本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器，特別涉及一種半導(dǎo)體激光器。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體激光器具有體積小，效率高，壽命長，穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。隨著激光在工業(yè)加工、軍事、醫(yī)療、激光雷達(dá)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體激光作為光纖激光器及固體激光器泵浦源和種子源等方面的應(yīng)用也越來越廣泛。特別是波長鎖定的半導(dǎo)體激光器，因其優(yōu)異的波長穩(wěn)定性以及窄線寬的特性，廣泛應(yīng)用于光纖激光器及固體激光器領(lǐng)域。

2、隨著激光領(lǐng)域的飛速發(fā)展，市場除了對功率、亮度等指標(biāo)有了更高的需求外，對半導(dǎo)激光器泵浦源的尺寸、可靠性等也提出了更高的要求。特別是在軍事裝備領(lǐng)域，對激光器的尺寸、重量及可靠性有著極高的要求，而作為激光器能力來源的半導(dǎo)體激光器泵浦源或種子源，也同樣追求更小尺寸、更低重量、及更高的可靠性及成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的是提出一種半導(dǎo)體激光器，旨在解決如何減小半導(dǎo)體激光器的大小。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的半導(dǎo)體激光器，包括：

3、半導(dǎo)體激光芯片；

4、快軸準(zhǔn)直鏡，所述快軸準(zhǔn)直鏡設(shè)置于所述半導(dǎo)體激光芯片的出光側(cè)；

5、慢軸準(zhǔn)直鏡，所述慢軸準(zhǔn)直鏡設(shè)置于所述快軸準(zhǔn)直鏡的出光側(cè)；

6、體布拉格光柵，所述體布拉格光柵的表面鍍有高透高反膜，所述高透高反膜的透射光線的波段與所述半導(dǎo)體激光芯片出射光線的波段相適配，所述高透高反膜能夠反射預(yù)設(shè)波段的光線，所述預(yù)設(shè)波段與所述半導(dǎo)體激光芯片出射光線的波段相異，且所述體布拉格光柵傾斜設(shè)置，以使所述高透高反膜反射的光線出射至所述半導(dǎo)體激光芯片以外的區(qū)域；

7、所述慢軸準(zhǔn)直鏡的出射光線能夠經(jīng)過所述體布拉格光柵，或，所述體布拉格光柵設(shè)置于所述快軸準(zhǔn)直鏡和所述慢軸準(zhǔn)直鏡之間。

8、在一實(shí)施方式中，所述體布拉格光柵內(nèi)部均勻設(shè)置有多個(gè)光柵結(jié)構(gòu)，各所述光柵結(jié)構(gòu)與所述體布拉格光柵的延伸方向的夾角為4.84°～5.84°。

9、在一實(shí)施方式中，所述體布拉格光柵的入射角為5°～11°。

10、在一實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)波段為1020nm～1200nm。

11、在一實(shí)施方式中，所述半導(dǎo)體激光器還包括反射鏡和聚焦鏡，所述反射鏡設(shè)置于所述慢軸準(zhǔn)直鏡的出光側(cè)，所述聚焦鏡設(shè)置于所述反射鏡的出光側(cè)；

12、所述體布拉格光柵設(shè)置于所述慢軸準(zhǔn)直鏡和所述反射鏡之間，或，所述體布拉格光柵設(shè)置于所述快軸準(zhǔn)直鏡和所述慢軸準(zhǔn)直鏡之間。

13、在一實(shí)施方式中，所述半導(dǎo)體激光芯片的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述半導(dǎo)體激光芯片沿第一方向依次排布，所述快軸準(zhǔn)直鏡與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置，所述慢軸準(zhǔn)直鏡與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置，所述體布拉格光柵與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置，所述反射鏡與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置。

14、在一實(shí)施方式中，所述半導(dǎo)體激光器還包括反射鏡和聚焦鏡，所述反射鏡設(shè)置于所述慢軸準(zhǔn)直鏡的出光側(cè)，所述聚焦鏡設(shè)置于所述反射鏡的出光側(cè)，所述體布拉格光柵設(shè)置于所述反射鏡和所述聚焦鏡之間。

15、在一實(shí)施方式中，所述半導(dǎo)體激光芯片的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述半導(dǎo)體激光芯片沿第一方向依次排布，所述快軸準(zhǔn)直鏡與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置，所述慢軸準(zhǔn)直鏡與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置，所述反射鏡與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置，多個(gè)所述反射鏡形成反射鏡組，所述體布拉格光柵位于所述反射鏡組和所述聚焦鏡之間。

16、在一實(shí)施方式中，所述半導(dǎo)體激光器還包括聚焦鏡，所述聚焦鏡設(shè)置于所述慢軸準(zhǔn)直鏡的出光側(cè)，所述體布拉格光柵設(shè)置于所述慢軸準(zhǔn)直鏡和所述聚焦鏡之間。

17、在一實(shí)施方式中，所述半導(dǎo)體激光器還包括聚焦鏡，所述聚焦鏡設(shè)置于所述慢軸準(zhǔn)直鏡的出光側(cè)，所述體布拉格光柵設(shè)置于所述慢軸準(zhǔn)直鏡和所述快軸準(zhǔn)直鏡之間。

18、本發(fā)明的技術(shù)方案通過在體布拉格光柵外鍍有高透高反膜，且體布拉格光柵傾斜設(shè)置，使得高透高反膜反射的光線基本不會反射至半導(dǎo)體激光芯片處，從而提高了半導(dǎo)體激光器的抗高反能力，因此不必額外增設(shè)抗高反鏡，不僅降低了成本，還減小了半導(dǎo)體激光器的尺寸。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體激光器，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述體布拉格光柵內(nèi)部均勻設(shè)置有多個(gè)光柵結(jié)構(gòu)，各所述光柵結(jié)構(gòu)與所述體布拉格光柵的延伸方向的夾角為4.84°～5.84°。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述體布拉格光柵的入射角為5°～11°。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述預(yù)設(shè)波段為1020nm～1200nm。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述半導(dǎo)體激光器還包括反射鏡和聚焦鏡，所述反射鏡設(shè)置于所述慢軸準(zhǔn)直鏡的出光側(cè)，所述聚焦鏡設(shè)置于所述反射鏡的出光側(cè)；

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述半導(dǎo)體激光芯片的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述半導(dǎo)體激光芯片沿第一方向依次排布，所述快軸準(zhǔn)直鏡與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置，所述慢軸準(zhǔn)直鏡與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置，所述體布拉格光柵與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置，所述反射鏡與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置。

7.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述半導(dǎo)體激光器還包括反射鏡和聚焦鏡，所述反射鏡設(shè)置于所述慢軸準(zhǔn)直鏡的出光側(cè)，所述聚焦鏡設(shè)置于所述反射鏡的出光側(cè)，所述體布拉格光柵設(shè)置于所述反射鏡和所述聚焦鏡之間。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述半導(dǎo)體激光芯片的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述半導(dǎo)體激光芯片沿第一方向依次排布，所述快軸準(zhǔn)直鏡與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置，所述慢軸準(zhǔn)直鏡與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置，所述反射鏡與所述半導(dǎo)體激光芯片數(shù)量一致且一一對應(yīng)設(shè)置，多個(gè)所述反射鏡形成反射鏡組，所述體布拉格光柵位于所述反射鏡組和所述聚焦鏡之間。

9.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述半導(dǎo)體激光器還包括聚焦鏡，所述聚焦鏡設(shè)置于所述慢軸準(zhǔn)直鏡的出光側(cè)，所述體布拉格光柵設(shè)置于所述慢軸準(zhǔn)直鏡和所述聚焦鏡之間。

10.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述半導(dǎo)體激光器還包括聚焦鏡，所述聚焦鏡設(shè)置于所述慢軸準(zhǔn)直鏡的出光側(cè)，所述體布拉格光柵設(shè)置于所述慢軸準(zhǔn)直鏡和所述快軸準(zhǔn)直鏡之間。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體激光器，涉及半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域，其中，半導(dǎo)體激光器包括半導(dǎo)體激光芯片、快軸準(zhǔn)直鏡、慢軸準(zhǔn)直鏡和體布拉格光柵，快軸準(zhǔn)直鏡設(shè)置于半導(dǎo)體激光芯片的出光側(cè)；慢軸準(zhǔn)直鏡設(shè)置于快軸準(zhǔn)直鏡的出光側(cè)；體布拉格光柵的表面鍍有高透高反膜，高透高反膜能夠反射預(yù)設(shè)波段的光線，預(yù)設(shè)波段與半導(dǎo)體激光芯片出射光線的波段相異，且體布拉格光柵傾斜設(shè)置，以使高透高反膜反射的光線出射至半導(dǎo)體激光芯片以外的區(qū)域；慢軸準(zhǔn)直鏡的出射光線能夠經(jīng)過體布拉格光柵，或，體布拉格光柵設(shè)置于快軸準(zhǔn)直鏡和慢軸準(zhǔn)直鏡之間，由于不必額外增設(shè)抗高反鏡，不僅降低了成本，還減小了半導(dǎo)體激光器的尺寸。

技術(shù)研發(fā)人員：郭成成,盧源,唐瑞來,王文娟,閆大鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢銳科光纖激光技術(shù)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9