本發(fā)明涉及ic封裝的，具體為一種pop焊接方法。

背景技術(shù)：

1、pop(packaging?on?packaging)封裝焊接又稱為疊層封裝焊接，其是針對(duì)移動(dòng)設(shè)備的ic封裝而發(fā)展起來的可用于系統(tǒng)集成焊接方式，其由上下兩層封裝疊加而成，底層封裝與上層封裝之間以及底層封裝與母板之間通過焊球陣列實(shí)現(xiàn)互連。

2、現(xiàn)有技術(shù)pop焊接產(chǎn)品共有兩種工藝方法。方法一，在多疊層芯片上面再貼一顆interposer(轉(zhuǎn)接板)(如圖1，101interposer，103塑封體，104基板，105芯片)，interposer表面有pad焊接點(diǎn)，隨后整體塑封，再使用tmv工藝對(duì)塑封體進(jìn)行開孔，使得interposer表面pad點(diǎn)露出，以實(shí)現(xiàn)另一顆bga器件在上方進(jìn)行pop焊接，但是此方法會(huì)使得interposer表面pad在進(jìn)行tmv開孔時(shí)，受到激光作業(yè)影響，pad出現(xiàn)damage，影響bga器件的焊接效果。方法二、見圖2，預(yù)先在interposer表面的pad上焊接錫球301，再整體塑封，隨后再對(duì)塑封體表面進(jìn)行平磨，使錫球露出，再對(duì)表面進(jìn)行flux預(yù)處理，使原本成平面的錫球重新變回球形，方便另一顆bga器件進(jìn)行pop焊接。但是此方法工藝流程較多，成本也相應(yīng)提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)上述問題，本發(fā)明提供了一種pop焊接方法，其可確保轉(zhuǎn)接板的焊盤表面完整可靠，且簡(jiǎn)化了工藝流程和制作成本。

2、一種pop焊接方法，其特征在于，其包括如下步驟：

3、s1、將轉(zhuǎn)接板貼在多疊層芯片上方，之后將轉(zhuǎn)接板和多層芯片一同塑封在塑封體內(nèi)；

4、s2、使用tmv工藝對(duì)轉(zhuǎn)接板表面pad上方的塑封體進(jìn)行開孔，使pad露出；

5、s3、通過emi濺鍍?cè)陂_孔的側(cè)壁和pad表面鍍上銅層；

6、s4、去除銅層表面氧化物，之后進(jìn)行另一bga器件的pop焊接。

7、其進(jìn)一步特征在于：

8、步驟s3中，需對(duì)除去開孔區(qū)域外的其余封裝體表面進(jìn)行貼薄膜作業(yè)，之后再進(jìn)行emi濺鍍，從而封裝體的其余表面被鍍上銅層；

9、步驟s3中，銅層的厚度為5μm～15μm；

10、步驟s4中，預(yù)先將薄膜撕除，然后通過flux預(yù)處理銅層表面的氧化物。

11、采用本發(fā)明的方法后，其僅需在通過tmv工藝形成開孔的轉(zhuǎn)接板的pad表面通過emi濺鍍形成銅層，銅層可靠修復(fù)pad表面因激光原因產(chǎn)生的破損，整個(gè)方法且只需要增加一道流程，可確保轉(zhuǎn)接板的焊盤表面完整可靠，且簡(jiǎn)化了工藝流程和制作成本。

技術(shù)特征：

1.一種pop焊接方法，其特征在于，其包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種pop焊接方法，其特征在于：步驟s3中，需對(duì)除去開孔區(qū)域外的其余封裝體表面進(jìn)行貼薄膜作業(yè)，之后再進(jìn)行emi濺鍍，從而封裝體的其余表面被鍍上銅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種pop焊接方法，其特征在于：步驟s3中，銅層的厚度為5μm～15μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種pop焊接方法，其特征在于：步驟s4中，預(yù)先將薄膜撕除，然后通過flux預(yù)處理銅層表面的氧化物。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種POP焊接方法，其可確保轉(zhuǎn)接板的焊盤表面完整可靠，且簡(jiǎn)化了工藝流程和制作成本。其包括如下步驟：S1、將轉(zhuǎn)接板貼在多疊層芯片上方，之后將轉(zhuǎn)接板和多層芯片一同塑封在塑封體內(nèi)；S2、使用TMV工藝對(duì)轉(zhuǎn)接板表面PAD上方的塑封體進(jìn)行開孔，使PAD露出；S3、通過EMI濺鍍?cè)陂_孔的側(cè)壁和PAD表面鍍上銅層；S4、去除銅層表面氧化物，之后進(jìn)行另一BGA器件的POP焊接。

技術(shù)研發(fā)人員：曹啟涵,王瑞鵬,劉衛(wèi)東
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華天科技（南京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2