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一種晶圓夾持機構(gòu)、晶圓后處理裝置及晶圓后處理方法與流程

文檔序號:40818117發(fā)布日期:2025-01-29 02:37閱讀:11來源:國知局
一種晶圓夾持機構(gòu)、晶圓后處理裝置及晶圓后處理方法與流程

本發(fā)明屬于晶圓后處理,具體而言,涉及一種晶圓夾持機構(gòu)、晶圓后處理裝置及晶圓后處理方法。


背景技術(shù):

1、集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心,在助推制造業(yè)向數(shù)字化、智能化轉(zhuǎn)型升級的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。芯片是集成電路的載體,芯片制造涉及集成電路設(shè)計、晶圓制造、晶圓加工、電性測量、切割封裝和測試等工藝流程。

2、集成電路生產(chǎn)制造中,晶圓經(jīng)過諸如薄膜沉積、刻蝕、拋光等多道工藝制程。在晶圓加工過程中,晶圓表面會接觸大量顆粒物。為了保持晶圓表面的清潔狀態(tài),消除工藝制程中留存在晶圓表面的顆粒物,必須對每道工藝制程后的晶圓進行清洗處理。

3、無論是晶圓清洗還是晶圓干燥,都需要通過夾持機構(gòu)可靠夾持晶圓?,F(xiàn)有的夾持機構(gòu),多采用彈簧等儲能器件實現(xiàn)晶圓的夾持和釋放。

4、現(xiàn)有夾持機構(gòu)結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜,并需配置驅(qū)動機構(gòu),帶動彈簧伸縮,以實現(xiàn)卡爪的打開與閉合,現(xiàn)有結(jié)構(gòu)存在部件的相互作用,而部件磨損會影響夾持力的穩(wěn)定性;同時,部件磨損會產(chǎn)生一些顆粒物,這會增加清洗環(huán)境中的污染源,不利于晶圓清洗效果的提升。

5、此外,為監(jiān)測晶圓在夾持機構(gòu)的位姿及狀態(tài),需要額外配置如基于光電原理的晶圓在位檢測模塊,但在位檢測模塊無疑會占用晶圓處理腔室的空間;同時,在位檢測使用的光電傳感器,容易受到腔室濕度的干擾而致使晶圓在位檢測精度下降,甚至存在檢測錯誤而誤判的情形,致使無法正確反饋晶圓所處狀態(tài)而影響晶圓處理工藝的控制。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實施例提供了一種晶圓夾持機構(gòu)、晶圓后處理裝置及晶圓后處理方法,旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。

2、本發(fā)明實施例的第一方面提供了一種晶圓夾持機構(gòu),其包括:

3、轉(zhuǎn)盤;

4、卡爪組件,其沿轉(zhuǎn)盤的周向設(shè)置,所述卡爪組件包括固定座和一對卡爪,所述一對卡爪環(huán)繞所述固定座上方的圓柱件設(shè)置;所述一對卡爪的相對面配置有磁極相同的磁塊,兩者的磁斥力使得卡爪圍繞所述圓柱件相互遠離,卡爪的接觸柱朝向所述轉(zhuǎn)盤的內(nèi)側(cè)移動而閉合卡爪;

5、調(diào)控組件,其設(shè)置于固定座的側(cè)方且其前端朝向卡爪之間的間隙設(shè)置;所述調(diào)控組件的前端能夠產(chǎn)生與卡爪的磁塊相異的磁極,所述調(diào)控組件與卡爪之間的磁吸力使得卡爪圍繞所述圓柱件相互靠近,卡爪的接觸柱朝向所述轉(zhuǎn)盤的外側(cè)移動而打開卡爪。

6、在一些實施例中,所述卡爪包括卡爪主體,所述卡爪主體為局部圓環(huán)結(jié)構(gòu),其轉(zhuǎn)動連接于圓柱件的外周側(cè);所述卡爪主體的上部配置有支撐件,所述支撐件的端部設(shè)置有抵接晶圓邊緣的接觸柱。

7、在一些實施例中,所述固定座可拆卸連接于所述轉(zhuǎn)盤,其上方設(shè)置有定位件,以限定卡爪相對于所述圓柱件的周向位置。

8、在一些實施例中,所述卡爪主體的一個端面為彎折面,所述彎折面包括第一彎折面和第二彎折面,其上間隔設(shè)置有多個磁塊。

9、在一些實施例中,所述卡爪組件處于夾持狀態(tài)時,兩個卡爪的第一彎折面相互平行。

10、在一些實施例中,所述第一彎折面與第二彎折面的夾角為110°-135°。

11、在一些實施例中,所述第二彎折面的寬度大于所述第一彎折面的寬度。

12、在一些實施例中,所述卡爪主體的另一個端面為平面或圓弧面。

13、在一些實施例中,所述卡爪主體大于或等于圓環(huán)結(jié)構(gòu)的1/4。

14、在一些實施例中,所述支撐件偏置設(shè)置于卡爪主體的上部,圍繞圓柱件轉(zhuǎn)動的卡爪主體能夠帶動支撐件偏轉(zhuǎn),以改變接觸柱的位置。

15、在一些實施例中,所述卡爪的支撐件與另一卡爪的支撐件豎向交錯設(shè)置,所述接觸柱位于卡爪主體的內(nèi)側(cè)或外側(cè)。

16、在一些實施例中,所述支撐件上配置有限位槽,所述卡爪的接觸柱能夠卡接于另一卡爪的限位槽,以限定支撐件的偏轉(zhuǎn)范圍。

17、在一些實施例中,所述支撐件朝向所述卡爪主體的圓心所在一側(cè)延伸,接觸柱設(shè)置在支撐件的朝向所述卡爪主體的圓心的一端。

18、在一些實施例中,所述調(diào)控組件包括調(diào)控塊,所述調(diào)控塊的內(nèi)部設(shè)置有桿件;所述桿件的外周側(cè)纏繞有線圈,通電的線圈能夠在桿件的端部形成磁場。

19、在一些實施例中,所述桿件的數(shù)量為多個,其設(shè)置位置與卡爪上磁塊的位置相對應(yīng)。

20、在一些實施例中,所述調(diào)控塊的端部為v形面,其朝向所述卡爪之間的間隙設(shè)置;所述桿件至少部分貫穿所述調(diào)控塊并延伸至所述v形面。

21、在一些實施例中,所述調(diào)控塊設(shè)置于轉(zhuǎn)盤的上方,并且,所述調(diào)控塊的豎向高度小于所述卡爪的高度。

22、本發(fā)明實施例的第二方面提供了一種晶圓后處理裝置,其包括:

23、箱體;

24、上面所述的晶圓夾持機構(gòu),設(shè)置于所述箱體的內(nèi)部,其下方配置有驅(qū)動機構(gòu),以帶動夾持的晶圓繞軸線旋轉(zhuǎn);

25、后處理模塊,其設(shè)置于晶圓夾持機構(gòu)的上方,以對旋轉(zhuǎn)晶圓執(zhí)行后處理工藝。

26、本發(fā)明實施例的第三方面提供了一種晶圓后處理方法,其使用上面所述的晶圓后處理裝置執(zhí)行后處理工藝,包括:

27、s1,調(diào)控組件通電,卡爪組件的卡爪處于打開狀態(tài);

28、s2,機械手將晶圓放置于轉(zhuǎn)盤上方,調(diào)控組件斷電,卡爪組件的卡爪閉合,以夾持晶圓;

29、s3,驅(qū)動機構(gòu)帶動夾持的晶圓繞軸線旋轉(zhuǎn),后處理模塊朝向晶圓噴射水和/或化學(xué)液,以處理晶圓表面。

30、在一些實施例中,在晶圓后處理過程中,若卡爪組件夾持的晶圓發(fā)生碎裂,則卡爪在磁斥力作用下繞圓柱件相互遠離,使得磁塊的磁通量發(fā)生變化,所述調(diào)控組件能夠檢測感應(yīng)電流變化而報警。

31、本發(fā)明實施例的第四方面提供了一種晶圓夾持機構(gòu),其包括:

32、轉(zhuǎn)盤;

33、卡爪組件,其沿轉(zhuǎn)盤的周向設(shè)置,所述卡爪組件通過磁力夾持或釋放晶圓;

34、調(diào)控組件,其位于卡爪組件的側(cè)方,所述調(diào)控組件能夠改變卡爪組件的磁力方向,進而切換卡爪組件的工作狀態(tài)。

35、在一些實施例中,所述卡爪組件包括一對卡爪,其上配置有接觸柱,所述接觸柱抵接于晶圓邊緣。

36、在一些實施例中,所述卡爪組件還包括固定座,其上設(shè)置有圓柱件,所述一對卡爪轉(zhuǎn)動連接于所述圓柱件的外周側(cè)。

37、在一些實施例中,所述一對卡爪的相對面配置有磁塊,相對的磁塊形成磁斥力或磁吸力,使得卡爪圍繞所述圓柱件轉(zhuǎn)動,以改變接觸柱的位置而實現(xiàn)卡爪組件的打開或閉合。

38、在一些實施例中,所述調(diào)控組件包括調(diào)控塊,所述調(diào)控塊的內(nèi)部設(shè)置有桿件;所述桿件的外周側(cè)纏繞有線圈,通電的線圈能夠在桿件的端部形成磁場。

39、在一些實施例中,所述調(diào)控塊設(shè)置于固定座的側(cè)方且其前端朝向卡爪之間的間隙設(shè)置,所述桿件形成的磁場的磁極與磁塊相對面的磁極相同或相異,以改變卡爪與調(diào)控組件之間的磁力方向。

40、在一些實施例中,所述桿件的數(shù)量為多個,其設(shè)置位置與卡爪上磁塊的位置相對應(yīng)。

41、在一些實施例中,所述卡爪包括卡爪主體,其為局部圓環(huán)結(jié)構(gòu)并轉(zhuǎn)動連接于圓柱件的外周側(cè);所述卡爪主體的上部偏置設(shè)置有支撐件,圍繞圓柱件轉(zhuǎn)動的卡爪主體能夠帶動支撐件偏轉(zhuǎn),以改變接觸柱的位置。

42、在一些實施例中,所述固定座可拆卸連接于所述轉(zhuǎn)盤,其上方設(shè)置有定位件,以限定卡爪相對于所述圓柱件的周向位置。

43、本發(fā)明實施例的第五方面提供了一種晶圓后處理裝置,其包括:

44、箱體;

45、上面所述的晶圓夾持機構(gòu),設(shè)置于所述箱體的內(nèi)部,其下方配置有驅(qū)動機構(gòu),以帶動夾持的晶圓繞軸線旋轉(zhuǎn);

46、后處理模塊,其設(shè)置于晶圓夾持機構(gòu)的上方,以對旋轉(zhuǎn)晶圓執(zhí)行后處理工藝。

47、本發(fā)明的有益效果包括:

48、a.?卡爪組件配置一對卡爪,以在卡爪上方形成兩個接觸柱,進而避免單點抵接而致使夾持力不均勻;

49、b.?卡爪組件設(shè)置兩個抵接晶圓的接觸柱,如此能夠減少卡爪組件的配置數(shù)量,節(jié)省空間占用,適應(yīng)不同工況的晶圓夾持;

50、c.?卡爪主體的支撐件豎向交錯并朝向卡爪主體的圓心側(cè),以縮小卡爪組件的空間占用;

51、d.?支撐件上配置有限位槽,限位槽的設(shè)置位置與第一卡爪上的接觸柱的設(shè)置位置相匹配,以限定支撐件的偏轉(zhuǎn)范圍;

52、e.?一對卡爪圍繞圓柱件設(shè)置,卡爪主體的彎折面配置磁塊,卡爪能夠在磁斥力作用下以圓柱件為基準相互遠離,以調(diào)整支撐件的位姿,改變接觸柱的位置,實現(xiàn)卡爪組件的閉合;

53、f.?調(diào)控組件設(shè)置于固定座的側(cè)方且其前端朝向卡爪之間的間隙設(shè)置,調(diào)控組件的前端能夠產(chǎn)生與卡爪的磁塊相異的磁極,調(diào)控組件與卡爪之間的磁吸力使得卡爪圍繞圓柱件相互靠近,以調(diào)整接觸柱的位置,實現(xiàn)卡爪組件的打開;

54、g.?調(diào)控組件處于磁場中,移動磁塊能夠切割磁感線,使得調(diào)控組件形成感應(yīng)電流,使得調(diào)控組件能夠檢測晶圓的碎裂,進而監(jiān)測晶圓夾持機構(gòu)中晶圓的在位狀態(tài);

55、h.?卡爪主體與支撐件為分體結(jié)構(gòu),若接觸柱磨損而無法使用,則可更換支撐件,以避免整體更換而降低成本;

56、i.?卡爪主體的第一彎折面與第二彎折面設(shè)置有多個磁塊,兩者之間的夾角為110°-135°,使得相對的第二彎折面也形成磁斥力,即利用卡爪上的磁塊形成的雙重磁斥力,來控制卡爪以圓柱件為基準而轉(zhuǎn)動;

57、j.?第二彎折面相對于第一彎折面相對傾斜設(shè)置,使得相鄰的卡爪形成開口漸變的放置槽,以便于安裝及放置調(diào)控組件;

58、k.?第二彎折面的寬度大于第一彎折面的寬度,以擴大放置槽的尺寸,便于安裝調(diào)控組件;

59、l.?卡爪組件的打開及閉合,采用磁力控制,避免構(gòu)件的相互作用,有效保證了晶圓夾持的可靠性。

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