本發(fā)明涉及芯片封裝，具體地說是一種混合引線鍵合結(jié)構(gòu)及方法。

背景技術(shù)：

1、芯片顆粒的三維堆疊是一種既能減小芯片封裝體的面積大小又能提高其性能的封裝工藝，廣泛應(yīng)用于存儲芯片（nand，dram等）的封裝制程中。其主要的工藝流程如圖7所示，存儲芯片晶圓在被減薄并切割成顆粒(die)后，背面貼上daf，然后一顆顆地被堆疊到有機(jī)或無機(jī)基板（substrate）上。顆粒之間以及顆粒與基板之間的電氣及信息互連則是通過引線鍵合(wire?bonding)來實(shí)現(xiàn)。

2、通常的引線(wire)是通過弧線走線的方式將各個(gè)顆粒上的焊盤并行連接在一起實(shí)現(xiàn)電性互連的。最近，為了降低走線的寄生電容和電阻，不少廠商開始研發(fā)垂直互連的引線鍵合方式，如圖8所示。

3、垂直引線鍵合的難點(diǎn)之一在于，當(dāng)同一顆粒上的焊盤間距非常短的時(shí)候（finepitch，例如小于80?μm），垂直引線容易和打線用的焊針頭發(fā)生接觸，導(dǎo)致不良，如圖9所示。所以，需要發(fā)明一種有效的引線鍵合方式來解決垂直引線和焊針接觸的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種混合引線鍵合結(jié)構(gòu)及方法。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，設(shè)計(jì)一種混合引線鍵合結(jié)構(gòu)，包括載板，所述的載板一側(cè)表面設(shè)有若干交錯堆疊的芯片顆粒，芯片顆粒上方設(shè)有基板，相鄰兩個(gè)芯片顆粒的同一位置的焊盤之間通過弧線引線連接，并且其中一個(gè)焊盤連接垂直引線一端，垂直引線另一端連接基板。

3、連接垂直引線的焊盤遠(yuǎn)離弧線引線打彎的一側(cè)。

4、同一芯片顆粒上的垂直引線為間隔布置，相鄰芯片顆粒上的垂直引線為交錯布置。

5、所述的同一芯片顆粒中，相鄰焊盤上的弧線引線的方向相同。

6、所述的載板設(shè)有若干焊盤，載板上的焊盤通過弧線引線與最下層的芯片顆粒連接，通過垂直引線與基板互聯(lián)。

7、所述的同一芯片顆粒中，相鄰焊盤上的弧線引線的方向相反。

8、所述的芯片顆粒的數(shù)量為偶數(shù)。

9、所述的芯片顆粒的數(shù)量為奇數(shù)，載板上的焊盤通過弧線引線與最下層的芯片顆粒連接，通過垂直引線與基板互聯(lián)。

10、相鄰芯片顆粒錯開距離為200±100?um；焊盤間距為50?-100?um；弧線引線、垂直引線的直徑為15-25?um。

11、為實(shí)現(xiàn)上述目的，設(shè)計(jì)一種混合引線鍵合工藝，包括如下步驟：

12、s1，將若干芯片顆粒交錯堆疊至載板上，露出每個(gè)芯片顆粒的焊盤；

13、s2，將相鄰芯片顆粒同一位置的焊盤，通過弧線引線鍵合連接在一起；

14、s3，對于通過弧線引線互連的兩個(gè)焊盤中，其中一個(gè)焊盤通過垂直引線與基板鍵合。

15、本發(fā)明同現(xiàn)有技術(shù)相比，避免在焊盤間距非常短的時(shí)垂直引線與焊針頭接觸的問題。

技術(shù)特征：

1.一種混合引線鍵合結(jié)構(gòu)，包括載板，其特征在于：所述的載板（1）一側(cè)表面設(shè)有若干交錯堆疊的芯片顆粒（2），芯片顆粒（2）上方設(shè)有基板，相鄰兩個(gè)芯片顆粒（2）的同一位置的焊盤（3）之間通過弧線引線（4）連接，并且其中一個(gè)焊盤（3）連接垂直引線（5）一端，垂直引線（5）另一端連接基板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種混合引線鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于：連接垂直引線（5）的焊盤（3）遠(yuǎn)離弧線引線（4）打彎的一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種混合引線鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于：同一芯片顆粒（2）上的垂直引線（5）為間隔布置，相鄰芯片顆粒（2）上的垂直引線（5）為交錯布置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種混合引線鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的同一芯片顆粒（2）中，相鄰焊盤（3）上的弧線引線（4）的方向相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種混合引線鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的載板（1）設(shè)有若干焊盤（3），載板（1）上的焊盤（3）通過弧線引線（4）與最下層的芯片顆粒（2）連接，通過垂直引線（5）與基板互聯(lián)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種混合引線鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的同一芯片顆粒（2）中，相鄰焊盤（3）上的弧線引線（4）的方向相反。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種混合引線鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的芯片顆粒（2）的數(shù)量為偶數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種混合引線鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的芯片顆粒（2）的數(shù)量為奇數(shù)，載板（1）上的焊盤（3）通過弧線引線（4）與最下層的芯片顆粒（2）連接，通過垂直引線（5）與基板互聯(lián)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種混合引線鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于：相鄰芯片顆粒（2）錯開距離為200±100?um；焊盤（3）間距為50?-100?um；弧線引線（4）、垂直引線（5）的直徑為15-25?um。

10.一種混合引線鍵合工藝，其特征在于：包括如下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種混合引線鍵合結(jié)構(gòu)及方法。包括載板，所述的載板一側(cè)表面設(shè)有若干交錯堆疊的芯片顆粒，芯片顆粒上方設(shè)有基板，相鄰兩個(gè)芯片顆粒的同一位置的焊盤之間通過弧線引線連接，并且其中一個(gè)焊盤連接垂直引線一端，垂直引線另一端連接基板。同現(xiàn)有技術(shù)相比，避免在焊盤間距非常短的時(shí)垂直引線與焊針頭接觸的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：陳之文,萬業(yè)付,范俊,寧文果,邵滋人,付永朝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：宏茂微電子（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6