本申請(qǐng)涉及晶圓清洗,尤其涉及一種驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備。
背景技術(shù):
1、在半導(dǎo)體領(lǐng)域,cmp(chemical?mechanical?polishing,化學(xué)機(jī)械拋光)屬于晶圓制造工序中的核心制程之一,cmp后的晶圓表面會(huì)引入污染和/或顆粒物,因此,需要對(duì)晶圓進(jìn)行清洗、干燥等后處理。
2、通常,用于清洗晶圓的刷洗系統(tǒng)一般包含有驅(qū)動(dòng)模塊和噴淋模塊,驅(qū)動(dòng)模塊驅(qū)動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn),噴淋模塊向晶圓的表面噴淋清洗液以進(jìn)行清洗。然而現(xiàn)有技術(shù)中,對(duì)于驅(qū)動(dòng)模塊的保濕的用水量較大,損耗較高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備,以至少部分解決上述問(wèn)題。
2、根據(jù)實(shí)施例的第一方面,提供了一種驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的保濕控制方法,應(yīng)用于晶圓清洗裝置中的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括輪體和旋轉(zhuǎn)軸,所述旋轉(zhuǎn)軸與所述輪體同步旋轉(zhuǎn),所述旋轉(zhuǎn)軸內(nèi)部設(shè)置第一流道,所述輪體內(nèi)部包括沿所述輪體的徑向設(shè)置的第二流道,所述第一流道用于向所述第二流道輸送流體,所述流體通過(guò)所述第二流道從所述輪體的外緣流出,所述輪體的外緣設(shè)置有與晶圓配合、且與所述第二流道相通的間隙,所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的保濕控制方法包括:若監(jiān)測(cè)到所述輪體從運(yùn)動(dòng)狀態(tài)切換為靜止?fàn)顟B(tài),則控制所述流體以沖洗模式流入所述第一流道以沖洗所述輪體。
3、根據(jù)實(shí)施例的第二方面,提供了一種晶圓清洗裝置,包括:驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和控制器,所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括輪體和旋轉(zhuǎn)軸,所述旋轉(zhuǎn)軸用于帶動(dòng)所述輪體旋轉(zhuǎn),所述旋轉(zhuǎn)軸內(nèi)部設(shè)置第一流道,所述輪體內(nèi)部包括沿所述輪體的徑向設(shè)置的第二流道,所述第一流道用于向所述第二流道輸送流體,所述流體通過(guò)所述第二流道從所述輪體的外緣流出,所述輪體的外緣設(shè)置有與晶圓配合、且與所述第二流道相通的間隙;所述控制器用于執(zhí)行如下方法:若監(jiān)測(cè)到所述輪體從運(yùn)動(dòng)狀態(tài)切換為靜止?fàn)顟B(tài),則控制所述流體以沖洗模式流入所述第一流道以沖洗所述輪體。
4、根據(jù)實(shí)施例的第三方面,提供了一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì),其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,該程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如第一方面所述的方法。
5、根據(jù)實(shí)施例的第四方面,提供了一種電子設(shè)備,包括處理器、存儲(chǔ)器、通信接口和通信總線,處理器、存儲(chǔ)器和通信接口通過(guò)通信總線完成相互間的通信;存儲(chǔ)器用于存放至少一可執(zhí)行指令,可執(zhí)行指令使處理器執(zhí)行如第一方面所述的方法對(duì)應(yīng)的操作。
6、本申請(qǐng)實(shí)施例中,通過(guò)在驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)軸內(nèi)部設(shè)置第一流道,在輪體內(nèi)部設(shè)置沿輪體的徑向的第二流道,通過(guò)第一流道向第二流道輸送流體,流體通過(guò)第二流道從輪體的外緣流出,可以對(duì)晶圓與輪體的接觸位置進(jìn)行清洗,從而避免晶圓邊緣出現(xiàn)磨損或污染;同時(shí),流體通過(guò)第二流道從輪體的外緣流出,可以對(duì)輪體進(jìn)行保濕,無(wú)需單獨(dú)對(duì)輪體進(jìn)行噴淋保濕,并且針對(duì)輪體的不同工作狀態(tài),可以靈活切換不同的保濕模式,從而可以進(jìn)一步節(jié)約流體用量,減少損耗。
7、在半導(dǎo)體領(lǐng)域,晶圓清洗是必備流程,每道工藝程序后面都會(huì)進(jìn)行晶圓清洗,導(dǎo)致生產(chǎn)晶圓的耗水量很大;并且通常使用去離子水進(jìn)行晶圓清洗,而生產(chǎn)去離子水的成本也很高;不利于節(jié)能、減排、降碳等。而本申請(qǐng)?zhí)峁┑姆桨?,既提高了晶圓的成品率,又節(jié)約了因晶圓被污染或磨損導(dǎo)致的額外清洗資源,有利于企業(yè)開(kāi)展esg?(environmental(環(huán)境),social(社會(huì)),governance(治理))管理。
1.一種驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的保濕控制方法,其特征在于,應(yīng)用于晶圓清洗裝置中的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括輪體和旋轉(zhuǎn)軸,所述旋轉(zhuǎn)軸與所述輪體同步旋轉(zhuǎn),所述旋轉(zhuǎn)軸內(nèi)部設(shè)置第一流道,所述輪體內(nèi)部包括沿所述輪體的徑向設(shè)置的第二流道,所述第一流道用于向所述第二流道輸送流體,所述流體通過(guò)所述第二流道從所述輪體的外緣流出,所述輪體的外緣設(shè)置有與晶圓配合、且與所述第二流道相通的間隙,所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的保濕控制方法包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制所述流體以微正壓模式流入所述第一流道包括:
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述沖洗模式下的流體壓力大于所述微正壓模式下的流體壓力。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述對(duì)輪體進(jìn)行保濕包括:按照驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的跑片頻率確定流體的控制量,以在跑片過(guò)程中對(duì)輪體進(jìn)行保濕。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述流體的控制量包括以下至少之一:開(kāi)啟間隔、持續(xù)時(shí)間和流量。
7.一種晶圓清洗裝置,其特征在于,包括:驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和控制器,
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置,其特征在于,所述控制所述流體以微正壓模式流入所述第一流道包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置,其特征在于,所述沖洗模式下的流體壓力大于所述微正壓模式下的流體壓力。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置,其特征在于,所述方法還包括:
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置,其特征在于,所述對(duì)輪體進(jìn)行保濕包括:按照驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的跑片頻率確定流體的控制量,以在跑片過(guò)程中對(duì)輪體進(jìn)行保濕。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其特征在于,所述流體的控制量包括以下至少之一:開(kāi)啟間隔、持續(xù)時(shí)間和流量。
13.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括:處理器、存儲(chǔ)器、通信接口和通信總線,所述處理器、所述存儲(chǔ)器和所述通信接口通過(guò)所述通信總線完成相互間的通信;
14.一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì),其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,該程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-6中任一所述的方法。