本發(fā)明涉及集成電路，尤其涉及一種基片通孔的制作方法、中介層的制作方法、封裝結(jié)構(gòu)的制作方法及封裝方法。

背景技術(shù)：

1、在集成電路的制造中，常常需要在硅襯底上制作硅通孔，以便使硅襯底上表面?zhèn)鹊碾娐放c硅襯底下表面?zhèn)鹊碾娐冯娺B接。硅通孔通常通過(guò)依次執(zhí)行以下工藝實(shí)現(xiàn)：在硅片的正面刻蝕深孔，在硅片及深孔表面設(shè)置氧化層，對(duì)深孔金屬化，對(duì)硅片背面進(jìn)行研磨減薄和干法刻蝕硅以使硅通孔從硅背面露出，在硅片背面淀積鈍化層，從背面對(duì)硅片的鈍化層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械剖光以使硅通孔從鈍化層中露出。

2、然而，這樣的硅通孔形成方法，對(duì)工藝均勻性具有非常高的要求。例如，如果干法刻蝕不均勻，則干法刻蝕后，不但硅片表面高低不平，而且會(huì)使硅通孔的露出高度具有較大差異。又例如，如果硅通孔深度均勻性不好，即有些硅通孔較深，有些硅通孔較淺，則硅片背面干法刻蝕后，也可能會(huì)使硅通孔的露出高度具有較大差異。硅通孔露出高度差異過(guò)大，不但會(huì)加大后續(xù)對(duì)鈍化層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械剖光的難度，還容易造成硅通孔露出部分的斷裂，降低良率。

3、針對(duì)硅通孔加工過(guò)程中工藝均勻性難以滿足，加工良率較差的問(wèn)題，相關(guān)技術(shù)中尚無(wú)有效的解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種基片通孔的制作方法、中介層的制作方法、封裝結(jié)構(gòu)的制作方法及封裝方法，能夠有效降低對(duì)工藝均勻性的要求，大大提高加工良率。

2、第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種基片通孔的制作方法，包括：提供襯底，所述襯底的第一表面形成有至少兩個(gè)第一孔洞，每個(gè)所述第一孔洞包括設(shè)置在孔的底部和側(cè)壁上的第一絕緣層，以及所述第一絕緣層上的第一金屬層；從所述襯底的第二表面對(duì)所述襯底進(jìn)行研磨減薄，以使所述第一孔洞從所述襯底的第二表面露出，其中，所述第二表面為所述襯底的與所述第一表面相對(duì)的表面；在所述襯底的第二表面設(shè)置第二絕緣層；刻蝕所述第二絕緣層中覆蓋所述第一孔洞的區(qū)域，以使所述第一孔洞從所述第二絕緣層露出，形成基片通孔。

3、在一種實(shí)施方式中，所述從所述襯底的第二表面對(duì)所述襯底進(jìn)行研磨減薄包括：從所述襯底的第二表面對(duì)所述襯底進(jìn)行物理研磨，以使所述第一孔洞從所述襯底的第二表面露出；從物理研磨后的所述襯底的第二表面對(duì)所述襯底進(jìn)行化學(xué)機(jī)械剖光，以使所述第二表面平整。

4、在一種實(shí)施方式中，所述從所述襯底的第二表面對(duì)所述襯底進(jìn)行研磨減薄之后，所述在所述襯底的第二表面設(shè)置第二絕緣層之前，所述方法還包括：清洗所述襯底以去除研磨產(chǎn)生的研磨顆粒，所述研磨顆粒包括金屬顆粒。

5、在一種實(shí)施方式中，所述在所述襯底的第二表面設(shè)置第二絕緣層包括：通過(guò)在所述襯底的第二表面依次沉積二氧化硅和氮化硅，形成所述第二絕緣層；或者，通過(guò)在所述襯底的第二表面涂覆預(yù)設(shè)有機(jī)材料，形成所述第二絕緣層。

6、在一種實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)有機(jī)材料具有感光性；所述刻蝕所述第二絕緣層中覆蓋所述第一孔洞的區(qū)域，包括：通過(guò)對(duì)所述預(yù)設(shè)有機(jī)材料進(jìn)行曝光、顯影，去除所述第二絕緣層中覆蓋所述第一孔洞的區(qū)域。

7、在一種實(shí)施方式中，所述刻蝕所述第二絕緣層中覆蓋所述第一孔洞的區(qū)域，以使所述第一孔洞從所述第二絕緣層露出包括：在所述第二絕緣層上涂覆光刻膠；通過(guò)曝光、顯影將所述第一孔洞對(duì)應(yīng)區(qū)域的光刻膠去除，得到光刻圖案層；以所述光刻圖案層為掩?？涛g所述第二絕緣層，以使所述第一孔洞從所述第二絕緣層露出。

8、在一種實(shí)施方式中，所述以所述光刻圖案層為掩模刻蝕所述第二絕緣層包括：以所述光刻圖案層為掩模，對(duì)所述第二絕緣層的從所述光刻圖案層暴露的區(qū)域進(jìn)行干法刻蝕。

9、在一種實(shí)施方式中，所述以所述光刻圖案層為掩?？涛g所述第二絕緣層之后，所述方法還包括：去除所述光刻圖案層，或者，將所述光刻圖案層固化在所述第二絕緣層上。

10、在一種實(shí)施方式中，所述第一孔洞的底部橫截面大于所述第一孔洞的頂部橫截面。

11、在一種實(shí)施方式中，所述第二絕緣層的厚度為1微米至2微米。

12、在一種實(shí)施方式中，所述襯底包括以下任一種：硅襯底、玻璃襯底、陶瓷襯底。

13、第二方面，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種中介層的制作方法，包括：提供第一襯底，所述第一襯底的第一表面形成有至少兩個(gè)第一孔洞，每個(gè)所述第一孔洞包括設(shè)置在孔的底部和側(cè)壁上的第一絕緣層，以及所述第一絕緣層上的第一金屬層；在所述第一襯底的所述第一表面制作第一金屬凸塊，以使所述第一金屬凸塊與所述第一孔洞耦合，得到第二襯底；對(duì)所述第二襯底應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例提供的任一種所述的基片通孔的制作方法，以使所述第一孔洞形成所述基片通孔；在所述第二襯底的所述第二表面制作第二金屬凸塊，以使所述第二金屬凸塊與所述基片通孔耦合。

14、在一種實(shí)施方式中，所述在所述第一襯底的所述第一表面制作第一金屬凸塊，以使所述第一金屬凸塊與所述第一孔洞耦合包括：在所述第一襯底的第一表面制作第一重布線層；在所述第一重布線層上制作所述第一金屬凸塊，所述第一金屬凸塊通過(guò)所述第一重布線層與所述第一孔洞耦合。

15、在一種實(shí)施方式中，所述在所述第二襯底的所述第二表面制作第二金屬凸塊，以使所述第二金屬凸塊與所述基片通孔耦合包括：在所述第二襯底的第二表面制作第二重布線層；在所述第二重布線層上制作所述第二金屬凸塊，所述第二金屬凸塊通過(guò)所述第二重布線層與所述基片通孔耦合。

16、第三方面，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：提供中介層和封裝基板，所述中介層基于本發(fā)明的實(shí)施例提供的任一種中介層的制作方法制作；通過(guò)所述中介層的所述第二金屬凸塊，將所述中介層與所述封裝基板耦合，得到所述封裝結(jié)構(gòu)。

17、第四方面，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種封裝方法，包括：提供待封裝芯片以及封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)基于本發(fā)明的實(shí)施例提供的任一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法制作；通過(guò)所述第一金屬凸塊，將所述待封裝芯片與所述封裝結(jié)構(gòu)耦合。

18、本發(fā)明的實(shí)施例提供的基片通孔的制作方法、中介層的制作方法、封裝結(jié)構(gòu)的制作方法及封裝方法，在對(duì)襯底進(jìn)行研磨減薄操作時(shí)，直接將第一孔洞從襯底的第二表面露出，后續(xù)通過(guò)對(duì)第二絕緣層進(jìn)行刻蝕，即可實(shí)現(xiàn)第一孔洞從第二絕緣層的露出，相比較于現(xiàn)有技術(shù)研磨減薄后再通過(guò)干法刻蝕將第一孔洞從襯底的第二表面露出時(shí)各第一孔洞仍然保持著各自原有的刻蝕深度，本發(fā)明提供的基片通孔的制作方法，一方面由于研磨減薄后，襯底的第二表面仍然保持齊平，因此無(wú)論各第一孔洞原來(lái)的深度是否一致，研磨后的各第一孔洞的深度都能保持一致，從而能夠有效消除各第一孔洞刻蝕深度不一致的影響，另一方面，由于刻蝕第二絕緣層以使第一孔洞露出時(shí)，絕緣層材料與第一孔洞中的第一金屬層材料對(duì)刻蝕劑的敏感程度不同，具有較高的刻蝕選擇比，因此能夠容忍對(duì)第二絕緣層一定程度的過(guò)刻蝕，從而大大降低了第二絕緣層的均勻性要求以及對(duì)第二絕緣層刻蝕工藝的均勻性要求，故，本發(fā)明的實(shí)施例提供的基片通孔的制作方法能夠有效降低對(duì)加工工藝均勻性的要求，有效提高加工良率。

技術(shù)特征：

1.一種基片通孔的制作方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述從所述襯底的第二表面對(duì)所述襯底進(jìn)行研磨減薄包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述從所述襯底的第二表面對(duì)所述襯底進(jìn)行研磨減薄之后，所述在所述襯底的第二表面設(shè)置第二絕緣層之前，所述方法還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底的第二表面設(shè)置第二絕緣層包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)有機(jī)材料具有感光性；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕所述第二絕緣層中覆蓋所述第一孔洞的區(qū)域，以使所述第一孔洞從所述第二絕緣層露出包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述以所述光刻圖案層為掩?？涛g所述第二絕緣層包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述以所述光刻圖案層為掩模刻蝕所述第二絕緣層之后，所述方法還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一孔洞的底部橫截面大于所述第一孔洞的頂部橫截面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二絕緣層的厚度為1微米至2微米。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底包括以下任一種：硅襯底、玻璃襯底、陶瓷襯底。

12.一種中介層的制作方法，其特征在于，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述在所述第一襯底的所述第一表面制作第一金屬凸塊，以使所述第一金屬凸塊與所述第一孔洞耦合包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述在所述第二襯底的所述第二表面制作第二金屬凸塊，以使所述第二金屬凸塊與所述基片通孔耦合包括：

15.一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

16.一種封裝方法，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)一種基片通孔的制作方法、中介層的制作方法、封裝結(jié)構(gòu)的制作方法及封裝方法，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，能夠有效降低對(duì)工藝均勻性的要求，大大提高加工良率。所述基片通孔的制作方法包括：提供襯底，襯底的第一表面形成有至少兩個(gè)第一孔洞，每個(gè)所述第一孔洞包括設(shè)置在孔的底部和側(cè)壁上的第一絕緣層，以及第一絕緣層上的第一金屬層；從襯底的第二表面對(duì)所述襯底進(jìn)行研磨減薄，以使所述第一孔洞從所述襯底的第二表面露出，其中，所述第二表面為所述襯底的與所述第一表面相對(duì)的表面；在所述襯底的第二表面設(shè)置第二絕緣層；刻蝕所述第二絕緣層中覆蓋所述第一孔洞的區(qū)域，以使所述第一孔洞從所述第二絕緣層露出，形成基片通孔。

技術(shù)研發(fā)人員：方英舉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：海光信息技術(shù)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2