本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝，具體地說(shuō)是一種高散熱lqfp封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體封裝使用塑封膠體包裹芯片ic用以起到保護(hù)芯片和內(nèi)部線路不被破壞及散熱的作用，目前塑封膠體的導(dǎo)熱系數(shù)為0.9w/(m·k)，隨著半導(dǎo)體的發(fā)展，越來(lái)越多的高功率器件應(yīng)運(yùn)而生，對(duì)于散熱性的要求越來(lái)越大，以塑封膠體作為主要散熱媒介的封裝形式已無(wú)法滿足高散熱需求。

2、lqfplow-profile?quad?flat?package是一種塑封體的厚度為1.4mm的封裝規(guī)格，現(xiàn)有的lqfp的封裝結(jié)構(gòu)如圖1所示，芯片和導(dǎo)線架底座整體包裹在塑封膠體內(nèi)，芯片和導(dǎo)線架底座上下的膠體厚度在600μm左右，對(duì)于大功率的產(chǎn)品散熱性能不佳。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種高散熱lqfp封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，設(shè)計(jì)一種高散熱lqfp封裝結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)線架底座，導(dǎo)線架底座的上方設(shè)有芯片，芯片上方的外側(cè)通過(guò)引線與導(dǎo)腳的一端連接，芯片中間的上方設(shè)有銅塊一，銅塊一的上方設(shè)有銅塊二，導(dǎo)線架底座、芯片、銅塊一、銅塊二外包裹有塑封膠體，導(dǎo)線架底座露出塑封膠體的底部，銅塊二露出塑封膠體的頂部，導(dǎo)腳與引線連接的一端包裹在塑封膠體的內(nèi)部側(cè)面，導(dǎo)腳的另一端伸出塑封膠體。

3、所述芯片與導(dǎo)線架底座之間設(shè)有第一膠膜層，銅塊一和芯片之間設(shè)有第二膠膜層，銅塊二和銅塊一之間設(shè)有第三膠膜層。

4、所述第一膠膜層為銀膠或高導(dǎo)熱daf膜，所述第二膠膜層和第三膠膜層為高導(dǎo)熱daf膜。

5、所述導(dǎo)線架底座的底部外側(cè)和銅塊二的頂部外側(cè)設(shè)有鎖膜凹槽。

6、本發(fā)明還提供一種上述的高散熱lqfp封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，包括：

7、s1：用銀膠或高導(dǎo)熱daf膠膜將芯片貼到導(dǎo)線架底座上，芯片和導(dǎo)線架底座之間形成第一膠膜層；

8、s2：第一次烘烤使第一膠膜層固化；

9、s3：用引線將芯片與導(dǎo)腳鍵合；

10、s4：在芯片上用高導(dǎo)熱daf膠膜貼裝銅塊一，芯片和銅塊一之間形成第二膠膜層；

11、s5：在銅塊一上用高導(dǎo)熱daf膠膜貼裝銅塊二，銅塊二和銅塊一之間形成第三膠膜層；

12、s6：第二次烘烤使第二膠膜層和第三膠膜層的上下兩側(cè)粘合；

13、s7：將導(dǎo)線架底座放入塑封模腔進(jìn)行塑封，塑封膜腔的高度小于整體疊加結(jié)構(gòu)的厚度；

14、s8：第三次烘烤使塑封膠體和高導(dǎo)熱daf膜完全固化；

15、s9：分割后折彎導(dǎo)腳成型。

16、所述導(dǎo)線架底座的厚度為127um，第一膠膜層的厚度為23um，芯片的厚度為350um，銅塊一的厚度為400um，銅塊二的厚度為400um，塑封前第二膠膜層的厚度為70~80um，第三膠膜層的厚度為70~80um。

17、所述步驟s1中的芯片的制備方法包括：

18、s1.1：將晶圓減?。?/p>

19、s1.2：將晶圓貼至支撐膜上；

20、s1.3：將晶圓分割成獨(dú)立的芯片。

21、所述步驟s4中的銅片一的制備方法包括：

22、s4.1：將銅片的一面與高導(dǎo)熱daf膠膜結(jié)合；

23、s4.2：將銅片分割形成銅塊一。

24、所述步驟s5中的銅片二的制備方法包括：

25、s5.1：在銅片的一面刻蝕凹槽；

26、s5.2：將銅片的另一面與高導(dǎo)熱daf膠膜結(jié)合；

27、s5.3：沿凹槽中心線將銅片分割，形成銅塊二。

28、本發(fā)明同現(xiàn)有技術(shù)相比，在不改變lqfp整體封裝結(jié)構(gòu)的尺寸下，進(jìn)行內(nèi)部疊構(gòu)，將導(dǎo)線架底座和散熱銅片露出，使散熱性能得到提升；并利用高導(dǎo)熱daf膠膜的彈性使封裝時(shí)銅塊二和導(dǎo)線架底座貼合在模具表面，注塑后銅塊二和導(dǎo)線架底座直接裸露在外，不需要進(jìn)行打磨。

技術(shù)特征：

1.一種高散熱lqfp封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括導(dǎo)線架底座（1），導(dǎo)線架底座（1）的上方設(shè)有芯片（3），芯片（3）上方的外側(cè)通過(guò)引線（4）與導(dǎo)腳（5）的一端連接，芯片（3）中間的上方設(shè)有銅塊一（7），銅塊一（7）的上方設(shè)有銅塊二（9），導(dǎo)線架底座（1）、芯片（3）、銅塊一（7）、銅塊二（9）外包裹有塑封膠體（10），導(dǎo)線架底座（1）露出塑封膠體（10）的底部，銅塊二（9）露出塑封膠體（10）的頂部，導(dǎo)腳（5）與引線（4）連接的一端包裹在塑封膠體（10）的內(nèi)部側(cè)面，導(dǎo)腳（5）的另一端伸出塑封膠體（10）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高散熱lqfp封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述芯片（3）與導(dǎo)線架底座（1）之間設(shè)有第一膠膜層（2），銅塊一（7）和芯片（3）之間設(shè)有第二膠膜層（6），銅塊二（7）和銅塊一（7）之間設(shè)有第三膠膜層（8）。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高散熱lqfp封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一膠膜層（2）為銀膠或高導(dǎo)熱daf膜，所述第二膠膜層（6）和第三膠膜層（8）為高導(dǎo)熱daf膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高散熱lqfp封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述導(dǎo)線架底座（1）的底部外側(cè)和銅塊二（9）的頂部外側(cè)設(shè)有鎖膜凹槽（11）。

5.一種如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的高散熱lqfp封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高散熱lqfp封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：所述導(dǎo)線架底座（1）的厚度為127um，第一膠膜層（2）的厚度為23um，芯片（3）的厚度為350um，銅塊一（7）的厚度為400um，銅塊二（9）的厚度為400um，塑封前第二膠膜層（6）的厚度為70~80um，第三膠膜層（8）的厚度為70~80um。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高散熱lqfp封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：所述步驟s1中的芯片的制備方法包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高散熱lqfp封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：所述步驟s4中的銅片一的制備方法包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高散熱lqfp封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：所述步驟s5中的銅片二的制備方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種高散熱LQFP封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。包括導(dǎo)線架底座，導(dǎo)線架底座的上方設(shè)有芯片，芯片上方的外側(cè)通過(guò)引線與導(dǎo)腳的一端連接，芯片中間的上方設(shè)有銅塊一，銅塊一的上方設(shè)有銅塊二，導(dǎo)線架底座、芯片、銅塊一、銅塊二外包裹有塑封膠體，導(dǎo)線架底座露出塑封膠體的底部，銅塊二露出塑封膠體的頂部。同現(xiàn)有技術(shù)相比，在不改變LQFP整體封裝結(jié)構(gòu)的尺寸下，進(jìn)行內(nèi)部疊構(gòu)，將導(dǎo)線架底座和散熱銅片露出，使散熱性能得到提升；并利用高導(dǎo)熱DAF膠膜的彈性使封裝時(shí)銅塊二和導(dǎo)線架底座貼合在模具表面，注塑后銅塊二和導(dǎo)線架底座直接裸露在外，不需要進(jìn)行打磨。

技術(shù)研發(fā)人員：陳健,張洪波,范怡雯,程晉紅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：宏茂微電子（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6