本發(fā)明屬于igbt器件，特別是涉及一種igbt器件的制造方法。

背景技術(shù)：

1、絕緣柵雙極型晶體管(insulated?gate?bipolar?transistor，igbt)是由mos晶體管和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為mos晶體管，輸出極為pnp晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有mos晶體管驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型晶體管飽和壓降低和容量大的優(yōu)點(diǎn)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，特別是占據(jù)了較高頻率的大、中功率管應(yīng)用的主導(dǎo)地位?，F(xiàn)有技術(shù)的igbt器件的制造工藝中，需要進(jìn)行多步光刻工藝，而光刻工藝的成本高昂，使得igbt器件的制造成本難以降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種igbt器件的制造方法，以降低igbt器件的制造成本。

2、為達(dá)到本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供了一種igbt器件的制造方法，包括：

3、在提供的n型半導(dǎo)體層上形成第一絕緣層，對(duì)所述第一絕緣層和所述n型半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，在所述n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成若干個(gè)第一溝槽；

4、向所述第一溝槽的一側(cè)進(jìn)行傾斜的離子注入，在所述n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成位于所述第一溝槽一側(cè)的n離子注入?yún)^(qū)；

5、進(jìn)行垂直的離子注入，在所述n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成位于所述第一溝槽下方的n型電荷存儲(chǔ)區(qū)；

6、在所述第一溝槽的表面氧化形成柵氧化層，之后形成第一導(dǎo)電層并回刻，回刻后剩余的所述第一導(dǎo)電層的上表面低于所述n型半導(dǎo)體層的上表面；

7、向所述第一溝槽的兩側(cè)分別進(jìn)行傾斜的離子注入，在所述n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成位于所述第一溝槽兩側(cè)的n型源區(qū)；

8、形成第二絕緣層并回刻，在所述第一溝槽的兩側(cè)分別形成位于所述第一導(dǎo)電層之上的側(cè)墻，以所述第一絕緣層和所述側(cè)墻為掩膜對(duì)所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，刻蝕后剩余的所述第一導(dǎo)電層在所述第一溝槽的兩側(cè)分別形成第一柵極；

9、以所述第一絕緣層和所述側(cè)墻為掩膜對(duì)所述柵氧化層和所述n型半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，在所述n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成第二溝槽；

10、覆蓋所形成的結(jié)構(gòu)形成第三絕緣層，之后形成第二導(dǎo)電層并回刻，刻蝕后剩余的所述第二導(dǎo)電層在所述第二溝槽內(nèi)形成第二柵極；

11、覆蓋所形成的結(jié)構(gòu)形成第四絕緣層，之后去除掉所述第一絕緣層表面的所述第四絕緣層和所述第三絕緣層；

12、刻蝕掉所述第一絕緣層，之后進(jìn)行垂直的離子注入，在所述n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成位于所述第一溝槽兩側(cè)的p型體區(qū)。

13、可選的，所述第二溝槽的底部低于所述n型電荷存儲(chǔ)區(qū)的底部。

14、可選的，所述第一絕緣層的材料為氮化硅。

15、可選的，所述第二絕緣層、所述第三絕緣層和所述第四絕緣層的材料均為氧化硅。

16、可選的，所述去除掉所述第一絕緣層表面的所述第四絕緣層采用化學(xué)機(jī)械拋光的方法。

17、可選的，所述的igbt器件的制造方法還包括：在所述n型半導(dǎo)體層的表面形成層間絕緣層、源極金屬和柵極金屬。

18、可選的，所述的igbt器件的制造方法還包括：在所述n型半導(dǎo)體層的底部形成n型場(chǎng)截止區(qū)和p型集電極區(qū)。

19、可選的，所述的igbt器件的制造方法還包括：在所述n型半導(dǎo)體層的底部表面形成集電極金屬。

20、可選的，所述第二柵極向上延伸至所述第一溝槽內(nèi)。

21、本發(fā)明提供的igbt器件的制造方法，經(jīng)過(guò)一次光刻工藝形成第一溝槽后，n離子注入?yún)^(qū)、n型源區(qū)、第一柵極、第二溝槽、第二柵極、p型體區(qū)的制造過(guò)程中均不需要光刻工藝，減少了igbt器件制造過(guò)程中的光刻工藝次數(shù)，有效降低了igbt器件的制造成本。

技術(shù)特征：

1.一種igbt器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的igbt器件的制造方法，其特征在于，所述第二溝槽的底部低于所述n型電荷存儲(chǔ)區(qū)的底部。

3.如權(quán)利要求1所述的igbt器件的制造方法，其特征在于，所述第一絕緣層的材料為氮化硅。

4.如權(quán)利要求1所述的igbt器件的制造方法，其特征在于，所述第二絕緣層、所述第三絕緣層和所述第四絕緣層的材料均為氧化硅。

5.如權(quán)利要求1所述的igbt器件的制造方法，其特征在于，所述去除掉所述第一絕緣層表面的所述第四絕緣層采用化學(xué)機(jī)械拋光的方法。

6.如權(quán)利要求1所述的igbt器件的制造方法，其特征在于，還包括：在所述n型半導(dǎo)體層的表面形成層間絕緣層、源極金屬和柵極金屬。

7.如權(quán)利要求1所述的igbt器件的制造方法，其特征在于，還包括：在所述n型半導(dǎo)體層的底部形成n型場(chǎng)截止區(qū)和p型集電極區(qū)。

8.如權(quán)利要求7所述的igbt器件的制造方法，其特征在于，還包括：在所述n型半導(dǎo)體層的底部表面形成集電極金屬。

9.如權(quán)利要求1所述的igbt器件的制造方法，其特征在于，所述第二柵極向上延伸至所述第一溝槽內(nèi)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于IGBT器件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種IGBT器件的制造方法，包括：在n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成若干個(gè)第一溝槽；通過(guò)傾斜的離子注入在n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成位于第一溝槽一側(cè)的N離子注入?yún)^(qū)；通過(guò)垂直的離子注入形成n型電荷存儲(chǔ)區(qū)；通過(guò)傾斜的離子注入形成n型源區(qū)；通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)工藝形成第一柵極和第二溝槽；在第二溝槽形成第二柵極，通過(guò)垂直的離子注入在n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成位于第一溝槽兩側(cè)的p型體區(qū)。本發(fā)明可以減少I(mǎi)GBT器件制造過(guò)程中的光刻工藝次數(shù)，降低IGBT器件的制造成本。

技術(shù)研發(fā)人員：劉偉,王鵬飛,陳鑫,劉磊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2