本發(fā)明涉及通信，尤其涉及一種移相器及天線。

背景技術(shù)：

1、液晶天線基于液晶分子各向異性的特點，利用電信號控制液晶分子的取向，從而改變各移相器單元的介電參數(shù)，藉以控制各移相器單元中射頻信號的相位，最終實現(xiàn)對天線輻射波束指向的控制，液晶天線可廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信、5g毫米波基站等場景。

2、然而，目前液晶天線在一些工作狀態(tài)下存在液晶分子偏轉(zhuǎn)響應(yīng)時間較長的問題，導(dǎo)致液晶天線無法快速完成波束指向變化，進而會影響天線的跟蹤性能。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種移相器及天線，以提高波束轉(zhuǎn)向的響應(yīng)速度。

2、根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種移相器，包括：

3、相對設(shè)置的第一基板和第二基板；

4、至少一個移相單元，所述移相單元包括微帶線、輔助電極、液晶層和接地金屬層；

5、所述液晶層位于所述第一基板和所述第二基板之間；

6、所述微帶線位于所述第二基板靠近所述液晶層的一側(cè)；

7、所述接地金屬層位于所述第一基板靠近所述液晶層的一側(cè)；

8、所述輔助電極位于所述第一基板和所述液晶層之間，和/或，所述輔助電極位于所述第二基板和所述液晶層之間。

9、根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種天線，包括第一方面所述的移相器。

10、本發(fā)明實施例提供的移相器及天線，通過在第一基板和液晶層之間，和/或，第二基板和液晶層之間設(shè)置輔助電極，輔助電極用于在液晶層中形成橫向電場，以通過電場力驅(qū)動液晶層中的液晶分子向第一方向偏轉(zhuǎn)，從而提高液晶分子向第一方向偏轉(zhuǎn)的速度，減少液晶分子向第一方向進行偏轉(zhuǎn)的響應(yīng)時間，提高波束轉(zhuǎn)向的速度，進而提高天線的跟蹤性能。

11、應(yīng)當理解，本部分所描述的內(nèi)容并非旨在標識本發(fā)明的實施例的關(guān)鍵或重要特征，也不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。

技術(shù)特征：

1.一種移相器，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相器，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的移相器，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的移相器，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的移相器，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的移相器，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的移相器，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的移相器，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的移相器，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的移相器，其特征在于，

11.根據(jù)權(quán)利要求7-10任一項所述的移相器，其特征在于，

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的移相器，其特征在于，

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相器，其特征在于，

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相器，其特征在于，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的移相器，其特征在于，

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的移相器，其特征在于，

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的移相器，其特征在于，

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的移相器，其特征在于，

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的移相器，其特征在于，

20.一種天線，其特征在于，包括權(quán)利要求1-19任一項所述的移相器。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種移相器及天線，其中，移相器包括相對設(shè)置的第一基板和第二基板，以及至少一個移相單元，移相單元包括微帶線、輔助電極、液晶層和接地金屬層，輔助電極位于第一基板和液晶層之間，和/或，輔助電極位于第二基板和液晶層之間。本發(fā)明實施例提供的移相器及天線，通過輔助電極產(chǎn)生的電場力驅(qū)動液晶層中的液晶分子向第一方向偏轉(zhuǎn)，以提高液晶分子向第一方向偏轉(zhuǎn)的速度，減少液晶分子向第一方向進行偏轉(zhuǎn)的響應(yīng)時間，提高波束轉(zhuǎn)向的速度，進而提高天線的跟蹤性能。

技術(shù)研發(fā)人員：包異凡,林柏全,邢一凡,韓笑男,陳濤華
受保護的技術(shù)使用者：上海天馬微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26