本公開的示例性實施例總體涉及半導體制造領域，尤其涉及一種熱處理設備。

背景技術：

1、晶圓熱處理是半導體晶圓制造過程中的關鍵環(huán)節(jié)，通常在密閉的腔室中進行，通過在腔室中通入工藝氣體并對晶圓加熱使晶圓發(fā)生化學反應，但相關技術中的獨立腔室在對晶圓熱處理時效率較低。

技術實現思路

1、本公開的目的在于提供一種熱處理設備，包括反應腔室、支撐機構、一個或多個加熱裝置以及隔板。反應腔室具有沿橫向設置的進氣側和出氣側，用于熱處理的氣體自進氣側流入反應腔室并經出氣側流出反應腔室。支撐機構位于反應腔室內，待熱處理的工件被放置在支撐機構上。一個或多個加熱裝置沿豎向位于反應腔室的外部，并提供用于實施熱處理的能量。隔板設置于反應腔室內并將反應腔室分隔為第一反應腔和第二反應腔，來自進氣側的氣體包括第一工藝氣體和第二工藝氣體，第一工藝氣體流入第一反應腔以熱處理工件的第一表面，第二工藝氣體流入第二反應腔以熱處理工件的與第一表面相對的第二表面。

2、本公開在反應腔室中設置隔板將反應腔室的內部空間分隔為第一反應腔和第二反應腔，在工件熱處理時，可以使工件的上下表面分別位于相對獨立的環(huán)境中經受熱處理，提升工件的熱處理效率。

3、在一些實施方式中，進氣側設置有熱處理設備的進氣機構，進氣機構包括擴散板。隔板抵靠擴散板面向反應腔室的一側，以將擴散板分為第一進氣擴散部和第二進氣擴散部，第一工藝氣體經第一進氣擴散部流入第一反應腔，第二工藝氣體經第二進氣擴散部流入第二反應腔。

4、在一些實施方式中，第一進氣擴散部包括多個第一孔洞，第二進氣擴散部包括多個第二孔洞。多個第一孔洞的數量與多個第二孔洞的數量之比與第一工藝氣體和第二工藝氣體的供應量相關。

5、在一些實施方式中，隔板具有與工件的形狀適配的開口，工件位于開口中，且工件的第一表面位于第一反應腔內，工件的第二表面位于第二反應腔內。

6、在一些實施方式中，開口的中心與工件的中心同軸，且開口的半徑大于工件的半徑，以在開口與工件之間形成允許工件旋轉的間隙。

7、在一些實施方式中，開口的半徑與工件的半徑之間的差值大于等于0.5mm且小于等于2mm。

8、在一些實施方式中，熱處理設備還包括鄰近反應腔室的腔壁設置的補氣機構，補氣機構的出氣端位于第一反應腔內以向第一反應腔補充第一工藝氣體。

9、在一些實施方式中，補氣機構的出氣端沿橫向被定位在進氣側與出氣側之間的中點位置。

10、應當理解，
技術實現要素：
部分中所描述的內容并非旨在限定本公開的實施例的關鍵或重要特征，亦非用于限制本公開的范圍。本公開的其它特征將通過以下的描述變得容易理解。

技術特征：

1.一種熱處理設備，包括：

2.根據權利要求1所述的熱處理設備，其中，所述進氣側設置有所述熱處理設備的進氣機構，所述進氣機構包括擴散板；

3.根據權利要求2所述的熱處理設備，其中，所述第一進氣擴散部包括多個第一孔洞，所述第二進氣擴散部包括多個第二孔洞；

4.根據權利要求1所述的熱處理設備，其中，所述隔板具有與所述工件的形狀適配的開口，所述工件位于所述開口中，且所述工件的所述第一表面位于所述第一反應腔內，所述工件的所述第二表面位于所述第二反應腔內。

5.根據權利要求2所述的熱處理設備，其中，所述開口的中心與所述工件的中心同軸，且所述開口的半徑大于所述工件的半徑，以在所述開口與所述工件之間形成允許所述工件旋轉的間隙。

6.根據權利要求3所述的熱處理設備，其中，所述開口的半徑與所述工件的半徑之間的差值大于等于0.5mm且小于等于2mm。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的熱處理設備，其中，所述熱處理設備還包括鄰近所述反應腔室的腔壁設置的補氣機構，所述補氣機構的出氣端位于所述第一反應腔內以向所述第一反應腔補充所述第一工藝氣體。

8.根據權利要求7所述的熱處理設備，其中，所述補氣機構的所述出氣端沿所述橫向被定位在所述進氣側與所述出氣側之間的中點位置。

技術總結
本公開提供一種熱處理設備，包括反應腔室、支撐機構、一個或多個加熱裝置以及隔板。反應腔室具有沿橫向設置的進氣側和出氣側。支撐機構位于反應腔室內。一個或多個加熱裝置沿豎向位于反應腔室的外部。隔板設置于反應腔室內并將反應腔室分隔為第一反應腔和第二反應腔，第一工藝氣體流入第一反應腔以熱處理工件的第一表面，第二工藝氣體流入第二反應腔以熱處理工件的第二表面。本公開在反應腔室中設置隔板將反應腔室的內部空間分隔為第一反應腔和第二反應腔，在工件熱處理時，可以使工件的上下表面分別位于相對獨立的環(huán)境中經受熱處理，提升工件的熱處理效率。

技術研發(fā)人員：宋嶺,龐云玲,盛天佑,蒙小剛
受保護的技術使用者：北京屹唐半導體科技股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/9