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隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)、太陽能電池、光伏組件和光伏系統(tǒng)的制作方法

文檔序號:40541933發(fā)布日期:2025-01-03 11:01閱讀:10來源:國知局
隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)、太陽能電池、光伏組件和光伏系統(tǒng)的制作方法

本申請涉及光伏,具體地,涉及隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)、太陽能電池、光伏組件和光伏系統(tǒng)。


背景技術(shù):

1、topcon電池(也稱為隧穿氧化鈍化電池或i-topcon電池)是一種基于載流子原理的太陽能電池。它在電池表面添加一層超薄的氧化硅,使電池能夠透過電子而阻擋空穴,從而顯著提高電池的開路電壓和填充因子。然而,目前的太陽能topcon電池在實(shí)際生產(chǎn)和應(yīng)用過程中仍然存在著諸多的不足,有待進(jìn)一步提高。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在本申請的第一方面,本申請?zhí)岢隽艘环N隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)。根據(jù)本申請的實(shí)施例,所述隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)包括:氧化硅層;摻雜多晶硅層,所述摻雜多晶硅層設(shè)置于所述氧化硅層的一側(cè);以及透明導(dǎo)電層,所述透明導(dǎo)電層設(shè)置于所述摻雜多晶硅層遠(yuǎn)離所述氧化硅層的一側(cè)。由此,該隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)中的透明導(dǎo)電層能夠減少寄生吸收,從而提高電流密度,進(jìn)而提升太陽能電池的透過率、電流密度、載流子濃度和光電轉(zhuǎn)化效率。

2、根據(jù)本申請的實(shí)施例,上述隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)還可以進(jìn)一步包括如下附加技術(shù)至少之一:

3、在一些實(shí)施例中,所述透明導(dǎo)電層的材料選自二氧化錫和二氧化鋅中的至少之一。

4、在一些實(shí)施例中,所述透明導(dǎo)電層厚度為50nm~200nm。根據(jù)本申請實(shí)施例的隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu),透明導(dǎo)電層的厚度適中,相較于前述的摻雜多晶硅層有更好的透過率能夠被低溫銀漿燒穿,從而使低溫銀漿與摻雜多晶硅層形成歐姆接觸。由此,可以進(jìn)一步提高該隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)的透過率。

5、在一些實(shí)施例中,所述摻雜多晶硅層的厚度不大于10nm。

6、在一些實(shí)施例中,所述氧化硅層厚度為1~2nm。根據(jù)本申請的實(shí)施例,氧化硅層的厚度適中能夠提供隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)良好的界面鈍化性能,減少該結(jié)構(gòu)表面復(fù)合速率。

7、在本申請的第二方面,本申請?zhí)岢隽艘环N制備前述的隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)的方法。根據(jù)本申請的實(shí)施例,所述方法包括:進(jìn)行氧化硅沉積處理,以便形成氧化硅層;在所述氧化硅層的一側(cè)進(jìn)行摻雜多晶硅沉積處理,以便形成摻雜多晶硅層;以及在所述摻雜多晶硅層遠(yuǎn)離所述氧化硅層的一側(cè)進(jìn)行透明導(dǎo)電層沉積處理,以便形成透明導(dǎo)電層。根據(jù)本申請實(shí)施例的方法,能夠制備提升太陽能電池的遷移率、載流子濃度、透過率和光電轉(zhuǎn)化效率的隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)。

8、在一些實(shí)施例中,所述透明導(dǎo)電層的材料選自二氧化錫,所述二氧化錫是以四(二甲基氨基)錫源的形式提供的。

9、在一些實(shí)施例中,所述透明導(dǎo)電層沉積處理是在溫度為70~150℃、四(二甲基氨基)錫源流量為90~110slm和循環(huán)次數(shù)不低于500次的條件下進(jìn)行的,所述透明導(dǎo)電層沉積處理是在四(二甲基氨基)錫源流量為90~110slm的條件下進(jìn)行的。

10、在一些實(shí)施例中,所述氧化硅沉積處理是在溫度為530~570℃、氧流量為8~12slm和時(shí)間為8~12min的條件下進(jìn)行的。

11、在一些實(shí)施例中,所述摻雜多晶硅沉積處理是在溫度為550~590℃、sih4流量為90~110slm和時(shí)間為10~30min的條件下進(jìn)行的。

12、在本申請的第三方面,本申請?zhí)岢隽艘环N太陽能電池,包括本申請的第一方面所述的隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)。根據(jù)本申請實(shí)施例的太陽能電池的遷移率、載流子濃度、透過率和光電轉(zhuǎn)化效率提高。

13、在一些實(shí)施例中,所述太陽能電池為topcon電池。根據(jù)本申請實(shí)施例的太陽能電池的遷移率、載流子濃度、透過率和光電轉(zhuǎn)化效率提高。

14、在本申請的第四方面,本申請?zhí)岢隽艘环N光伏組件,包括至少一個(gè)電池串,所述電池串包括至少兩個(gè)前述的太陽能電池。

15、在本申請的第五方面,本申請?zhí)岢隽艘环N光伏系統(tǒng),包括前述的光伏組件。



技術(shù)特征:

1.一種隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈍化接觸結(jié)構(gòu),其特征在于,所述透明導(dǎo)電層的材料選自二氧化錫和二氧化鋅中的至少之一;

3.一種制備權(quán)利要求1或2所述的隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)的方法,其特征在于,包括:

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述透明導(dǎo)電層的材料選自二氧化錫,所述二氧化錫是以四(二甲基氨基)錫源的形式提供的。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述透明導(dǎo)電層沉積處理是在溫度為70~150℃、四(二甲基氨基)錫源流量為90~110slm和循環(huán)次數(shù)不低于500次的條件下進(jìn)行的;

6.一種太陽能電池,其特征在于,包括權(quán)利要求1或2所述的隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池為topcon電池。

8.一種光伏組件,其特征在于,包括至少一個(gè)電池串,所述電池串包括至少兩個(gè)權(quán)利要求6或7所述的太陽能電池。

9.一種光伏系統(tǒng),其特征在于,包括權(quán)利要求8所述的光伏組件。


技術(shù)總結(jié)
本申請公開了隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)、太陽能電池、光伏組件和光伏系統(tǒng),隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)包括:氧化硅層;摻雜多晶硅層,所述摻雜多晶硅層設(shè)置于所述氧化硅層的一側(cè);透明導(dǎo)電層,所述透明導(dǎo)電層設(shè)置于所述摻雜多晶硅層遠(yuǎn)離所述氧化硅層的一側(cè)。該隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)中的透明導(dǎo)電層能夠減少寄生吸收,從而提高電流密度,進(jìn)而提升太陽能電池的透過率、電流密度、載流子濃度和光電轉(zhuǎn)化效率。

技術(shù)研發(fā)人員:王堯
受保護(hù)的技術(shù)使用者:天合光能股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/2
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