技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)設(shè)置于晶圓的切割道內(nèi)，其特征在于，該半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個所述多晶硅子單元均分別包括兩個相對平行且均沿第一方向設(shè)置的第一多晶硅結(jié)構(gòu)和第二多晶硅結(jié)構(gòu)；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一多晶硅結(jié)構(gòu)的第二端物理連接所述第一有源區(qū)結(jié)構(gòu)的第一端，所述第二多晶硅結(jié)構(gòu)的第一端物理連接所述第二有源區(qū)結(jié)構(gòu)的第二端。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一方向和所述第二方向互相垂直。

5.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，用于制備靜態(tài)隨機存儲結(jié)構(gòu)以及權(quán)利要求1至4任一項所述的半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)，該方法包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述絕緣層包括氧化層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述絕緣層包括氧化層和高介電常數(shù)介質(zhì)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一圖形區(qū)中的所述多晶硅的圖形尺寸和所述多晶硅子單元的圖形尺寸均一致，所述第一圖形區(qū)中的所述多晶硅的圖形形狀和所述多晶硅子單元的圖形形狀均一致。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在所述靜態(tài)隨機存儲結(jié)構(gòu)所處區(qū)域制備共享接觸孔，并通過所述工藝窗口對共享接觸孔的光刻進行偏移補正，具體包括：

10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括靜態(tài)隨機存儲結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體器件通過權(quán)利要求5至9任一項所述的半導(dǎo)體器件的制備方法制備得到。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)設(shè)置于晶圓的切割道內(nèi)，該結(jié)構(gòu)包括：基準(zhǔn)單元及至少四組檢測模塊，且每個檢測模塊的偏移距離均不同。并設(shè)置每個檢測模塊中檢測單元內(nèi)的多晶硅子單元以基準(zhǔn)單元中的多晶硅子單元為基準(zhǔn)，按照對應(yīng)偏移距離朝著不同方向進行偏移。后續(xù)通過對檢測單元內(nèi)的多晶硅子單元入射電子束，以檢測出呈第一狀態(tài)且偏移距離最大的多晶硅子單元，并將該多晶硅子單元相對于對應(yīng)有源區(qū)子單元的偏移參數(shù)作為后續(xù)制作共享接觸孔的工藝窗口。通過本發(fā)明提供半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)，能避免絕緣層的影響，對共享接觸孔的工藝窗口進行高精度的檢測，并提前判斷是否能夠制作共享接觸孔，以避免資源浪費。

技術(shù)研發(fā)人員：楊林榮
受保護的技術(shù)使用者：廣州增芯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9