本申請屬于顯示，具體涉及一種陣列基板及光電探測器。

背景技術(shù)：

1、采用柔性有源矩陣顯示技術(shù)制成的x射線光電探測器廣泛應(yīng)用于醫(yī)療診斷領(lǐng)域，同時在完整性分析的安全性成像和無損檢測方面也較普及。該光電探測器通過閃爍體將x射線轉(zhuǎn)換為可見光，可見光由陣列基板上的pin光電二極管陣列接收，其產(chǎn)生的pin光電流信號由薄膜晶體管tft讀取，形成高分辨圖像。

2、如何改善現(xiàn)有的光電探測器的泄露電流是至關(guān)重要并亟需解決的課題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N陣列基板及光電探測器，能夠降低泄漏電流的問題，降低光電探測器的信噪比，提高圖像輸出清晰度。

2、為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的一個技術(shù)方案是：提供一種陣列基板，包括光電二極管，所述光電二極管包括依次層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層背離所述本征半導(dǎo)體層的一側(cè)表面為進光面；其中，所述第一半導(dǎo)體層與所述本征半導(dǎo)體層之間，和/或，所述第二半導(dǎo)體層與所述本征半導(dǎo)體層之間設(shè)置有漏電流阻隔層，所述漏電流阻隔層與所述本征半導(dǎo)體層之間形成有異質(zhì)結(jié)。

3、優(yōu)選地，所述漏電流阻隔層包括第一漏電流阻隔層和第二漏電流阻隔層，所述第一漏電流阻隔層位于所述第一半導(dǎo)體層與所述本征半導(dǎo)體層之間，所述第二漏電流阻隔層位于所述第二半導(dǎo)體層與所述本征半導(dǎo)體層之間，其中，所述第一漏電流阻隔層與所述第二漏電流阻隔層的材料相同，和/或，所述第一漏電流阻隔層與所述第二漏電流阻隔層的厚度相同。

4、優(yōu)選地，所述本征半導(dǎo)體層的材料包括非晶硅，所述漏電流阻隔層的材料包括納米晶硅或非晶硅，其中，所述漏電流阻隔層的所述非晶硅的結(jié)晶度大于所述本征半導(dǎo)體層的所述非晶硅的結(jié)晶度。

5、優(yōu)選地，所述漏電流阻隔層的厚度范圍為3-7nm；

6、優(yōu)選地，所述第一半導(dǎo)體層為p型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層為n型半導(dǎo)體層。

7、優(yōu)選地，所述漏電流阻隔層在所述本征半導(dǎo)體層上的正投影覆蓋所述本征半導(dǎo)體層。

8、優(yōu)選地，所述本征半導(dǎo)體層和所述漏電流阻隔層均通過等離子增強化學(xué)氣相沉積形成。

9、優(yōu)選地，所述漏電流阻隔層的沉積壓力為350±30mpa，沉積溫度為250±20℃；或者，所述漏電流阻隔層的沉積壓力為200±80mpa，沉積溫度為300±20℃。

10、優(yōu)選地，所述光電二極管還包括：遮光塊，所述遮光塊至少設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層背離所述本征半導(dǎo)體層一側(cè)，且設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層的邊緣位置處，所述遮光塊的透過率小于所述第一半導(dǎo)體層的透過率。

11、優(yōu)選地，所述遮光塊呈環(huán)形結(jié)構(gòu)。

12、優(yōu)選地，所述第一半導(dǎo)體層還包括與所述進光面連接的側(cè)面，所述遮光塊進一步延伸至覆蓋至少部分所述側(cè)面。

13、優(yōu)選地，所述遮光塊覆蓋全部所述側(cè)面。

14、優(yōu)選地，所述遮光塊的厚度范圍為3-7nm；和/或，所述遮光塊在所述進光面延伸方向上的寬度為18-22nm。

15、優(yōu)選地，所述遮光塊的材料包括金屬。

16、優(yōu)選地，所述遮光塊包括鉬層，或者，所述遮光塊包括依次層疊設(shè)置的第一鈦層、鋁層和第二鈦層。

17、為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種光電探測器，包括任一實施例所述的陣列基板和閃爍體，所述陣列基板還包括第一電極、第二電極和薄膜晶體管，所述第一電極設(shè)置在第一半導(dǎo)體層背離所述本征半導(dǎo)體層的一側(cè)，所述第二電極設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層背離所述本征半導(dǎo)體層的一側(cè)，所述薄膜晶體管與所述第二電極電連接；所述閃爍體位于所述陣列基板的進光面一側(cè)。

18、區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)情況，本申請的有益效果是：本申請所提供的陣列基板的光電二極管中的第一半導(dǎo)體層與本征半導(dǎo)體層之間，和/或，第二半導(dǎo)體層與本征半導(dǎo)體層之間設(shè)置有漏電流阻隔層，漏電流阻隔層與本征半導(dǎo)體層之間形成有異質(zhì)結(jié)。該異質(zhì)結(jié)的形成調(diào)控了光電二極管中的帶隙分布，形成勢壘阻止了載流子的移動，從而阻止了漏電流的傳輸，降低了光電探測器工作過程中本征半導(dǎo)體層產(chǎn)生的漏電影響，從而降低了光電探測器的信噪比，并提高了光電探測器輸出圖像的清晰度。

技術(shù)特征：

1.一種陣列基板，其特征在于，包括光電二極管，所述光電二極管包括依次層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層背離所述本征半導(dǎo)體層的一側(cè)表面為進光面；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述光電二極管還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，

10.一種光電探測器，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種陣列基板及光電探測器，包括光電二極管，所述光電二極管包括依次層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層背離所述本征半導(dǎo)體層的一側(cè)表面為進光面；其中，所述第一半導(dǎo)體層與所述本征半導(dǎo)體層之間，和/或，所述第二半導(dǎo)體層與所述本征半導(dǎo)體層之間設(shè)置有漏電流阻隔層，所述漏電流阻隔層與所述本征半導(dǎo)體層之間形成有異質(zhì)結(jié)。通過上述方式，本申請能夠降低泄漏電流的問題，降低光電探測器的信噪比，提高圖像輸出清晰度。

技術(shù)研發(fā)人員：王孟月,李田生,鐘昆璟,任慶榮
受保護的技術(shù)使用者：合肥維信諾科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2