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正極片及電芯的制作方法

文檔序號(hào):40544228發(fā)布日期:2025-01-03 11:03閱讀:6來(lái)源:國(guó)知局
正極片及電芯的制作方法

本發(fā)明涉及電池,尤其涉及一種正極片及電芯。


背景技術(shù):

1、鋰離子電池(libs)由于其高比能密度、寬溫度范圍和長(zhǎng)循環(huán)壽命,目前主導(dǎo)著便攜式電子設(shè)備電池市場(chǎng);磷酸鐵鋰類材料和三元類材料因其各自的特點(diǎn)在市場(chǎng)上被廣泛應(yīng)用。

2、然后,上述材料的長(zhǎng)循環(huán)使用過(guò)程中,伴隨著電化學(xué)性能的嚴(yán)重衰減,功率性能得不到滿足,容量保持率也越來(lái)越差;一方面原因是因?yàn)殡娦镜膶娱g擠壓比較嚴(yán)重,導(dǎo)致電解液浸潤(rùn)不良,另一方面是在高溫化成或者高溫循環(huán)測(cè)試的環(huán)境下,電池可能會(huì)產(chǎn)生氣體(如氫氣),如果這些氣體不能及時(shí)排出,會(huì)在電池內(nèi)部造成壓力升高,并可能導(dǎo)致電極和隔膜之間的界面粘接不良,界面粘接不良會(huì)增加局部電流密度,導(dǎo)致不均勻沉積鋰金屬,從而促進(jìn)鋰枝晶的形成,影響電池的性能。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于上述問(wèn)題,本發(fā)明提供一種正極片及電芯,可以增加電池內(nèi)的電解液的存儲(chǔ)空間,提高電解液對(duì)正極片的浸潤(rùn)效果,并且,可及時(shí)將氣體排出,從而提高了電池的循環(huán)性能以及容量保持率。

2、第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供一種正極片,包括:正極集流體;正極活性層,涂敷于所述正極集流體表面,所述正極活性層設(shè)有間隔布置的多個(gè)凹坑結(jié)構(gòu),所述正極活性層包括位于相鄰兩個(gè)所述凹坑結(jié)構(gòu)之間的第一部分,所述第一部分的至少部分區(qū)域構(gòu)成裂紋區(qū),所述裂紋區(qū)形成有裂紋結(jié)構(gòu);所述正極活性層的正極活性材料包括磷酸鐵鋰、磷酸錳鐵鋰、磷酸錳鋰、lia1cox1m1k1o2、lia2nix2coy2dz2m2k2o2中的至少一種,其中,0.85≤a1≤1.1,0.85≤a2≤1.1,0.85≤x1≤1.05,0.3≤x2≤0.98,0≤y2≤0.5,0≤z2≤0.5,0≤k1≤0.15,0≤k2≤0.15;d包括mn和al中的至少一種,m1包括al、mg、ti、zr、y、la、w、b、nb和mn中的至少一種,m2包括al、mg、ti、zr、y、la、w、b、nb和mn中的至少一種。

3、本發(fā)明的正極片,在正極活性層上間隔布置多個(gè)凹坑結(jié)構(gòu),增大了正極活性層的表面積,電解液與正極活性層之間的接觸面積增大,且凹坑結(jié)構(gòu)增加了電解液的存儲(chǔ)空間,可以容納更多的電解液,有利于提高電解液對(duì)正極片的浸潤(rùn)效果,還有助于提高電池的容量保持率。

4、進(jìn)一步,由于磷酸鐵鋰、磷酸錳鐵鋰、磷酸錳鋰、lia1cox1m1k1o2、lia2nix2coy2dz2m2k2o2等活性材料在高溫化成過(guò)程或者高溫循環(huán)中容易和電解液因發(fā)生副反應(yīng)產(chǎn)生氣體、也可能電解液可能因發(fā)生水解而產(chǎn)生氣體(如氫氣),而本實(shí)施例中,正極片上形成有裂紋區(qū),裂紋區(qū)的裂紋結(jié)構(gòu)構(gòu)成氣體排出路徑,使得氣體可以從裂紋區(qū)內(nèi)的裂紋結(jié)構(gòu)處排出,及時(shí)釋放電池內(nèi)部壓力,使正極片與隔膜之間保持良好的界面接觸,在循環(huán)過(guò)程中,有利于正極片和隔膜上的電流密度分布更加均勻,避免鋰金屬不均勻沉積以及由此導(dǎo)致的鋰枝晶形成。

5、而且,通過(guò)裂紋結(jié)構(gòu)及時(shí)將氣體排出,還可以在一定程度上起到散熱作用,有利于維持正極片在循環(huán)過(guò)程中的溫度,使得電芯內(nèi)部熱量分散均勻,從而使電芯內(nèi)部具有穩(wěn)定的反應(yīng)環(huán)境,防止副反應(yīng)的進(jìn)一步發(fā)生,以提高電池的循環(huán)性能,延長(zhǎng)電池的使用壽命。

6、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述裂紋區(qū)包括沿所述凹坑結(jié)構(gòu)的周向延伸的第一裂紋區(qū),所述裂紋結(jié)構(gòu)包括位于所述第一裂紋區(qū)內(nèi)的第一裂紋結(jié)構(gòu),所述第一裂紋區(qū)的第一裂紋結(jié)構(gòu)在所述凹坑結(jié)構(gòu)的周向上的長(zhǎng)度c1小于所述凹坑結(jié)構(gòu)的周長(zhǎng)c。

7、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述第一裂紋區(qū)的至少部分處于所述凹坑結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述第一部分的倒角區(qū)域。

8、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述c1和所述c滿足:0.3≤c1/c≤1,

9、和/或,所述凹坑結(jié)構(gòu)在參考面內(nèi)的投影的面積s11與所述凹坑結(jié)構(gòu)外的所述第一裂紋區(qū)內(nèi)裂紋結(jié)構(gòu)的面積s12滿足:0.1≤s12/s11≤0.5,所述參考面與所述正極集流體平行;和/或,

10、所述第一裂紋區(qū)與所述凹坑結(jié)構(gòu)的間距為0-100μm。

11、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述裂紋區(qū)還包括位于相鄰兩個(gè)所述凹坑結(jié)構(gòu)之間的第二裂紋區(qū),所述裂紋結(jié)構(gòu)包括位于所述第二裂紋區(qū)內(nèi)的第二裂紋結(jié)構(gòu)。

12、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述第二裂紋結(jié)構(gòu)呈線性延伸,所述第二裂紋結(jié)構(gòu)的兩端分別朝向相鄰兩個(gè)所述凹坑結(jié)構(gòu)。

13、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述第二裂紋結(jié)構(gòu)的數(shù)量為0-5個(gè);和/或,

14、所述第二裂紋結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度為l3,相鄰兩個(gè)所述凹坑結(jié)構(gòu)之間的間距為l2,所述l3與所述l2滿足:0.05≤l3/l2≤0.95。

15、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述裂紋結(jié)構(gòu)的寬度的取值范圍為0.1μm-10μm;和/或,所述裂紋結(jié)構(gòu)的深度小于所述凹坑結(jié)構(gòu)的深度。

16、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述正極片包括凹坑區(qū),多個(gè)所述凹坑結(jié)構(gòu)均處于所述凹坑區(qū),所述凹坑區(qū)的面積s1與所述正極片的面積s的比值:0.05≤s1/s≤0.6;和/或,

17、凹坑區(qū)內(nèi)的所述凹坑結(jié)構(gòu)在參考面內(nèi)的投影的面積之和s2與凹坑區(qū)內(nèi)的非凹坑結(jié)構(gòu)的面積s3的比值為:0.2≤s2/s3≤1.4。

18、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述凹坑結(jié)構(gòu)包括底壁,

19、所述凹坑結(jié)構(gòu)的靠近所述正極活性層的頂面寬度d1與所述底壁的寬度d2之間滿足:d1≥d2。

20、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述d1與所述d2滿足:1≤d1/d2≤1.5;和/或,

21、所述d1的取值范圍為:80μm≤d1≤2000μm;和/或,

22、所述d2的取值范圍為:50μm≤d2≤1500μm;和/或,

23、所述底壁的周長(zhǎng)c2與所述凹坑結(jié)構(gòu)的周長(zhǎng)c滿足:1≤c2/c≤1.5。

24、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,相鄰兩個(gè)所述凹坑結(jié)構(gòu)之間的間距為l1,相鄰兩個(gè)所述凹坑結(jié)構(gòu)之間的第一部分的長(zhǎng)度為l2,

25、所述l1和所述l2滿足:1.2≤l1/l2≤2.5。

26、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述凹坑結(jié)構(gòu)還包括側(cè)壁,所述側(cè)壁與所述底壁之間的夾角a1的取值范圍為:90°<a1<160°。

27、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述正極活性涂層設(shè)于所述正極集流體的其中一側(cè)表面,

28、所述凹坑結(jié)構(gòu)的深度h1與所述正極集流體和位于所述正極集流體一側(cè)的所述正極活性層的厚度之和h滿足:1/20≤h1/h≤1/2;和/或,

29、所述凹坑結(jié)構(gòu)的深度h1的取值范圍為:1μm≤h1≤40μm。

30、第二方面,本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種電芯,包括:負(fù)極片;隔膜;

31、上述的正極片,所述正極片、所述隔膜和所述負(fù)極片層疊卷繞以形成所述電芯;

32、所述正極片包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,其中,所述第一區(qū)域?qū)?yīng)于所述電芯的平直部分,所述第二區(qū)域?qū)?yīng)于所述電芯的彎折部分,所述凹坑結(jié)構(gòu)設(shè)于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的至少一者上。

33、本發(fā)明的電芯,由于使用上述的正極片,正極片的凹坑結(jié)構(gòu)有利于在容納更多的電解液的同時(shí)提高電解液的浸潤(rùn)效果。加工凹坑結(jié)構(gòu)時(shí)形成裂紋結(jié)構(gòu),當(dāng)高溫循環(huán)過(guò)程中電池內(nèi)產(chǎn)生氣體時(shí),氣體可以從正極片的裂紋區(qū)內(nèi)的裂紋結(jié)構(gòu)處排出,及時(shí)釋放電池內(nèi)部壓力,保證正極片和隔膜之間形成的界面上具有足夠的粘接力,提高極片的界面的穩(wěn)定性,從而避免負(fù)極片析鋰的情況。同時(shí),還可以維持正極片在循環(huán)過(guò)程中的溫度,使得電芯內(nèi)具有穩(wěn)定的反應(yīng)環(huán)境,防止不良副反應(yīng)的進(jìn)一步發(fā)生,有利于提高電池的循環(huán)性能,延長(zhǎng)電池的使用壽命。

34、在一些實(shí)施例中,所述第一區(qū)域設(shè)有第一凹坑結(jié)構(gòu),所述第二區(qū)域設(shè)有第二凹坑結(jié)構(gòu),所述第一凹坑結(jié)構(gòu)的深度為h11,所述第二凹坑結(jié)構(gòu)的深度為h12,所述h11和所述h12滿足:1≤h12/h11≤1.5。

35、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,

36、所述正極片包括位于所述第二區(qū)域的凹坑區(qū),

37、所述凹坑區(qū)的長(zhǎng)度l1滿足公式:(0.5π(rmin+h)≤l1≤π(rmax+h),其中,rmin為所述第二區(qū)域的最內(nèi)側(cè)圈層的圓弧曲率,rmax為所述第二區(qū)域的最外側(cè)圈層的曲率,h為所述正極片的厚度。

38、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述正極片包括凹坑區(qū),多個(gè)所述凹坑結(jié)構(gòu)均處于所述凹坑區(qū),

39、所述正極片還包括:位于所述凹坑區(qū)沿所述正極片的長(zhǎng)度方向的相對(duì)兩側(cè)的第一避空區(qū)、第二避空區(qū),所述第一避空區(qū)對(duì)應(yīng)于所述正極片的卷繞起始端,所述第二避空區(qū)對(duì)應(yīng)于所述正極片的卷繞末端,

40、所述第一避空區(qū)沿所述正極片的長(zhǎng)度方向的尺寸k1為:10mm≤k1≤300mm;和/或,

41、所述第二避空區(qū)沿所述正極片的長(zhǎng)度方向的尺寸k2為:10mm≤k2≤100mm。

42、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述正極片包括卷繞形成的多個(gè)圈層,所述第一避空區(qū)至少構(gòu)成多個(gè)所述圈層中位于最內(nèi)側(cè)的圈層。

43、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述正極集流體沿所述正極片的寬度方向的一側(cè)邊緣設(shè)有極耳連接區(qū),所述極耳連接區(qū)設(shè)有沿所述正極片的長(zhǎng)度方向間隔分布的多個(gè)極耳;

44、所述正極片包括有位于所述正極片的寬度方向的一側(cè)上的陶瓷層;

45、所述正極片包括有位于陶瓷層和所述凹坑結(jié)構(gòu)之間的第三避空區(qū);

46、所述第三避空區(qū)沿所述正極片的寬度方向的尺寸m1為:5mm≤m1≤30mm。

47、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述凹坑區(qū)包括沿所述正極片的長(zhǎng)度方向間隔分布的多個(gè)子凹坑區(qū),所述正極集流體沿所述正極片的寬度方向的一側(cè)邊緣設(shè)有極耳連接區(qū),所述極耳連接區(qū)位于相鄰的兩個(gè)所述子凹坑區(qū)之間,所述極耳連接區(qū)設(shè)有至少一個(gè)極耳,所述極耳與兩側(cè)任意一個(gè)所述子凹坑區(qū)之間的間距為5mm-30mm。

48、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述凹坑區(qū)包括沿所述正極片的長(zhǎng)度方向間隔分布的多個(gè)子凹坑區(qū),所述正極集流體沿所述正極片的寬度方向的一側(cè)邊緣設(shè)有膠紙連接區(qū),所述膠紙連接區(qū)位于相鄰的兩個(gè)所述子凹坑區(qū)之間,所述膠紙連接區(qū)與兩側(cè)任意一個(gè)所述子凹坑區(qū)之間的間距為5mm-30mm。

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