本發(fā)明涉及封裝基座，特別是涉及一種小型化基座及其制作方法、小型化基座中凹槽開設(shè)方法。

背景技術(shù)：

1、隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。芯片的封裝對(duì)于其性能和可靠性至關(guān)重要。目前，現(xiàn)有的封裝基座上用于容納芯片的內(nèi)腔通常由多層帶通孔的陶瓷生坯以及一個(gè)不帶通孔的陶瓷生坯層疊形成。在這種封裝基座的制作過(guò)程中，首先需要在多層陶瓷生坯上沖通孔。隨著封裝基座小型化程度越來(lái)越高，現(xiàn)有的封裝基座的制備方式不適用于制作小型化基座。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種小型化基座及其制作方法、小型化基座中凹槽開設(shè)方法，以解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，實(shí)現(xiàn)基座的小型化，以及提高精度、質(zhì)量和可靠性。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下方案：

3、本發(fā)明提供一種小型化基座，包括基體以及導(dǎo)電組件，所述基體上設(shè)置有用于容納芯片的內(nèi)腔，所述基體包括陶瓷生坯片，至少部分所述內(nèi)腔于一個(gè)所述陶瓷生坯片側(cè)面開設(shè)凹槽而形成。

4、優(yōu)選的，所述導(dǎo)電組件包括多層導(dǎo)電層，相鄰的所述導(dǎo)電層之間通過(guò)瓷漿絕緣層和/或所述陶瓷生坯片進(jìn)行絕緣。

5、優(yōu)選的，所述內(nèi)腔即為所述陶瓷生坯片側(cè)面開設(shè)的所述凹槽。

6、優(yōu)選的，所述基體包括多個(gè)層疊設(shè)置的陶瓷生坯片，開設(shè)有所述凹槽的所述陶瓷生坯片為第一陶瓷生坯片，所述第一陶瓷生坯開設(shè)有所述凹槽的一側(cè)層疊設(shè)置有若干個(gè)第二陶瓷生坯，所述第二陶瓷生坯上開設(shè)有與所述凹槽截面形狀相同的通槽，所述通槽和所述凹槽共同形成所述內(nèi)腔。

7、優(yōu)選的，所述陶瓷生坯片的厚度為0.05mm—0.2mm。

8、本發(fā)明還提供一種如上所述的小型化基座中凹槽開設(shè)方法，包括：利用激光掃面的方式在陶瓷生坯片的側(cè)面刻蝕出所述凹槽。

9、本發(fā)明還提供一種如上所述的小型化基座制作方法：包括：制備陶瓷生坯片：陶瓷漿料通過(guò)流延成型得到陶瓷生坯片；

10、制作導(dǎo)電孔：在所述陶瓷生坯片上使用激光打孔技術(shù)或沖壓沖孔技術(shù)制作導(dǎo)電孔；

11、制作導(dǎo)電柱：在所述導(dǎo)電孔內(nèi)填充金屬漿料以形成所述導(dǎo)電柱；

12、制作電路圖案：在所述陶瓷生坯片表面印刷電路圖案；

13、制作內(nèi)腔：利用激光掃面的方式在一個(gè)所述陶瓷生坯片的側(cè)面刻蝕出凹槽形成所述內(nèi)腔；

14、制作疊層生坯：將多個(gè)所述陶瓷生坯片按照設(shè)計(jì)要求堆疊起來(lái)形成疊層生坯；

15、燒結(jié)：在高溫下燒結(jié)疊層生坯形成熟瓷基板；

16、電鍍：對(duì)熟瓷基板進(jìn)行電鍍。

17、優(yōu)選的，在所述制作疊層生坯步驟之后還包括預(yù)切：使用熱切機(jī)對(duì)壓合后的所述疊層生坯進(jìn)行預(yù)切割，以便于后續(xù)的裂片；

18、在所述電鍍步驟之后還包括裂片成單顆：將電鍍后的所述熟瓷基板切割成單個(gè)元件。

19、優(yōu)選的，在所述電鍍步驟之后還包括全檢步驟。

20、本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)取得了以下技術(shù)效果：

21、本發(fā)明改進(jìn)了內(nèi)腔的制作過(guò)程，即在一塊陶瓷生坯片上加工出凹槽以形成內(nèi)腔或部分內(nèi)腔，摒棄了現(xiàn)有的“帶通孔的陶瓷生坯層疊在一個(gè)平板上形成內(nèi)腔”的方案，實(shí)現(xiàn)了在較薄的陶瓷生坯片上形成高度尺寸較小、尺寸精確的內(nèi)腔，且能夠減少疊層數(shù)量，降低了層間出現(xiàn)的漏氣、起泡、開裂的問題幾率。

22、進(jìn)一步的，本發(fā)明采用激光掃面的方式在陶瓷生坯片的側(cè)面刻蝕出凹槽，能夠提高內(nèi)腔的尺寸精度，且激光掃面過(guò)程不會(huì)引起陶瓷生坯片變形，進(jìn)而提高陶瓷生坯片的精度。

技術(shù)特征：

1.一種小型化基座，包括基體以及導(dǎo)電組件，所述基體上設(shè)置有用于容納芯片的內(nèi)腔，其特征在于：所述基體包括陶瓷生坯片，至少部分所述內(nèi)腔于一個(gè)所述陶瓷生坯片側(cè)面開設(shè)凹槽而形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化基座，其特征在于：所述導(dǎo)電組件包括多層導(dǎo)電層，相鄰的所述導(dǎo)電層之間通過(guò)瓷漿絕緣層和/或所述陶瓷生坯片進(jìn)行絕緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化基座，其特征在于：所述內(nèi)腔即為所述陶瓷生坯片側(cè)面開設(shè)的所述凹槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化基座，其特征在于：所述基體包括多個(gè)層疊設(shè)置的陶瓷生坯片，開設(shè)有所述凹槽的所述陶瓷生坯片為第一陶瓷生坯片，所述第一陶瓷生坯開設(shè)有所述凹槽的一側(cè)層疊設(shè)置有若干個(gè)第二陶瓷生坯，所述第二陶瓷生坯上開設(shè)有與所述凹槽截面形狀相同的通槽，所述通槽和所述凹槽共同形成所述內(nèi)腔。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的小型化基座，其特征在于：所述陶瓷生坯片的厚度為0.05mm—0.2mm。

6.一種權(quán)利要求1～5任意一項(xiàng)所述的小型化基座中凹槽開設(shè)方法，其特征在于：利用激光掃面的方式在陶瓷生坯片的側(cè)面刻蝕出所述凹槽。

7.一種權(quán)利要求1～5任意一項(xiàng)所述的小型化基座制作方法：其特征在于：包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的小型化基座制作方法，其特征在于：還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的小型化基座制作方法，其特征在于：在所述電鍍步驟之后還包括全檢步驟。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種小型化基座及其制作方法、小型化基座中凹槽開設(shè)方法，涉及封裝基座技術(shù)領(lǐng)域，小型化基座包括基體以及導(dǎo)電組件，基體上設(shè)置有用于容納芯片的內(nèi)腔，基體包括陶瓷生坯片，至少部分內(nèi)腔于一個(gè)陶瓷生坯片側(cè)面開設(shè)凹槽而形成。小型化基座中凹槽開設(shè)方法包括利用激光掃面的方式在陶瓷生坯片的側(cè)面刻蝕出凹槽。本發(fā)明改進(jìn)了內(nèi)腔的制作過(guò)程，即在一塊陶瓷生坯片上加工出凹槽以形成內(nèi)腔或部分內(nèi)腔，摒棄了現(xiàn)有的“帶通孔的陶瓷生坯層疊在一個(gè)平板上形成內(nèi)腔”的方案，實(shí)現(xiàn)了在較薄的陶瓷生坯片上形成高度尺寸較小、尺寸精確的內(nèi)腔，且能夠減少疊層數(shù)量，降低了層間出現(xiàn)的漏氣、起泡、開裂的問題幾率。

技術(shù)研發(fā)人員：劉永良,孫小堆,李亞荷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：瓷金科技（深圳）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2