1.一種具有κ-ga2o3/al2o3復(fù)合鐵電介質(zhì)層的負(fù)電容晶體管，所述負(fù)電容晶體管包括從下至上依次設(shè)置的襯底（1），gan緩沖層（2），uid-gan溝道層（3），al0.25ga0.75n勢壘層（4），和劃定在al0.25ga0.75n勢壘層（4）表面的源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域以及柵極區(qū)域，以及設(shè)置在源電極區(qū)域的源電極（5）、設(shè)置在漏電極區(qū)域的漏電極（6）和設(shè)置在柵極區(qū)域的柵極（7）；所述uid-gan溝道層（3）與al0.25ga0.75n勢壘層（4）的接觸面形成二維電子氣溝道2deg；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述負(fù)電容晶體管，其特征在于：所述負(fù)電容晶體管還包括sinx絕緣層（11），所述sinx絕緣層（11）設(shè)置在除柵極區(qū)域之外的負(fù)電容晶體管表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述負(fù)電容晶體管，其特征在于：所述al0.25ga0.75n勢壘層（4）和κ-ga2o3鐵電層（9）相接觸的界面為第一氧補(bǔ)償界面，所述κ-ga2o3鐵電層（9）和al2o3絕緣層（10）相接觸的界面為第二氧補(bǔ)償界面，所述第一氧補(bǔ)償界面和第二氧補(bǔ)償界面的缺陷密度為1.9×1013~2.5×1013?cm-2。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述負(fù)電容晶體管，其特征在于：所述κ-ga2o3鐵電層（9）的厚度為50~100?nm，al2o3絕緣層（10）的厚度為30~50?nm；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述負(fù)電容晶體管，其特征在于：所述κ-ga2o3鐵電層（9）的厚度為50nm，al2o3絕緣層（10）的厚度為30?nm；
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述負(fù)電容晶體管，其特征在于：所述源電極（5）和漏電極（6）均為ti/al/ni/au合金，ti、al、ni和au的厚度分別為20~30、120~150、50~60和80~100?nm；柵極（7）為ni/au合金，ni和au的厚度分別為50~60和80~100?nm；柵極（7）和源電極（5）之間的距離為6~12?μm，柵極（7）和漏電極（6）之間的距離為6~12?μm。
7.一種如權(quán)利要求2~6任意一項(xiàng)所述負(fù)電容晶體管的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述制備方法，其特征在于：所述步驟4）中，定義柵極區(qū)域后采用氧等離子體處理去除殘膠；
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述制備方法，其特征在于：還包括側(cè)面刻蝕步驟，所述側(cè)面刻蝕步驟設(shè)置于步驟2）與步驟3）之間，所述側(cè)面刻蝕步驟具體為，在源電極（5）和漏電極（6）的外邊沿分別定義非有效工作區(qū)域，沿非有效工作區(qū)域向下刻蝕200?nm形成臺(tái)階缺口結(jié)構(gòu)；
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述制備方法，其特征在于：還包括扎針窗口步驟，所述扎針窗口步驟設(shè)置于步驟7）之后，所述扎針窗口步驟具體為，分別在源電極（5）表面和漏電極（6）表面光刻并顯影，形成扎針窗口，在源電極（5）表面的扎針窗口刻蝕sinx絕緣層（11）形成源電極（5）扎針區(qū)域，在漏電極（6）表面的扎針窗口刻蝕sinx絕緣層（11）形成漏電極（6）扎針區(qū)域。