本發(fā)明涉及顯示設(shè)備領(lǐng)域，特別是一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

1、amoled(active-matrix?organic?light-emitting?diode，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體)顯示技術(shù)被視為下一代顯示技術(shù)，具有反應(yīng)速度快、對(duì)比度高、視角廣、能耗低等特點(diǎn)。隨著科技的高速發(fā)展，人們對(duì)amoled顯示屏的顯示畫面品質(zhì)需求也越來(lái)越高，對(duì)低灰階畫面均一性要求也越來(lái)越高。目前，amoled顯示屏在低灰階顯示時(shí)便會(huì)在屏體邊緣出現(xiàn)貫穿的直線型缺陷(mura)，主要表現(xiàn)為亮度顯示不均勻等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，以解決現(xiàn)有顯示面板在低灰階顯示時(shí)便會(huì)在屏體邊緣出現(xiàn)貫穿的直線型缺陷的問(wèn)題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法，其包括以下步驟：在襯底層上形成有源層；在所述襯底層上形成覆蓋所述有源層的柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成第一金屬層；在所述柵極絕緣層上形成電容介質(zhì)模組；通過(guò)高溫活化工藝將所述有源層氫化；在所述電容介質(zhì)模組上形成層間介質(zhì)模組；在所述有源層背離所述襯底層的一側(cè)形成過(guò)孔，并在所述過(guò)孔中填充第三金屬層。

3、進(jìn)一步地，在所述柵極絕緣層上形成電容介質(zhì)模組步驟中包括：在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述有源層的一表面上形成一層覆蓋所述第一金屬層的第一介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一表面上形成第二介質(zhì)層。

4、進(jìn)一步地，所述第一介質(zhì)層的厚度小于或等于500埃米；所述電容介質(zhì)模組的厚度為1000-1400埃米。

5、進(jìn)一步地，所述第一介質(zhì)層的材料中包括硅氮化物；所述第二介質(zhì)層的材料中包括硅氧化物。

6、進(jìn)一步地，在所述電容介質(zhì)模組上形成層間介質(zhì)模組步驟中包括：在所述電容介質(zhì)模組遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一表面上形成第三介質(zhì)層；在所述第三介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述電容介質(zhì)模組的一表面上形成第四介質(zhì)層。

7、進(jìn)一步地，所述第三介質(zhì)層的材料中包括硅氧化物；所述第四介質(zhì)層的材料中包括硅氮化物；優(yōu)選地，所述層間介質(zhì)模組的厚度大于所述電容介質(zhì)模組的厚度。

8、進(jìn)一步地，在所述電容介質(zhì)模組上形成層間介質(zhì)模組步驟前包括：在所述電容介質(zhì)模組遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一表面上形成第二金屬層。

9、進(jìn)一步地，在所述有源層背離所述襯底層的一側(cè)形成過(guò)孔，并在所述過(guò)孔中填充第三金屬層步驟中包括以下步驟：在所述層間介質(zhì)模組、所述電容介質(zhì)模組和所述柵極絕緣層中開設(shè)所述過(guò)孔；在所述層間介質(zhì)模組遠(yuǎn)離所述電容介質(zhì)模組的一表面上形成所述第三金屬層，所述第三金屬層填充所述過(guò)孔。

10、本發(fā)明中還提供一種陣列基板，該陣列基板采用如上的所述陣列基板制備方法所制備而成。

11、本發(fā)明中還提供一種顯示面板，該顯示面板包括如上所述的陣列基板。

12、本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：本發(fā)明的一種陣列基板及其制備方法、顯示面板中，取消了相關(guān)工藝技術(shù)中在層間介質(zhì)膜層開孔后會(huì)進(jìn)行高溫退火的步驟，開孔后無(wú)需進(jìn)行高溫操作，從而解決由于氫離子通過(guò)過(guò)孔溢出而導(dǎo)致的有源層中氫離子含量均一性差的問(wèn)題，進(jìn)而提高顯示面板在進(jìn)行低灰畫面顯示時(shí)的畫面均一性。

技術(shù)特征：

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述柵極絕緣層上形成電容介質(zhì)模組步驟中包括：

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，

4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述電容介質(zhì)模組上形成層間介質(zhì)模組步驟中包括：

6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，

7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述電容介質(zhì)模組上形成層間介質(zhì)模組步驟前包括：

8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述有源層背離所述襯底層的一側(cè)形成過(guò)孔，并在所述過(guò)孔中填充第三金屬層步驟包括：

9.一種陣列基板，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的陣列基板制備方法所制備而成。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的陣列基板。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種陣列基板的制備方法、顯示面板。該制備方法包括步驟：在襯底層上形成有源層；在襯底層上形成覆蓋有源層的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成第一金屬層；在柵極絕緣層上形成電容介質(zhì)模組；通過(guò)高溫活化工藝將有源層氫化；在電容介質(zhì)模組上形成層間介質(zhì)模組。本發(fā)明通過(guò)取消在層間介質(zhì)膜層開孔后會(huì)進(jìn)行高溫退火的步驟，從而解決由于氫離子通過(guò)過(guò)孔溢出而導(dǎo)致的有源層中氫離子含量均一性差的問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：胡雙,王建磊,楊敬一,李文佳,李天宇,黎韜
受保護(hù)的技術(shù)使用者：云谷（固安）科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2