本發(fā)明涉及晶圓干燥,特別是涉及一種濕法晶圓干燥中實現(xiàn)更高線寬徑深比的方法。
背景技術(shù):
1、晶圓干燥是半導(dǎo)體制造過程中的重要步驟,其主要目的是在濕法清洗后去除晶圓內(nèi)部溝槽結(jié)構(gòu)的水分或其他液體,以防止水痕化合物污染和提高器件質(zhì)量,現(xiàn)有技術(shù)使用ipa和diw表面張力差進行晶圓的干燥處理,但其表面張力差較小,難以滿足實現(xiàn)較高寬深比的電路線寬清洗后的微觀干燥要求,并且ipa為有機溶劑,有易燃易爆的風險。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于提供一種濕法晶圓干燥中實現(xiàn)更高線寬徑深比的方法,以解決上述背景技術(shù)中提出,現(xiàn)有技術(shù)使用ipa和diw表面張力差進行晶圓的干燥處理,但其表面張力差較小,難以滿足實現(xiàn)較高寬深比的電路線寬清洗后的微觀干燥要求,并且ipa為有機溶劑,有易燃易爆的風險的問題。
2、為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
3、本發(fā)明為一種濕法晶圓干燥中實現(xiàn)更高線寬徑深比的方法,包括:
4、s1、形成基底層,并預(yù)先放入待干燥的晶圓槽體內(nèi);
5、s2、形成引力層,利用可控的團聚分子鏈間引力差所形成引力將水導(dǎo)出;
6、s3、形成保護層,利用選取的惰性氣體布設(shè)于引力層的上方,對引力層進行穩(wěn)定性的保持。
7、進一步地,所述s1中具體的流程步驟為;
8、s11、選取干水或其他密度和表面張力有明顯差異的液體;
9、s12、利用管路輸送對所選取的液體傳輸至待干燥的晶圓槽體內(nèi),到可浸沒晶圓的水位。
10、進一步地,所述s2中具體的流程步驟為;
11、s21、選取超純水或氣化水以及其他相對于基底層密度小且表面張力有明顯差異的介質(zhì);
12、s22、在選取超純水或未氣化處理的相對于基底層密度小且表面張力有明顯差異的介質(zhì)時,采用上述等同步驟,利用管路輸送進行,而在選取氣化水或氣化處理的相對于基底層密度小且表面張力小的介質(zhì)時,可直接利用延伸的管道進行輸送。
13、進一步地,所述s3中具體的流程步驟為;
14、s31、選用n2或co2以及其他惰性氣體;
15、s32、利用管道對選取的惰性氣體進行輸送,輸送至引力層之上。
16、相比于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的優(yōu)點在于:
17、本發(fā)明,通過其他介質(zhì)形成安全的,有較大張力差的組合,包含且不限于選定的干水以及超純水的表面張力差,以及干水本身適用于半導(dǎo)體制造的優(yōu)異物理絕緣性,低沸點,高蒸氣壓,高密度等特點,來形成超純水(diw)和干水(perfluor)界面,通過該界面的馬蘭戈尼效應(yīng)及毛細管效應(yīng)來實現(xiàn)干燥,相比較采用現(xiàn)有技術(shù)中采用ipa和diw表面張力差進行晶圓的干燥處理的方式,可實現(xiàn)較高寬深比的電路線寬清洗后的微觀干燥要求,并且避免因ipa為有機溶劑,發(fā)生易燃易爆風險問題,提升使用效果,滿足使用需求。
1.一種濕法晶圓干燥中實現(xiàn)更高線寬徑深比的方法,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種濕法晶圓干燥中實現(xiàn)更高線寬徑深比的方法,其特征在于,所述s1中具體的流程步驟為;
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種濕法晶圓干燥中實現(xiàn)更高線寬徑深比的方法,其特征在于,所述s2中具體的流程步驟為;
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種濕法晶圓干燥中實現(xiàn)更高線寬徑深比的方法,其特征在于,所述s3中具體的流程步驟為;