18～20mm的第三氮化硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的topcon太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟五中正面沉積氧化鋁鈍化層，在真空狀態(tài)下，通入水蒸氣在硅體正表面形成一層羥基層并用氮?dú)獯祾?，再通入三基鋁蒸氣并用氮?dú)獯祾?，以上反?fù)循環(huán)34～36次，在正面形成一層5-7nm的氧化鋁鈍化層。
8.一種topcon太陽(yáng)能電池，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述制備方法得到。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的topcon太陽(yáng)能電池，其特征在于，包括硅片，硅片正面依次設(shè)置有p+擴(kuò)散層、氧化鋁鈍化層、正面減反射層和正面金屬電極，其背面依次設(shè)置有隧穿氧化層、摻雜多晶硅層、背面減反射層和背面金屬電極；
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的topcon太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述正面減反射層為所述三層氮化硅層/兩層氮氧化硅層/一層氧化硅層；所述背面減反射層為所述三層氮化硅層。