本發(fā)明屬于鉭電容器，尤其涉及一種片式鉭電容器及其封裝方法。

背景技術(shù)：

1、在電子元器件制造領(lǐng)域，片式鉭電容器是一種常見的電子元器件，其生產(chǎn)制造制程主要包括鉭芯制造、模壓封裝、引線框架處理、老練等步驟。其中，模壓是將制造好的鉭芯通過(guò)模壓封裝制成特定形狀的過(guò)程。由于mgp模的使用年限延長(zhǎng)，往往會(huì)產(chǎn)生一些環(huán)氧樹脂模壓溢料，這些溢料可能是整塊或很薄的一層，可能會(huì)緊貼在引線框架上。

2、現(xiàn)有的方案是在模壓后，對(duì)引線框架進(jìn)行堿處理和噴砂等工序去除引線框架上模壓封裝時(shí)的環(huán)氧樹脂溢料，主要是通過(guò)堿處理、噴砂等去除環(huán)氧樹脂模壓溢料。這種方法主要是先通過(guò)堿性溶液將引線框架上的模壓料進(jìn)行浸泡，使其軟化，然后再通過(guò)高速噴射含有小鋼丸的壓縮空氣，使環(huán)氧模壓溢料從引線框架上脫落下來(lái)。然而，這種方法的效果并不理想，往往無(wú)法完全去除這些溢料，而且可能會(huì)對(duì)引線框架造成損傷，嚴(yán)重時(shí)，導(dǎo)致引線框架發(fā)生形變，影響產(chǎn)品的質(zhì)量和機(jī)械性能。

3、為了解決這個(gè)問(wèn)題，現(xiàn)有的技術(shù)主要是通過(guò)噴砂工藝來(lái)去除這些環(huán)氧模壓溢料。這種方法主要是通過(guò)高速噴射含有磨料的壓縮空氣，使環(huán)氧模壓溢料從引線框架上脫落下來(lái)。然而，這種方法的效果并不理想，往往無(wú)法完全去除這些溢料。

4、其次，噴砂工藝可能會(huì)對(duì)引線框架造成損傷，影響其使用壽命和可靠性。此外，噴砂工藝還會(huì)產(chǎn)生大量的粉塵和噪音，對(duì)環(huán)境和操作人員的健康造成影響。最后，堿處理過(guò)程需要現(xiàn)將引線框架放到堿性溶液中進(jìn)行高溫軟化處理模壓料，堿處理過(guò)程可能會(huì)造成堿性溶液進(jìn)入模壓料內(nèi)部，嚴(yán)重時(shí)影響鉭電容器電性能。

5、因此，如何有效地去除這些環(huán)氧模壓溢料，提高產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，是當(dāng)前技術(shù)面臨的一個(gè)重要問(wèn)題。

6、公告號(hào)為cn117476369a的專利文件公開了一種導(dǎo)電聚合物為陰極的片式鉭電容器的制備方法，方法包括：在介質(zhì)層表面涂覆聚乙烯醇處理液，增強(qiáng)介質(zhì)層與導(dǎo)電聚合物層的粘合力；在處理層外被覆具有高導(dǎo)電率的導(dǎo)電聚合物陰極層；在導(dǎo)電聚合物陰極層外被覆石墨和銀漿形成石墨層與銀漿層，并通過(guò)引線框架進(jìn)行正、負(fù)極引出得到鉭芯組，對(duì)鉭芯組進(jìn)行模塑封裝，即完成導(dǎo)電聚合物為陰極的片式鉭電容器的制備。但該專利未公開防止在電容器封裝過(guò)程中溢料的技術(shù)方案。

7、公告號(hào)為us20060221586a1的專利文件公開了具有防止粘著劑溢出結(jié)構(gòu)的包裝基板，包裝基板包括包裝單元的陣列。每個(gè)封裝單元具有載有芯片的芯片墊，圍繞芯片墊布置并通過(guò)開放空間彼此間隔開的多個(gè)引腳，和填充該開放空間的絕緣構(gòu)件，分別連接在兩個(gè)引腳之間的無(wú)源組件。此外，在連接有無(wú)源元件的引腳上施加粘接劑以固定無(wú)源元件與各個(gè)引腳之間的連接，并且在每個(gè)引腳上分別在粘接劑周圍設(shè)置多個(gè)防溢槽。連接無(wú)源元件以防止粘合劑溢出，所述至少一個(gè)無(wú)源部件分別是電阻器，電容器或電感器。但該專利主要解決的技術(shù)問(wèn)題是在無(wú)源部件的銷之間的安裝過(guò)程中防止粘接劑溢出，未公開電容器封裝過(guò)程防溢出的技術(shù)內(nèi)容。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種片式鉭電容器及其封裝方法。

2、本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)。

3、本發(fā)明提供的一種片式鉭電容器，包括引線框架和鉭芯，所述引線框架通過(guò)連接部與鉭芯連接。

4、優(yōu)選地，所述引線框架上設(shè)置通孔a、通孔b和隔片，所述鉭芯設(shè)置若干個(gè)，鉭芯設(shè)置在兩片隔片之間，所述通孔a設(shè)置在引線框架的一側(cè)，所述通孔b設(shè)置在引線框架的另一側(cè)。

5、優(yōu)選地，所述引線框架上設(shè)置凹槽a和凹槽b，所述凹槽a對(duì)稱設(shè)置在引線框架的兩側(cè)，所述凹槽b設(shè)置在引線框架的邊角處，所述隔片通過(guò)連接片與鉭芯連接。

6、一種片式鉭電容器的封裝方法，包括以下步驟：

7、s1：將引線框架、連接部及鉭芯對(duì)應(yīng)連接后，在連接部涂覆水溶性高分子材料；

8、s2：放入模具中進(jìn)行模壓；

9、s3：模壓后放入水中浸泡，取出后沖洗干凈并烘干；

10、s4：進(jìn)行電鍍處理，完成鉭電容器的封裝。

11、優(yōu)選地，所述步驟s1中，在鉭芯與引線框架正負(fù)極區(qū)域的連接部涂覆水溶性高分子材料，涂覆的水溶性高分子材料厚度為0.05-0.5mm。

12、優(yōu)選地，所述水溶性高分子材料包括羧甲基纖維素、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚乙二醇中的一種或多種。

13、優(yōu)選地，所述步驟s2中，模壓的壓力為1.5-2.5mpa，溫度為150-200℃，時(shí)間為10-20min。

14、優(yōu)選地，所述步驟s3中，模壓后放入50-80℃水中浸泡5-30min，取出后沖洗干凈并放入鼓風(fēng)干燥箱中烘干。

15、優(yōu)選地，所述步驟s3中烘干溫度為65-85℃，烘干時(shí)間為5-15min。

16、優(yōu)選地，所述步驟s4中電鍍的材料為錫鉛，電鍍時(shí)間為10-30min，電流密度為2-5a/dm2。

17、本發(fā)明的有益效果在于：

18、本發(fā)明通過(guò)在引線框架正、負(fù)極引線區(qū)域涂覆一層水溶性高分子膜材料；因水溶性高分子材料具有良好的粘附性和可剝離性，可以在模壓過(guò)程中有效地防止環(huán)氧模壓溢料緊貼在引線框架上，有效去除環(huán)氧模壓溢料，特別是避免溢料緊貼在引線框架上，提高了生產(chǎn)的質(zhì)量和產(chǎn)品的性能，省去了對(duì)溢料進(jìn)行處理的步驟。

19、本發(fā)明的工藝中，若產(chǎn)生溢料會(huì)落入連接部上，通過(guò)在連接部設(shè)置水溶性高分子層，在水或其它溶劑浸泡下，水溶性高分子層會(huì)發(fā)生溶解，溢料容易脫落，不用進(jìn)行堿處理，手動(dòng)打毛刺等去除溢料的步驟，保證了電容器的質(zhì)量。

技術(shù)特征：

1.一種片式鉭電容器，其特征在于：包括引線框架(1)和鉭芯(3)，所述引線框架(1)通過(guò)連接部(2)與鉭芯(3)連接。

2.如權(quán)利要求1所述的一種片式鉭電容器，其特征在于：所述引線框架(1)上設(shè)置通孔a(4)、通孔b(5)和隔片(6)，所述鉭芯(3)設(shè)置若干個(gè)，鉭芯(3)設(shè)置在兩片隔片(6)之間，所述通孔a(4)設(shè)置在引線框架(1)的一側(cè)，所述通孔b(5)設(shè)置在引線框架(1)的另一側(cè)。

3.如權(quán)利要求2所述的一種片式鉭電容器，其特征在于：所述引線框架(1)上設(shè)置凹槽a(7)和凹槽b(8)，所述凹槽a(7)對(duì)稱設(shè)置在引線框架(1)的兩側(cè)，所述凹槽b(8)設(shè)置在引線框架(1)的邊角處，所述隔片(6)通過(guò)連接片(9)與鉭芯(3)連接。

4.一種如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的片式鉭電容器的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

5.如權(quán)利要求4所述的一種片式鉭電容器的封裝方法，其特征在于：所述步驟s1中，在鉭芯(3)與引線框架(1)正負(fù)極區(qū)域的連接部(2)涂覆水溶性高分子材料，涂覆的水溶性高分子材料厚度為0.05-0.5mm。

6.如權(quán)利要求4所述的一種片式鉭電容器的封裝方法，其特征在于：所述水溶性高分子材料包括羧甲基纖維素、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚乙二醇中的一種或多種。

7.如權(quán)利要求4所述的一種片式鉭電容器的封裝方法，其特征在于：所述步驟s2中，模壓的壓力為1.5-2.5mpa，溫度為150-200℃，時(shí)間為10-20min。

8.如權(quán)利要求4所述的一種片式鉭電容器的封裝方法，其特征在于：所述步驟s3中，模壓后放入50-80℃水中浸泡5-30min，取出后沖洗干凈并放入鼓風(fēng)干燥箱中烘干。

9.如權(quán)利要求4所述的一種片式鉭電容器的封裝方法，其特征在于：所述步驟s3中烘干溫度為65-85℃，烘干時(shí)間為5-15min。

10.如權(quán)利要求4所述的一種片式鉭電容器的封裝方法，其特征在于：所述步驟s4中電鍍的材料為錫鉛，電鍍時(shí)間為10-30min，電流密度為2-5a/dm2。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種片式鉭電容器及其封裝方法，所述電容器包括引線框架和鉭芯，所述引線框架通過(guò)連接部與鉭芯連接。所述封裝方法，包括以下步驟：將引線框架、連接部及鉭芯對(duì)應(yīng)連接后，在連接部涂覆水溶性高分子材料；放入模具中進(jìn)行模壓；模壓后放入水中浸泡，取出后沖洗干凈并烘干；進(jìn)行電鍍處理，完成鉭電容器的封裝。本發(fā)明通過(guò)在引線框架正、負(fù)極引線區(qū)域涂覆一層水溶性高分子膜材料；因水溶性高分子材料具有良好的粘附性和可剝離性，可以在模壓過(guò)程中有效地防止環(huán)氧模壓溢料緊貼在引線框架上，有效去除環(huán)氧模壓溢料，特別是避免溢料緊貼在引線框架上，提高了生產(chǎn)的質(zhì)量和產(chǎn)品的性能，省去了對(duì)溢料進(jìn)行處理的步驟。

技術(shù)研發(fā)人員：敬通國(guó),黎銘崧,韋茗仁,彭云峰,張凱
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)振華（集團(tuán)）新云電子元器件有限責(zé)任公司（國(guó)營(yíng)第四三二六廠）
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2