本申請(qǐng)涉及芯片制造，具體涉及一種版圖的蝕刻補(bǔ)償方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、蝕刻偏差(etch?bias)是集成電路制造中蝕刻工藝引起的圖形的尺寸變化（比如包括線(xiàn)寬和間距），理想情況下蝕刻后晶片尺寸需要與設(shè)計(jì)尺寸保持一致。蝕刻偏差補(bǔ)償?shù)倪^(guò)程為，收集晶片上不同線(xiàn)寬和間距圖形的光刻后以及蝕刻后關(guān)鍵尺寸的量測(cè)數(shù)據(jù)，并基于關(guān)鍵尺寸的測(cè)量數(shù)據(jù)建立蝕刻偏差規(guī)則表，最后基于蝕刻偏差規(guī)則表對(duì)設(shè)計(jì)版圖運(yùn)行偏差補(bǔ)償程序。

2、在實(shí)際的蝕刻補(bǔ)償工藝中，蝕刻偏差規(guī)則表被廣泛用于設(shè)計(jì)版圖進(jìn)行蝕刻偏差補(bǔ)償。隨著芯片制造工藝節(jié)點(diǎn)的不斷演進(jìn)，單層圖形蝕刻偏差補(bǔ)償需要考慮的因素越來(lái)越多。除了考慮被補(bǔ)償圖形的線(xiàn)寬和間距尺寸之外，還需要考慮被補(bǔ)償圖形的長(zhǎng)度，被補(bǔ)償圖形邊長(zhǎng)的臨邊的長(zhǎng)度，被補(bǔ)償圖形邊長(zhǎng)的臨邊間距等等?；诂F(xiàn)有的蝕刻偏差規(guī)則二維表格，表格的行和列一次性只能對(duì)圖形的兩個(gè)考慮因素進(jìn)行蝕刻補(bǔ)償工藝，如考慮圖形的線(xiàn)寬/間距，線(xiàn)寬/長(zhǎng)度，線(xiàn)寬/臨邊長(zhǎng)度等。然而在復(fù)雜圖形化工藝的蝕刻工藝中，某一圖層的蝕刻偏差會(huì)受到以上列舉的不同因素的影響，因此按照傳統(tǒng)方法僅僅建立一次的蝕刻偏差規(guī)則表并進(jìn)行蝕刻偏差補(bǔ)償，無(wú)法對(duì)單層圖層的蝕刻偏差進(jìn)行準(zhǔn)確補(bǔ)償。在這種情況下，即使完成了蝕刻偏差的補(bǔ)償，工藝完成后在晶片上蝕刻的圖案仍然可能會(huì)顯著偏離目標(biāo)圖案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N版圖的蝕刻補(bǔ)償方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，可以考慮多個(gè)特征信息對(duì)蝕刻補(bǔ)償?shù)挠绊懀瑥亩鉀Q現(xiàn)有技術(shù)中單一的二維蝕刻偏差規(guī)則表無(wú)法適應(yīng)于多因素影響的問(wèn)題，提高了蝕刻偏差補(bǔ)償?shù)臏?zhǔn)確性。

2、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N版圖的蝕刻補(bǔ)償方法，包括：

3、獲取蝕刻后的芯片版圖，針對(duì)所述芯片版圖中待補(bǔ)償?shù)哪繕?biāo)位置獲取與所述目標(biāo)位置關(guān)聯(lián)的多個(gè)特征信息以及特征參數(shù)；

4、依次從所述多個(gè)特征信息中選取兩個(gè)特征信息，建立所述兩個(gè)特征信息與第一補(bǔ)償值之間的二維表，以得到多個(gè)二維表；

5、根據(jù)所述特征參數(shù)從所述多個(gè)二維表中依次確定每個(gè)二維表對(duì)應(yīng)的第二補(bǔ)償值；

6、根據(jù)多個(gè)第二補(bǔ)償值和多個(gè)特征信息對(duì)目標(biāo)補(bǔ)償值的影響因子計(jì)算目標(biāo)補(bǔ)償值，根據(jù)所述目標(biāo)補(bǔ)償值對(duì)所述目標(biāo)位置進(jìn)行補(bǔ)償。

7、可選的，所述多個(gè)特征信息包括當(dāng)前邊的間距、線(xiàn)寬、長(zhǎng)度、臨邊間距、臨邊線(xiàn)寬以及臨邊長(zhǎng)度中的至少一個(gè)。

8、可選的，建立所述兩個(gè)特征信息與第一補(bǔ)償值之間的二維表，包括：

9、在不同的測(cè)試芯片版圖中獲取所述兩個(gè)特征信息的多個(gè)第一測(cè)量值，以及對(duì)所述測(cè)試芯片進(jìn)行蝕刻后的多個(gè)第二測(cè)量值；

10、根據(jù)所述第一測(cè)量值和所述第二測(cè)量值計(jì)算多個(gè)偏差值，并將所述多個(gè)偏差值作為所述兩個(gè)特征信息對(duì)應(yīng)的多個(gè)第一補(bǔ)償值；

11、根據(jù)所述兩個(gè)特征信息對(duì)應(yīng)的多個(gè)第一補(bǔ)償值建立二維表。

12、可選的，根據(jù)所述特征參數(shù)從所述多個(gè)二維表中依次確定每個(gè)二維表對(duì)應(yīng)的第二補(bǔ)償值，包括：

13、在每個(gè)所述二維表中，確定第一特征參數(shù)對(duì)應(yīng)的第一區(qū)間以及第二特征參數(shù)對(duì)應(yīng)的第二區(qū)間；

14、根據(jù)所述第一區(qū)間和所述第二區(qū)間確定所述二維表對(duì)應(yīng)的第二補(bǔ)償值。

15、可選的，所述多個(gè)二維表的數(shù)量大于或等于所述多個(gè)特征信息的數(shù)量。

16、可選的，根據(jù)以下擬合函數(shù)計(jì)算目標(biāo)補(bǔ)償值：

17、

18、其中，biasa為目標(biāo)位置a的目標(biāo)補(bǔ)償值，∑為求和符號(hào)，n取值1或i，當(dāng)n=1時(shí)，表示目標(biāo)位置a的目標(biāo)補(bǔ)償值為多個(gè)第二補(bǔ)償值求和，當(dāng)n=i時(shí)，表示目標(biāo)位置a的目標(biāo)補(bǔ)償值為多個(gè)第二補(bǔ)償值的平均值，fi(xi,yi)為多個(gè)特征信息對(duì)目標(biāo)補(bǔ)償值的影響因子，ti(xi,yi)為多個(gè)特征信息對(duì)應(yīng)的第二補(bǔ)償值。

19、可選的，根據(jù)所述目標(biāo)補(bǔ)償值對(duì)所述目標(biāo)位置進(jìn)行補(bǔ)償，包括：

20、根據(jù)所述目標(biāo)補(bǔ)償值確定目標(biāo)方向和移動(dòng)距離；

21、根據(jù)所述目標(biāo)方向和移動(dòng)距離對(duì)所述芯片版圖中的目標(biāo)位置進(jìn)行移動(dòng)。

22、本申請(qǐng)還提供一種版圖的蝕刻補(bǔ)償裝置，包括：

23、獲取模塊，用于獲取蝕刻后的芯片版圖，針對(duì)所述芯片版圖中待補(bǔ)償?shù)哪繕?biāo)位置獲取與所述目標(biāo)位置關(guān)聯(lián)的多個(gè)特征信息以及特征參數(shù)；

24、建立模塊，用于依次從所述多個(gè)特征信息中選取兩個(gè)特征信息，建立所述兩個(gè)特征信息與第一補(bǔ)償值之間的二維表，以得到多個(gè)二維表；

25、確定模塊，用于根據(jù)所述特征參數(shù)從所述多個(gè)二維表中依次確定每個(gè)二維表對(duì)應(yīng)的第二補(bǔ)償值；

26、計(jì)算模塊，用于根據(jù)多個(gè)第二補(bǔ)償值和多個(gè)特征信息對(duì)目標(biāo)補(bǔ)償值的影響因子計(jì)算目標(biāo)補(bǔ)償值，根據(jù)所述目標(biāo)補(bǔ)償值對(duì)所述目標(biāo)位置進(jìn)行補(bǔ)償。

27、本申請(qǐng)還提供一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括存儲(chǔ)器和處理器，所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述處理器通過(guò)調(diào)用所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的所述計(jì)算機(jī)程序，執(zhí)行本申請(qǐng)?zhí)峁┑娜我豁?xiàng)所述版圖的蝕刻補(bǔ)償方法中的步驟。

28、本申請(qǐng)還提供一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序適于處理器進(jìn)行加載，以執(zhí)行本申請(qǐng)?zhí)峁┑娜我豁?xiàng)所述版圖的蝕刻補(bǔ)償方法中的步驟。

29、本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌鎴D的蝕刻補(bǔ)償方法，可以獲取蝕刻后的芯片版圖，針對(duì)芯片版圖中待補(bǔ)償?shù)哪繕?biāo)位置獲取與目標(biāo)位置關(guān)聯(lián)的多個(gè)特征信息以及特征參數(shù)，依次從多個(gè)特征信息中選取兩個(gè)特征信息，建立兩個(gè)特征信息與第一補(bǔ)償值之間的二維表，以得到多個(gè)二維表，根據(jù)特征參數(shù)從多個(gè)二維表中依次確定每個(gè)二維表對(duì)應(yīng)的第二補(bǔ)償值，根據(jù)多個(gè)第二補(bǔ)償值和多個(gè)特征信息對(duì)目標(biāo)補(bǔ)償值的影響因子計(jì)算目標(biāo)補(bǔ)償值，根據(jù)目標(biāo)補(bǔ)償值對(duì)目標(biāo)位置進(jìn)行補(bǔ)償。本申請(qǐng)實(shí)施例從多個(gè)特征信息中獲取每?jī)蓚€(gè)特征信息對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償值，再結(jié)合多個(gè)特征信息對(duì)目標(biāo)補(bǔ)償值的影響因子計(jì)算目標(biāo)補(bǔ)償值，解決了現(xiàn)有技術(shù)中單一的二維蝕刻偏差規(guī)則表無(wú)法適應(yīng)于多因素影響的問(wèn)題，提高了蝕刻偏差補(bǔ)償?shù)臏?zhǔn)確性。

技術(shù)特征：

1.一種版圖的蝕刻補(bǔ)償方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的版圖的蝕刻補(bǔ)償方法，其特征在于，所述多個(gè)特征信息包括當(dāng)前邊的間距、線(xiàn)寬、長(zhǎng)度、臨邊間距、臨邊線(xiàn)寬以及臨邊長(zhǎng)度中的至少一個(gè)。

3.如權(quán)利要求1所述的版圖的蝕刻補(bǔ)償方法，其特征在于，建立所述兩個(gè)特征信息與第一補(bǔ)償值之間的二維表，包括：

4.如權(quán)利要求1所述的版圖的蝕刻補(bǔ)償方法，其特征在于，根據(jù)所述特征參數(shù)從所述多個(gè)二維表中依次確定每個(gè)二維表對(duì)應(yīng)的第二補(bǔ)償值，包括：

5.如權(quán)利要求1所述的版圖的蝕刻補(bǔ)償方法，其特征在于，所述多個(gè)二維表的數(shù)量大于或等于所述多個(gè)特征信息的數(shù)量。

6.如權(quán)利要求1所述的版圖的蝕刻補(bǔ)償方法，其特征在于，根據(jù)以下擬合函數(shù)計(jì)算目標(biāo)補(bǔ)償值：

7.如權(quán)利要求1所述的版圖的蝕刻補(bǔ)償方法，其特征在于，根據(jù)所述目標(biāo)補(bǔ)償值對(duì)所述目標(biāo)位置進(jìn)行補(bǔ)償，包括：

8.一種版圖的蝕刻補(bǔ)償裝置，其特征在于，包括：

9.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括存儲(chǔ)器和處理器，所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述處理器通過(guò)調(diào)用所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的所述計(jì)算機(jī)程序，執(zhí)行如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的版圖的蝕刻補(bǔ)償方法中的步驟。

10.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序適于處理器進(jìn)行加載，以執(zhí)行如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的版圖的蝕刻補(bǔ)償方法中的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種版圖的蝕刻補(bǔ)償方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方案可以獲取蝕刻后的芯片版圖，針對(duì)芯片版圖中待補(bǔ)償?shù)哪繕?biāo)位置獲取與目標(biāo)位置關(guān)聯(lián)的多個(gè)特征信息以及特征參數(shù)，依次從多個(gè)特征信息中選取兩個(gè)特征信息，建立兩個(gè)特征信息與第一補(bǔ)償值之間的二維表，以得到多個(gè)二維表，根據(jù)特征參數(shù)從多個(gè)二維表中依次確定每個(gè)二維表對(duì)應(yīng)的第二補(bǔ)償值，根據(jù)多個(gè)第二補(bǔ)償值和多個(gè)特征信息對(duì)目標(biāo)補(bǔ)償值的影響因子計(jì)算目標(biāo)補(bǔ)償值，根據(jù)目標(biāo)補(bǔ)償值對(duì)目標(biāo)位置進(jìn)行補(bǔ)償。本申請(qǐng)實(shí)施例從多個(gè)特征信息中獲取每?jī)蓚€(gè)特征信息對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償值，再結(jié)合多個(gè)特征信息對(duì)目標(biāo)補(bǔ)償值的影響因子計(jì)算目標(biāo)補(bǔ)償值，提高了蝕刻偏差補(bǔ)償?shù)臏?zhǔn)確性。

技術(shù)研發(fā)人員：熊萬(wàn)能,楊曉方,張亞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華芯程（杭州）科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9