本發(fā)明涉及一種改善芯片翻膜作業(yè)中損失的方法，屬于led制程的后道翻膜作業(yè)。

背景技術(shù)：

1、led作為21世紀的照明新光源，同樣亮度下，半導(dǎo)體燈耗電僅為普通白熾燈的l/10，而壽命卻可以延長100倍。led器件是冷光源，光效高，工作電壓低，耗電量小，體積小，可平面封裝，易于開發(fā)輕薄型產(chǎn)品，結(jié)構(gòu)堅固且壽命很長，光源本身不含汞、鉛等有害物質(zhì)，無紅外和紫外污染，不會在生產(chǎn)和使用中產(chǎn)生對外界的污染。因此，半導(dǎo)體燈具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長等特點，如同晶體管替代電子管一樣，半導(dǎo)體燈替代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈，也將是大勢所趨。無論從節(jié)約電能、降低溫室氣體排放的角度，還是從減少環(huán)境污染的角度，led作為新型照明光源都具有替代傳統(tǒng)照明光源的極大潛力。led芯片發(fā)光效率高，顏色范圍廣，使用壽命長，已被廣泛應(yīng)用于大屏顯示、背光、景觀照明、交通信號燈、汽車狀態(tài)顯示等各個領(lǐng)域。

2、在led芯片制備工藝中，芯片經(jīng)過清洗、蒸鍍、光刻、研磨、切割等工藝制程后，由芯片變成一顆顆獨立的管芯并粘附在藍膜上，然后進一步經(jīng)過翻膜、檢驗、分檔等工步后變成成品入庫。因此，可以看到芯片后端的工藝制程作業(yè)都與藍膜有直接密切關(guān)系，在實際的翻膜作業(yè)過程中，主要依靠人工動作來進行翻膜，膜與芯片之間的粘附性，膜與膜之間的粘附性存在差異，在翻膜作業(yè)過程中，經(jīng)常性出現(xiàn)芯片粘附在原來的藍膜上沒有翻下來的現(xiàn)象，未翻下來的芯片就會被導(dǎo)致芯片之間位置的錯位造成芯片損失。因此如何在翻膜作業(yè)過程中有效避免這種損失成了翻膜作業(yè)中的急需解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種改善芯片翻膜作業(yè)中損失的方法，在原來壓膜機壓膜后翻膜出現(xiàn)的芯片錯位損失的情況，增加一步自制布錘壓膜并邊壓膜邊揭膜的作業(yè)，解決了原單純壓膜機作業(yè)中出現(xiàn)的芯片錯位損失情況，有效解決了生產(chǎn)制程中存在的問題。

2、術(shù)語解釋：

3、1、翻膜：在芯片作業(yè)中，指芯片從一張膜被倒到另外一張膜上的作業(yè)，芯片正、反面進行顛倒。

4、2、錯位：芯片從一張藍膜翻到另外一張膜上的時候，有些許芯片殘留在原來的藍膜上的異常損失。

5、本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

6、一種改善芯片翻膜作業(yè)中損失的方法，包括如下步驟；

7、(1)裁剪翻膜用藍膜：根據(jù)切割擴膜后的芯片大小裁剪出翻膜用的藍膜；

8、(2)選擇合適的翻膜用遮板：遮板是提前制備好的隔開兩張藍膜的翻膜用輔助工具，遮板的中心設(shè)置有空洞，空洞形狀與芯片形狀一致；

9、(3)芯片貼敷藍膜：將待翻膜的芯片放置在平臺上，然后將遮板、翻膜用藍膜依次貼敷在待翻膜的芯片所在的藍膜上，此時芯片嵌入在遮板中心的空洞中，芯片與翻膜用藍膜相接觸；

10、(4)將步驟(3)中貼敷好藍膜的芯片放置在壓膜機上，通過壓膜機按壓芯片一定時間，取下芯片；

11、(5)翻膜：待藍膜冷卻后按照從芯片一側(cè)對角線位置開始進行翻片，在翻片過程中，邊通過布錘壓膜邊翻片，直到將藍膜完全從芯片上揭下來，翻膜完成；

12、(6)在翻模后，對于芯片錯位處重新采用布錘進行人工壓膜，可以作為對步驟(5)的雙重保險，防止異常發(fā)生。

13、現(xiàn)有技術(shù)在翻膜過程中經(jīng)常存在壓膜過程中芯片受力不均或者藍膜厚度輕微差異影響造成芯片出現(xiàn)錯位的情況，本發(fā)明增加布錘壓膜，對于步驟(5)中出現(xiàn)的芯片錯位的地方用布錘人工壓膜或邊揭膜邊用布錘壓膜，直到翻膜完成。

14、優(yōu)選的，步驟(1)中，翻膜用的藍膜大小與待翻膜芯片所在藍膜直徑的0.8-1倍，具體根據(jù)實際翻膜情況而定即可。

15、優(yōu)選的，步驟(2)中，遮板是提前制備好的隔開兩張藍膜的翻膜用輔助工具，遮板夾在2張藍膜中間，遮板中心是空的便于芯片與另一張藍膜直接接觸，遮板中心的空洞尺寸為芯片直徑的1-1.2倍。

16、優(yōu)選的，步驟(4)中，通過壓膜機按壓芯片的時間為40-90s之間。

17、優(yōu)選的，步驟(4)中，壓膜機的參數(shù)設(shè)置為：溫度維持在45℃-65℃，壓力0.4-0.6mpa。

18、優(yōu)選的，步驟(5)中，待藍膜冷卻后按照從芯片一側(cè)對角線位置開始進行翻片直到將藍膜完全從芯片上揭下來，就是從一側(cè)位置開始將原先芯片所在的藍膜揭下來，芯片倒到另外1張膜上；

19、布錘采用無塵布一層一層綁定而成。

20、優(yōu)選的，步驟(6)中，對于出現(xiàn)芯片錯位處一手扶著揭開的藍膜一手用布錘使勁擠壓藍膜增加新的藍膜與芯片之間的吸附粘力，直到將藍膜完全揭下來。

21、本發(fā)明的有益效果為：

22、本發(fā)明用于改善芯片翻膜作業(yè)中損失的方法，在原來壓膜機壓膜后翻膜出現(xiàn)的芯片錯位損失的情況，增加一步自制布錘壓膜并邊壓膜邊揭膜的作業(yè)，有效解決了原單純壓膜機作業(yè)中出現(xiàn)的芯片錯位損失情況，有效解決了生產(chǎn)制程中存在的問題，有效提高了實際的產(chǎn)出數(shù)。

技術(shù)特征：

1.一種改善芯片翻膜作業(yè)中損失的方法，其特征在于，包括如下步驟；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善芯片翻膜作業(yè)中損失的方法，其特征在于，步驟(1)中，翻膜用的藍膜大小與待翻膜芯片所在藍膜直徑的0.8-1倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善芯片翻膜作業(yè)中損失的方法，其特征在于，步驟(2)中，遮板中心的空洞尺寸為芯片直徑的1-1.2倍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善芯片翻膜作業(yè)中損失的方法，其特征在于，步驟(4)中，通過壓膜機按壓芯片的時間為40-90s之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的改善芯片翻膜作業(yè)中損失的方法，其特征在于，步驟(4)中，壓膜機的參數(shù)設(shè)置為：溫度維持在45℃-65℃，壓力0.4-0.6mpa。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善芯片翻膜作業(yè)中損失的方法，其特征在于，步驟(5)中，布錘采用無塵布一層一層綁定而成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善芯片翻膜作業(yè)中損失的方法，其特征在于，步驟(6)中，對于出現(xiàn)芯片錯位處一手扶著揭開的藍膜一手用布錘擠壓藍膜增加新的藍膜與芯片之間的吸附粘力，直到將藍膜完全揭下來。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種改善芯片翻膜作業(yè)中損失的方法，屬于LED制程的后道翻膜作業(yè)領(lǐng)域，本發(fā)明增加布錘壓膜，對于步驟(5)中出現(xiàn)的芯片錯位的地方用布錘人工壓膜或邊揭膜邊用布錘壓膜，直到翻膜完成。本發(fā)明用于改善芯片翻膜作業(yè)中損失的方法，在原來壓膜機壓膜后翻膜出現(xiàn)的芯片錯位損失的情況，增加一步自制布錘壓膜并邊壓膜邊揭膜的作業(yè)，有效解決了原單純壓膜機作業(yè)中出現(xiàn)的芯片錯位損失情況，有效解決了生產(chǎn)制程中存在的問題，有效提高了實際的產(chǎn)出數(shù)。本發(fā)明在現(xiàn)有成熟的常規(guī)作業(yè)方法上，進一步根據(jù)翻膜作業(yè)原理優(yōu)化更新工藝方法，取長補短，有效解決存在的異常問題，工藝完善效果明顯。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭軍,李琳琳,邢建國
受保護的技術(shù)使用者：山東浪潮華光光電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2