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晶體管、顯示電路及電子設(shè)備的制作方法

文檔序號:40440383發(fā)布日期:2024-12-24 15:14閱讀:12來源:國知局
晶體管、顯示電路及電子設(shè)備的制作方法

本申請涉及顯示,尤其涉及一種晶體管、顯示電路及電子設(shè)備。


背景技術(shù):

1、在電子器件日益追求輕薄化的趨勢下,oled顯示屏中將驅(qū)動ic的尺寸縮小以達到整體設(shè)備輕薄化和降低成本的效果,例如,通過多路開關(guān)晶體管的分時復(fù)用壓縮驅(qū)動ic的連接引腳,從而降低驅(qū)動ic的尺寸和設(shè)計成本。

2、但是,多路開關(guān)晶體管的結(jié)構(gòu)存在大量的寄生電容,寄生電容會影響電流在晶體管內(nèi)的流速。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請第一方面提供一種晶體管,其包括

2、有源層;

3、第一電極,設(shè)置于所述有源層上;

4、第二電極,所述第二電極包括同層設(shè)置的第一子電極以及第二子電極,所述第一子電極以及所述第二子電極分別位于所述第一電極的厚度方向上的兩側(cè);

5、所述第一子電極和/或所述第二子電極沿所述厚度方向的正投影與所述有源層沿所述厚度方向的正投影不重疊。

6、在本申請第一方面的一些變更實施方式中,前述的晶體管,其中所述第一子電極和/或所述第二子電極背離所述有源層的一側(cè)為平整表面。

7、在本申請第一方面的一些變更實施方式中,前述的晶體管,其還包括導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層的兩端分別連接于所述第二電極和所述有源層。

8、在本申請第一方面的一些變更實施方式中,前述的晶體管,其中所述第一子電極和/或所述第二子電極在平行所述有源層的平面內(nèi)朝向所述第一電極的一端沿所述厚度方向的正投影與所述有源層沿所述厚度方向的正投影的邊緣接壤。

9、在本申請第一方面的一些變更實施方式中,前述的晶體管,其中所述第一子電極和/或所述第二子電極在平行所述有源層的平面內(nèi)朝向所述第一電極的一端沿所述厚度方向的正投影與所述有源層沿所述厚度方向的正投影的邊緣間隔排布。

10、在本申請第一方面的一些變更實施方式中,前述的晶體管,其還包括第一絕緣層和/或第二絕緣層;

11、所述第一絕緣層設(shè)置于所述第二電極朝向所述有源層的一側(cè);

12、所述第二絕緣層設(shè)置于所述第一電極和所述有源層之間。

13、在本申請第一方面的一些變更實施方式中,前述的晶體管,其還包括玻璃基板;

14、所述玻璃基板設(shè)置于所述有源層背離所述第一電極的一側(cè)。

15、本申請第二方面提供一種顯示電路,其包括第一列像素單元、第二列像素單元以及至少一多路開關(guān)組;

16、所述多路開關(guān)組包括相互并聯(lián)的第一多路開關(guān)和第二多路開關(guān),所述第一多路開關(guān)用于串聯(lián)第一列像素單元,所述第二多路開關(guān)用于串聯(lián)第二列像素單元;

17、所述第一多路開關(guān)和/或所述第二多路開關(guān)包括晶體管,所述晶體管包括有源層、第一電極和第二電極,所述第二電極包括同層設(shè)置的第一子電極以及第二子電極,所述第一子電極以及所述第二子電極分別位于所述第一電極的厚度方向上的兩側(cè);

18、所述第一子電極和/或所述第二子電極沿所述厚度方向的正投影與所述有源層沿所述厚度方向的正投影不重疊。

19、在本申請第二方面的一些變更實施方式中,前述的顯示電路,其中所述第一列像素單元包括交替設(shè)置的紅色像素單元和藍色像素單元;

20、所述第二像素單元包括若干綠色像素單元。

21、本申請第三方面提供一種電子設(shè)備,其包括

22、顯示面板,所述顯示面板中設(shè)有顯示電路;

23、所述顯示電路包括第一列像素單元、第二列像素單元以及至少一多路開關(guān)組;

24、所述多路開關(guān)組包括相互并聯(lián)的第一多路開關(guān)和第二多路開關(guān),所述第一多路開關(guān)用于串聯(lián)第一列像素單元,所述第二多路開關(guān)用于串聯(lián)第二列像素單元;

25、所述第一多路開關(guān)和/或所述第二多路開關(guān)包括晶體管,所述晶體管包括有源層、第一電極和第二電極,所述第二電極包括同層設(shè)置的第一子電極以及第二子電極,所述第一子電極以及所述第二子電極分別位于所述第一電極的厚度方向上的兩側(cè);

26、所述第一子電極和/或所述第二子電極沿所述厚度方向的正投影與所述有源層沿所述厚度方向的正投影不重疊。



技術(shù)特征:

1.一種晶體管,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管,其特征在于,

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體管,其特征在于,

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管,其特征在于:

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管,其特征在于:

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管,其特征在于:

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管,其特征在于:

8.一種顯示電路,其特征在于,其包括:

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示電路,其特征在于:

10.一種電子設(shè)備,其特征在于,其包括:


技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種晶體管、顯示電路及電子設(shè)備。晶體管包括有源層、第一電極以及第二電極;所述第一電極設(shè)置于所述有源層上;所述第二電極包括同層設(shè)置的第一子電極以及第二子電極,所述第一子電極以及所述第二子電極分別位于所述第一電極的厚度方向上的兩側(cè);所述第一子電極和/或所述第二子電極沿所述厚度方向的正投影與所述有源層沿所述厚度方向的正投影不重疊。

技術(shù)研發(fā)人員:張麗琴,王玨
受保護的技術(shù)使用者:聯(lián)想(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240327
技術(shù)公布日:2024/12/23
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