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具有鍍覆的接地屏蔽件的電連接器及連接器系統(tǒng)的制作方法

文檔序號(hào):40436599發(fā)布日期:2024-12-24 15:10閱讀:16來(lái)源:國(guó)知局
具有鍍覆的接地屏蔽件的電連接器及連接器系統(tǒng)的制作方法

本文的主題總體上涉及具有屏蔽信號(hào)觸頭的鍍覆的接地屏蔽件的電連接器。


背景技術(shù):

1、許多已知的電連接器的電觸頭經(jīng)常被鍍覆以改善連接器的電性能和機(jī)械可靠性。例如,高速連接器的信號(hào)觸頭和接地觸頭的基材通常鍍覆有可為觸頭提供較低的接觸電阻的一種或多種其他材料,例如貴金屬及其合金。但是,鍍覆電連接器的信號(hào)觸頭和接地觸頭可能是昂貴的,從而增加了制造連接器的成本,特別是當(dāng)鍍層包括昂貴的貴金屬時(shí)。

2、需要在不犧牲電連接器的電性能或耐久性的情況下降低電連接器的觸頭的成本。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本發(fā)明,提供了一種電連接器,其包括外殼、信號(hào)觸頭和接地屏蔽件。信號(hào)觸頭聯(lián)接到外殼且定位為與配合連接器的配合信號(hào)觸頭配合。接地屏蔽件聯(lián)接到外殼且至少部分地圍繞信號(hào)觸頭以屏蔽信號(hào)觸頭。接地屏蔽件沿著接地屏蔽件的一個(gè)或多個(gè)接觸段鍍覆有接地材料組分,所述一個(gè)或多個(gè)接觸段與一個(gè)或多個(gè)其他導(dǎo)電構(gòu)件壓縮接合。接地材料組分包括錫鎳(sn/ni)合金鍍層。信號(hào)觸頭鍍覆有不同于接地材料組分的信號(hào)材料組分。



技術(shù)特征:

1.一種電連接器(14),包括:

2.如權(quán)利要求1所述的電連接器(14),其中沿著所述接地屏蔽件(36)的配合接觸段(37)的接地材料組分(202)配置為在操作期間在與所述配合連接器(12)的配合接地屏蔽件(32)配合時(shí)產(chǎn)生第一低水平接觸電阻(llcr),并且所述信號(hào)材料組分(302)配置為在操作期間在與所述配合連接器的配合信號(hào)觸頭(28)配合時(shí)產(chǎn)生第二llcr,其中所述第二llcr小于所述第一llcr。

3.如權(quán)利要求1所述的電連接器(14),其中所述錫鎳合金鍍層(206)含有約55wt%至約75wt%的錫和約25wt%至約45wt%的鎳。

4.如權(quán)利要求1所述的電連接器(14),其中所述錫鎳合金鍍層(206)含有約65wt%的錫和約35wt%的鎳。

5.如權(quán)利要求1所述的電連接器(14),其中所述接地屏蔽件(36)沿著所述接地屏蔽件在所述一個(gè)或多個(gè)接觸段(39)之外的部分(402)缺少所述接地材料組分(202)。

6.如權(quán)利要求1所述的電連接器(14),其中所述錫鎳合金鍍層(206)是所述接地屏蔽件(36)沿著所述一個(gè)或多個(gè)接觸段(39)的最外金屬層。

7.如權(quán)利要求1所述的電連接器(14),其中所述接地材料組分(202)在所述接地屏蔽件(36)的基材(204)與所述錫鎳合金鍍層(206)之間包括鎳鍍層(208)。

8.如權(quán)利要求1所述的電連接器(14),其中所述接地屏蔽件(36)包括基材(204)和沿著所述接地屏蔽件的整個(gè)表面積覆蓋所述基材的鎳鍍層(208),并且其中所述錫鎳合金鍍層(206)僅沿著所述接地屏蔽件的一個(gè)或多個(gè)接觸段(39)覆蓋所述鎳鍍層。

9.如權(quán)利要求1所述的電連接器(14),其中所述信號(hào)觸頭(30)的信號(hào)材料組分(302)缺少錫鎳合金鍍層。

10.如權(quán)利要求1所述的電連接器(14),其中所述接地屏蔽件(36)的一個(gè)或多個(gè)接觸段(39)包括以下中的一個(gè)或多個(gè):


技術(shù)總結(jié)
電連接器(14)包括外殼(54)、信號(hào)觸頭(30)和接地屏蔽件(36)。信號(hào)觸頭(30)聯(lián)接到外殼且定位為與配合連接器(12)的配合信號(hào)觸頭(28)配合。接地屏蔽件聯(lián)接到外殼且至少部分地圍繞信號(hào)觸頭以屏蔽信號(hào)觸頭。接地屏蔽件沿著接地屏蔽件的一個(gè)或多個(gè)接觸段(39)鍍覆有接地材料組分(202),所述一個(gè)或多個(gè)接觸段與一個(gè)或多個(gè)其他導(dǎo)電構(gòu)件壓縮接合。接地材料組分包括錫鎳(Sn/Ni)合金鍍層(206)。信號(hào)觸頭鍍覆有不同于接地材料組分的信號(hào)材料組分(302)。

技術(shù)研發(fā)人員:J·J·孔索利,R·I·馬滕斯,C·W·摩根,S·巴加瓦
受保護(hù)的技術(shù)使用者:泰連公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/23
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