本發(fā)明屬于晶圓處理，具體涉及一種吸附裝置及晶圓處理方法。

背景技術(shù)：

1、本發(fā)明屬于晶圓處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種吸附裝置及晶圓處理方法。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、因此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是如何防止晶圓在清洗時清洗液和鍵合膠殘膠滲入吸盤內(nèi)，或如何控制流體在吸附主體內(nèi)的流通路徑，以保證吸附主體在解鍵合后與晶圓件仍可維持一段時間的吸附，便于轉(zhuǎn)移，進(jìn)而避免后續(xù)工藝進(jìn)行發(fā)生問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種吸附裝置，包括：

3、吸附主體，適于供晶圓放置，并在真空發(fā)生器的作用下抽真空以將所述晶圓吸附；

4、通道機(jī)構(gòu)，適于供流體流經(jīng)，且形成于所述吸附主體上；所述通道機(jī)構(gòu)包括第一通道組件和第二通道組件，所述第二通道組件圍繞在所述第一通道組件設(shè)置；

5、填充機(jī)構(gòu)，包括填充于部分所述第二通道組件內(nèi)的第一填充件，以使部分所述第二通道組件內(nèi)無流體通過；填充有所述第一填充件的所述第二通道組件形成第一填充區(qū)域，剩余部分所述第二通道組件和所述第一通道組件形成吸附區(qū)域，所述晶圓的正投影與所述第一填充區(qū)域存在部分重合；

6、其中，所述吸附主體抽真空時，所述第一填充件使得流經(jīng)所述吸附區(qū)域與所述晶圓之間的第一氣流的流速大于流經(jīng)所述第一填充區(qū)域與所述晶圓之間的第二氣流的流速。

7、可選地，上述的吸附裝置，所述第一氣流的流通路徑包括位于所述吸附主體和所述晶圓之間的第一流通段，所述第一流通段和所述吸附主體的上表面之間垂直或趨于垂直設(shè)置。

8、可選地，上述的吸附裝置，所述第二氣流的流通路徑包括外界至所述吸附主體和所述晶圓縫隙的第二流通段、及位于所述吸附主體和所述晶圓之間的第三流通段；

9、所述第二流通段與所述吸附主體的上表面之間的夾角小于90°，所述第三流通段與所述吸附主體的上表面之間的夾角小于90°。

10、可選地，上述的吸附裝置，所述晶圓與所述吸附裝置吸合后，所述晶圓靠近所述吸附主體設(shè)置的第一側(cè)面與所述吸附主體之間的壓強(qiáng)，小于所述晶圓遠(yuǎn)離所述吸附主體設(shè)置的壓強(qiáng)。

11、可選地，上述的吸附裝置，所述第一填充區(qū)域的外邊緣位于所述吸附主體的外邊緣的內(nèi)側(cè)，或所述第一填充區(qū)域的外邊緣與所述吸附主體的外邊緣齊平。

12、可選地，上述的吸附裝置，所述填充機(jī)構(gòu)還包括填充于部分所述第一通道組件內(nèi)的第二填充件，填充有所述第二填充件的部分所述第一通道使得所述吸附區(qū)域被分割為吸合區(qū)域和第二填充區(qū)域；

13、所述吸附主體抽真空時，所述第二填充件使得流經(jīng)所述吸合區(qū)域與所述晶圓之間的第三氣流的流速大于流經(jīng)所述第二填充區(qū)域與所述晶圓之間的第四氣流的流速。

14、本發(fā)明還提供一種晶圓處理方法，采用如上所述的吸附裝置，包括如下步驟：

15、將晶圓放置于吸附本體上，所述晶圓和所述吸附本體之間存在間隙；

16、運(yùn)行真空發(fā)生器以使所述吸附本體內(nèi)形成負(fù)壓，以消除所述晶圓和所述吸附本體之間的間隙；

17、關(guān)閉真空發(fā)生器，所述吸附本體內(nèi)流體回流，以使所述吸附本體和所述晶圓之間脫離；

18、其中，所述晶圓和所述吸附本體的吸附區(qū)域之間存在第一氣流，所述晶圓和所述吸附本體的填充區(qū)域之間存在第二氣流，所述第二氣流自外界流經(jīng)所述間隙和所述吸附區(qū)域流向至外界，所述第一氣流經(jīng)所述吸附區(qū)域流向至外界或自外界流向至所述吸附區(qū)域，以使所述第一氣流的流速大于所述第二氣流的流速，進(jìn)而使得所述吸附區(qū)域與所述晶圓之間的吸附速度大于所述填充區(qū)域與所述晶圓的吸附速度，或使得所述吸附區(qū)域與所述晶圓之間的脫離速度大于所述填充區(qū)域與所述晶圓的脫離速度。

19、本發(fā)明提供的技術(shù)方案，具有以下優(yōu)點：通過設(shè)置有填充機(jī)構(gòu)，填充機(jī)構(gòu)包括第一填充件，第一填充件填充于部分設(shè)置在吸附主體內(nèi)的第二通道組件內(nèi)，從而使得填充有第一填充件的部分第二通道組件形成第一填充區(qū)域，該第一填充區(qū)域使得流體部分或全部無法通過；剩余部分第二通道組件和第一通道組件形成吸附區(qū)域，吸附區(qū)域?qū)⒕A吸附在吸附主體上；晶圓于吸附主體上的正投影與第一填充區(qū)域存在部分重合，從而防止流體通過第一填充區(qū)域進(jìn)入至吸附主體內(nèi)，影響晶圓后續(xù)工藝及最終產(chǎn)品效果；

20、并且，當(dāng)吸附主體抽真空時，由于第一填充件的存在，使得流經(jīng)吸附區(qū)域與晶圓之間的第一氣流的流速大于流經(jīng)第一填充區(qū)域與晶圓之間的第二氣流的流速，因而當(dāng)真空撤去時，流體自外界經(jīng)吸附區(qū)域回流至吸附主體和晶圓之間，以將晶圓和吸附主體分開時，流經(jīng)吸附區(qū)域與晶圓之間的第一氣流的流速依舊大于流經(jīng)第一填充區(qū)域與晶圓之間的第二氣流的流速，從而使得第一填充區(qū)域處與晶圓依舊保持一段時間的吸附，進(jìn)而便于在后續(xù)工藝中將晶圓轉(zhuǎn)移，更為方便快捷。

技術(shù)特征：

1.一種吸附裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的吸附裝置，其特征在于，所述第一氣流的流通路徑包括位于所述吸附主體和所述晶圓之間的第一流通段，所述第一流通段和所述吸附主體的上表面之間垂直或趨于垂直設(shè)置。

3.如權(quán)利要求1所述的吸附裝置，其特征在于，所述第二氣流的流通路徑包括外界至所述吸附主體和所述晶圓縫隙的第二流通段、及位于所述吸附主體和所述晶圓之間的第三流通段；

4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的吸附裝置，其特征在于，所述晶圓與所述吸附裝置吸合后，所述晶圓靠近所述吸附主體設(shè)置的第一側(cè)面與所述吸附主體之間的壓強(qiáng)，小于所述晶圓遠(yuǎn)離所述吸附主體設(shè)置的壓強(qiáng)。

5.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的吸附裝置，其特征在于，所述第一填充區(qū)域的外邊緣位于所述吸附主體的外邊緣的內(nèi)側(cè)，或所述第一填充區(qū)域的外邊緣與所述吸附主體的外邊緣齊平。

6.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的吸附裝置，其特征在于，所述填充機(jī)構(gòu)還包括填充于部分所述第一通道組件內(nèi)的第二填充件，填充有所述第二填充件的部分所述第一通道使得所述吸附區(qū)域被分割為吸合區(qū)域和第二填充區(qū)域；

7.一種晶圓處理方法，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至6中任一項所述的吸附裝置，包括如下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種吸附裝置及晶圓處理方法，屬于晶圓處理技術(shù)領(lǐng)域。吸附裝置包括吸附主體；通道機(jī)構(gòu)，包括第一通道組件和圍繞第一通道組件設(shè)置的第二通道組件；填充機(jī)構(gòu)，包括填充于部分第二通道組件內(nèi)的第一填充件，以使部分第二通道組件內(nèi)無流體通過；填充有第一填充件的第二通道組件形成第一填充區(qū)域，剩余部分第二通道組件和第一通道組件形成吸附區(qū)域，晶圓正投影與第一填充區(qū)域存在重合；抽真空時，第一填充件使得流經(jīng)吸附區(qū)域與晶圓之間的第一氣流的流速大于流經(jīng)第一填充區(qū)域與晶圓之間的第二氣流的流速。通過上述方式，能夠保證吸附主體在撤真空后與晶圓之間仍可維持一段時間的吸附，從而進(jìn)而避免后續(xù)工藝進(jìn)行發(fā)生滑落，磕碰等問題。

技術(shù)研發(fā)人員：沈達(dá),方耀星,薛亞玲,萬士元
受保護(hù)的技術(shù)使用者：吾拾微電子（蘇州）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6