1.一種芯片封裝用陣列柱結構，其特征在于：包括塑封集成平臺以及嵌設于塑封集成平臺中的陣列柱組件，所述陣列柱組件包括多根導柱，所述導柱至少有一端設有電鍍層；所述塑封集成平臺的下表面與陣列柱組件的下端面齊平設置，所述塑封集成平臺的上表面與陣列柱組件的上端面之間的間距為h1；或者，所述塑封集成平臺的上表面與陣列柱組件的上端面之間的間距為h2，所述塑封集成平臺的下表面與陣列柱組件的下端面之間的間距為h3；其中，h1＞0，h2＞0，h3＞0，h1＞h2，h1＞h3。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種芯片封裝用陣列柱結構，其特征在于：所述塑封集成平臺采用塑封膠、uf膠、絕緣玻璃或者陶瓷制成。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種芯片封裝用陣列柱結構，其特征在于：所述導柱包括金屬核柱，所述金屬核柱由金屬材料制成；或者，所述導柱包括塑核柱，所述塑核柱由有機材料制成。
4.根據(jù)權利要求3所述的一種芯片封裝用陣列柱結構，其特征在于：所述金屬核柱或塑核柱的外壁上形成有金屬增厚層。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種芯片封裝用陣列柱結構，其特征在于：所述導柱的外壁可進行化學蝕刻以減小導柱的直徑。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種芯片封裝用陣列柱結構，其特征在于：所述導柱的兩端均設有電鍍層。
7.根據(jù)權利要求1或6所述的一種芯片封裝用陣列柱結構，其特征在于：所述電鍍層包括電鍍鎳層，所述電鍍鎳層電鍍于導柱的端面。
8.根據(jù)權利要求7所述的一種芯片封裝用陣列柱結構，其特征在于：所述電鍍層還包括焊錫層或者鍍金層，所述焊錫層或者鍍金層焊接于電鍍鎳層上。