本技術(shù)涉及一種集成電路裝置。

背景技術(shù)：

1、許多現(xiàn)代電子裝置包含數(shù)字影像傳感器。數(shù)字影像傳感器可以是背面照明傳感器或正面照明傳感器。數(shù)字影像傳感器可以利用多芯片封裝來(lái)降低每畫(huà)素的面積并增加所得設(shè)備的分辨率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型提供一種集成電路(ic)裝置，包括：第一ic芯片，包括多個(gè)畫(huà)素方塊，所述多個(gè)畫(huà)素方塊分別包括凹入第一介電層中的第一多個(gè)導(dǎo)電墊的一個(gè)，所述多個(gè)畫(huà)素方塊排列在第一方向延伸的行中及在垂直于所述第一方向的第二方向延伸的列中；第二ic芯片，在接合接口處接合至所述第一ic芯片，其中所述第二ic芯片包括凹入第二介電層中第二多個(gè)導(dǎo)電墊并且所述第二多個(gè)導(dǎo)電墊沿所述接合接口接觸所述第一多個(gè)導(dǎo)電墊；以及第一波紋狀屏蔽線，具有從所述多個(gè)畫(huà)素方塊的第一行的最外面的邊緣沿所述第二方向縮回的最外邊緣，所述第一波紋狀屏蔽線布置在所述第一介電層內(nèi)并且在所述多個(gè)畫(huà)素方塊的所述第一行內(nèi)將相鄰的所述第一多個(gè)導(dǎo)電墊側(cè)向地分開(kāi)。

2、本實(shí)用新型提供另一種集成電路(ic)裝置，包括：第一ic芯片；第二ic芯片，在接合接口處與所述第一ic芯片接合；以及第一畫(huà)素，跨所述第一ic芯片和所述第二ic芯片排列，所述第一畫(huà)素包括第一光偵測(cè)器子陣列和第二光偵測(cè)器子陣列，其中所述第一ic芯片和第二ic芯片分別包括在所述接合接口處直接接觸的第一介電層和第二介電層，所述第一ic芯片更包括凹入所述第一介電層中且在所述接合接口處的第一導(dǎo)電墊和第一屏蔽節(jié)點(diǎn)，所述第一導(dǎo)電墊在所述第一光偵測(cè)器子陣列下方，所述第一屏蔽節(jié)點(diǎn)在所述第二光偵測(cè)器子陣列下方，并且第一波紋狀屏蔽線的第一段和第二段從所述第一屏蔽節(jié)點(diǎn)的相對(duì)側(cè)壁向外突出，以部分包圍所述第一導(dǎo)電墊。

3、本實(shí)用新型提供一種形成集成電路(ic)裝置的方法，包括：在第一ic芯片中的第一襯底中注入摻質(zhì)，以形成具有設(shè)置在列和行中的多個(gè)畫(huà)素方塊的光偵測(cè)器陣列；在所述第一襯底之上形成第一互連結(jié)構(gòu)，所述第一互連結(jié)構(gòu)包括被第一介電層包圍的第一多個(gè)導(dǎo)電墊；直接在所述導(dǎo)電墊之間和所述多個(gè)畫(huà)素方塊的單個(gè)行內(nèi)分別形成第一多個(gè)波紋狀屏蔽線；在第二ic芯片上形成第二互連結(jié)構(gòu)，所述第二互連結(jié)構(gòu)包括被第二介電層包圍的第二多個(gè)導(dǎo)電墊和第二多個(gè)波紋狀屏蔽線；將所述第一ic芯片翻轉(zhuǎn)并將所述第一ic芯片放在所述第二ic芯片上，使得所述第一多個(gè)導(dǎo)電墊面對(duì)所述第二多個(gè)導(dǎo)電墊；以及在接合接口處接合所述第一ic芯片到所述第二ic芯片，其中所述第二多個(gè)導(dǎo)電墊在所述接合接口處接合到所述第一多個(gè)導(dǎo)電墊，并且其中所述第一多個(gè)波紋狀屏蔽線和所述第二多個(gè)波紋狀屏蔽線將所述第一多個(gè)導(dǎo)電墊和所述第二多個(gè)導(dǎo)電墊的部分彼此隔離。

技術(shù)特征：

1.一種集成電路裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述第一多個(gè)導(dǎo)電墊包括第一導(dǎo)電墊和第二導(dǎo)電墊；且

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其特征在于，所述第一屏蔽線段和所述第二屏蔽線段耦合到與所述第一導(dǎo)電墊和所述第二導(dǎo)電墊等距的屏蔽節(jié)點(diǎn)，并且其中所述屏蔽節(jié)點(diǎn)在所述第一方向中自所述第一導(dǎo)電墊偏移且在所述第二方向中自所述第二導(dǎo)電墊偏移。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路裝置，其特征在于，還包括與所述第一導(dǎo)電墊和所述第二導(dǎo)電墊分開(kāi)的第三導(dǎo)電墊，其中所述第三導(dǎo)電墊和所述第二導(dǎo)電墊之間的線與所述第三導(dǎo)電墊和所述第一導(dǎo)電墊之間的線成45度角，并且其中所述第三導(dǎo)電墊和所述第一導(dǎo)電墊之間的所述線延伸穿過(guò)所述屏蔽節(jié)點(diǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述第一波紋狀屏蔽線具有面向所述接合接口并與所述接合接口間隔開(kāi)的表面，其中所述第一集成電路芯片更包括分別覆蓋并直接接觸所述第一多個(gè)導(dǎo)電墊的第一導(dǎo)電墊和第二導(dǎo)電墊的第三導(dǎo)電墊和第四導(dǎo)電墊，并且所述第三導(dǎo)電墊和所述第四導(dǎo)電墊進(jìn)一步與所述第一波紋狀屏蔽線齊平。

6.一種集成電路裝置，其特征在于，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路裝置，其特征在于，還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路裝置，其特征在于，還包括部分包圍所述第一導(dǎo)電墊的第二波紋狀屏蔽線，其中所述第一波紋狀屏蔽線和所述第二波紋狀屏蔽線彼此間隔所述第一介電層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路裝置，其特征在于，所述第一屏蔽節(jié)點(diǎn)具有與所述第一導(dǎo)電墊的頂部幾何形狀相同的頂部幾何形狀。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路裝置，其特征在于，所述第二光偵測(cè)器子陣列電耦合到所述第一導(dǎo)電墊。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一些實(shí)施例涉及IC裝置。IC裝置包括包含多個(gè)畫(huà)素方塊的第一芯片，多個(gè)畫(huà)素方塊分別包括第一多個(gè)導(dǎo)電墊中的一個(gè)，多個(gè)畫(huà)素方塊排列在第一方向延伸的行中和在垂直于第一方向的第二方向延伸的列中；在接合接口處接合到第一芯片的第二芯片，其中第二芯片包括凹陷的第二多個(gè)導(dǎo)電墊并且第二多個(gè)導(dǎo)電墊沿接合接口處接觸第一多個(gè)導(dǎo)電墊；以及第一波紋狀屏蔽線，具有從多個(gè)畫(huà)素方塊的第一行的最外面的邊緣沿第二方向縮回的最外邊緣，第一波紋狀屏蔽線布置在第一介電層內(nèi)并在多個(gè)畫(huà)素方塊的第一行中將相鄰的第一多個(gè)導(dǎo)電墊側(cè)向地隔開(kāi)。

技術(shù)研發(fā)人員：鐘積賢,王子睿,蕭家棋,黃冠杰,徐偉誠(chéng),楊皓麟,廖羿涵,王銓中,楊敦年
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240311
技術(shù)公布日：2024/12/30