本技術(shù)的實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置，且特別是涉及一種包括密封劑層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、三維集成電路(three?dimensional?integrated?circuit，3dic)總成可包括兩個(gè)或更多個(gè)集成電路(integrated?circuit，ic)管芯，其垂直堆疊并沿接合線接合。3dic組件可通過(guò)使用諸如晶片上覆晶片(wafer-on-wafer，wow)接合操作的晶片接合操作堆疊包括兩個(gè)或更多個(gè)ic管芯的兩個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體襯底來(lái)形成。在接合操作之后，包括兩個(gè)或更多ic管芯的3dic組件可從兩個(gè)或更多半導(dǎo)體襯底的堆疊中切割出來(lái)，并包封在半導(dǎo)體管芯封裝中。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體裝置包括：第一接合層；基于硅氮烷的化合物或基于硅氮烷的化合物的第一層，在所述第一接合層和第一集成電路之間，其中所述第一集成電路與第一集成電路管芯相關(guān)聯(lián)；第二接合層，與所述第一接合層接合；以及基于硅氮烷的化合物或基于硅氮烷的化合物的第二層，在所述第二接合層和第二集成電路之間，其中所述第二集成電路與第二集成電路管芯相關(guān)聯(lián)。

2、基于上述，相對(duì)于不包括密封劑材料的各個(gè)層的另一接合界面結(jié)構(gòu)，層狀結(jié)構(gòu)可減小整個(gè)接合界面的側(cè)向應(yīng)力以降低兩個(gè)集成電路管芯翹曲的可能性。另外，相對(duì)于不包括密封劑材料的各個(gè)層的另一接合界面結(jié)構(gòu)，層狀結(jié)構(gòu)可包括增強(qiáng)的黏合性能及/或增強(qiáng)的減振性能。降低側(cè)向應(yīng)力、增強(qiáng)黏合性能及/或減振性能可降低在使兩個(gè)集成電路管芯中的一或多個(gè)變薄的減薄操作期間接合界面破裂或剝離的可能性。

3、為讓本實(shí)用新型的實(shí)施例的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中所述基于硅氮烷的化合物或所述基于硅氮烷的化合物的所述第一層和所述基于硅氮烷的化合物或所述基于硅氮烷的化合物的所述第二層包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中所述接合界面結(jié)構(gòu)包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中所述基于硅氮烷的化合物的所述第一層的厚度為在1微米至20微米的范圍。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體裝置包括：第一接合層；基于硅氮烷的化合物或基于硅氮烷的化合物的第一層，在第一接合層和第一集成電路之間，其中第一集成電路與第一集成電路管芯相關(guān)聯(lián)；第二接合層，與第一接合層接合；以及基于硅氮烷的化合物或基于硅氮烷的化合物的第二層，在第二接合層和第二集成電路之間，其中第二集成電路與第二集成電路管芯相關(guān)聯(lián)。所述接合結(jié)構(gòu)可包括增強(qiáng)的黏合性能及增強(qiáng)的減振性能。降低側(cè)向應(yīng)力、增強(qiáng)黏合性能及減振性能可降低在使兩個(gè)集成電路管芯中的變薄的減薄操作期間接合界面破裂或剝離的可能性。

技術(shù)研發(fā)人員：楊哲維,吳國(guó)銘,陳昇照,蔡正原,蕭豪毅,喻中一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240311
技術(shù)公布日：2024/12/30