1.一種金屬電池復(fù)合隔膜，其特征在于，包括隔膜基體、導(dǎo)電層和絕緣層，所述隔膜基體的兩面沉積有所述導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的外側(cè)面沉積有所述絕緣層；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬電池復(fù)合隔膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，使用原子層沉積法在處理后的隔膜基體兩面沉積導(dǎo)電層時(shí)，導(dǎo)電層為tin、mon、sno2或ito；原子層沉積法包括以下步驟：
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，使用物理氣相沉積法在處理后的隔膜基體兩面沉積導(dǎo)電層時(shí)，導(dǎo)電層為al、sn、fe、zn、pt、ni、cu、co、au、ag、pb、ti、mo、tin、mon、sno2或ito；物理氣相沉積法包括如下步驟：
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，使用化學(xué)氣相沉積法在處理后的隔膜基體兩面沉積導(dǎo)電層時(shí)，導(dǎo)電層是c、al、mo、sno2、tin或ito；化學(xué)氣相沉積法包括如下步驟：
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，使用磁控濺射法在處理后的隔膜基體兩面沉積導(dǎo)電層時(shí)，導(dǎo)電層是c、al、sn、fe、zn、pt、ni、cu、co、au、ag、pb、ti、mo、tin、mon、sno2或ito；磁控濺射法包括如下步驟：
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，使用原子層沉積法在導(dǎo)電修飾隔膜外側(cè)面沉積絕緣層時(shí)，絕緣層是al2o3、zro2、tio2、hfo2、sio2、bn、c3n4、batio3或srtio3；原子層沉積法包括如下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，使用物理氣相沉積法在導(dǎo)電修飾隔膜外側(cè)面沉積絕緣層時(shí)，絕緣層是si、al2o3、zro2、tio2、hfo2、sio2、bn、c3n4、batio3或srtio3；物理氣相沉積法包括如下步驟：
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，使用化學(xué)氣相沉積法在導(dǎo)電修飾隔膜外側(cè)面沉積絕緣層時(shí)，絕緣層是al2o3、zro2、tio2、sio2、hfo2、bn、c3n4、batio3或srtio3；化學(xué)氣相沉積法包括如下步驟：
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬電池復(fù)合隔膜在金屬電池中的應(yīng)用。