技術(shù)特征：

1.一種散熱結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述散熱結(jié)構(gòu)用于供igbt芯片連接后散熱，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述圖案化處理包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法滿(mǎn)足以下條件中的任一種：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述氧化處理包括濕法氧化或干法氧化；其中，所述濕法氧化通過(guò)化學(xué)試劑在銅表面引入氧元素，所述干法氧化通過(guò)在弱氧環(huán)境下將銅表面氧化形成銅氧化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬化陶瓷基板制備工序中，所述預(yù)處理包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法滿(mǎn)足以下條件中的至少一者：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述一體化工序還包括基于經(jīng)過(guò)燒結(jié)固化處理后的組合體，對(duì)熱沉的厚度面上開(kāi)設(shè)多個(gè)沿厚度方向的垂向間隔排布的通孔、并沿厚度方向的垂向?qū)ΨQ(chēng)切分熱沉，以在熱沉表面形成扇翅結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述定位模具包括一殼體，所述殼體形成有收容槽，所述收容槽底部形成有至少一個(gè)承托槽，所述承托槽用于容納并承托所述組合體上背離熱沉一面的金屬凸臺(tái)，所述收容槽用于容納所述組合體并承托熱沉；

9.一種散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，采用權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述的制備方法制得，所述散熱結(jié)構(gòu)包括金屬化陶瓷基板及熱沉；

10.一種igbt模組，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的散熱結(jié)構(gòu)、釬焊層及igbt芯片，所述釬焊層沿厚度方向的兩面分別連接于igbt芯片與所述散熱結(jié)構(gòu)的金屬層表面。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種散熱結(jié)構(gòu)、其制備方法和IGBT模組。本申請(qǐng)?zhí)峁┑纳峤Y(jié)構(gòu)的制備方法，包括：基于熱沉沿厚度方向一面開(kāi)設(shè)的盲槽，得到待結(jié)合熱沉；對(duì)金屬片及陶瓷基板層疊貼合并進(jìn)行燒制，金屬化陶瓷基板；基于金屬層沿厚度方向的表面進(jìn)行圖案化處理，以使陶瓷層上沿厚度方向具有暴露面、且暴露面上的金屬層形成能夠匹配盲槽的金屬凸臺(tái)；將待結(jié)合基板上的金屬凸臺(tái)安裝于待結(jié)合熱沉的盲槽內(nèi)、并使暴露面與待結(jié)合熱沉表面貼合形成組合體，對(duì)組合體進(jìn)行燒結(jié)固化處理，得到散熱結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)制備方法制得的散熱結(jié)構(gòu)可以有效減少熱阻界面層的數(shù)量，提高IGBT芯片的散熱效率，且使得生產(chǎn)成本和工藝復(fù)雜性得到顯著降低。

技術(shù)研發(fā)人員：井敏,黃禮侃,馮家云,趙建光,林曉光
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京中江新材料科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9