技術(shù)特征：

1.一種基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的紅光激光器，其特征在于，由下至上依次包括：反射層、p面電極、空穴傳輸層、鈣鈦礦有源層、電子傳輸層和n面電極；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的紅光激光器，其特征在于，反射層的厚度為250-350nm，hfo2層的單層厚度為25-35?nm，sio2層的單層厚度為15-25?nm；hfo2層緊貼p面電極的下表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的紅光激光器，其特征在于，p面電極為ito導(dǎo)電玻璃，厚度為250-350?μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的紅光激光器，其特征在于，空穴傳輸層中鈧元素的摩爾量為氧化鎳摩爾量的4-6%；空穴傳輸層的厚度為150-250?nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的紅光激光器，其特征在于，鈣鈦礦有源層的厚度為100-200nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的紅光激光器，其特征在于，電子傳輸層中鎂元素的摩爾量為氧化鋅摩爾量的10-20%；電子傳輸層的厚度為150-250nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的紅光激光器，其特征在于，n面電極為au/ge/ni，n面電極的厚度為550nm，其中au層的厚度為300?nm，ge層的厚度為150?nm，ni層的厚度為100?nm；n面電極自下至上依次為ni層、ge層、au層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的紅光激光器，其特征在于，p面電極與外部電源的正極相連，n面電極與外部電源的負(fù)極相連。

9.如權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的紅光激光器的制備方法，包括步驟：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的紅光激光器的制備方法，其特征在于，包括以下條件中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的紅光激光器及其制備方法，屬于半導(dǎo)體量子點(diǎn)激光器領(lǐng)域。本發(fā)明紅光激光器由下至上依次包括：反射層、P面電極、空穴傳輸層、鈣鈦礦有源層、電子傳輸層和N面電極；反射層是由HfO<subgt;2</subgt;層和SiO<subgt;2</subgt;層交替堆疊而成；空穴傳輸層為氧化鎳摻雜鈧元素；鈣鈦礦有源層為CsPbBrl<subgt;2</subgt;/PbSe異質(zhì)結(jié)層。本發(fā)明激光器改善了有源區(qū)鈣鈦礦量子點(diǎn)載流子傳輸效率，提高了紅光激光器的輸出功率和效率；以F?P腔模式作為諧振腔，通過增加在工作介質(zhì)中振蕩提升激光光束的輸出功率。本發(fā)明紅光激光器具有構(gòu)造簡單、制備方法簡單、散熱好、發(fā)光效率高、光致發(fā)光強(qiáng)度高、閾值電流低、輸出功率高等優(yōu)勢(shì)。

技術(shù)研發(fā)人員：吳德華,劉斌,趙軍華,劉琦,任夫洋,蘇建
受保護(hù)的技術(shù)使用者：山東華光光電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2